摘 要： 氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点， 使其具有带宽宽， 高效特性等优点。为了研究GaN 功率放大器的特点， 使用了Ag ilent ADS 等仿真软件， 进行电路仿真设计， 设计制作了一种S 波段宽带GaN 功率放大器。详述了电路仿真过程， 并对设计的宽带GaN 功率放大器进行测试， 通过测试的实验数据表明， 设计的宽带放大器在S 波段宽带内可实现功率超过44 dBm 的功率输出， 验证了GaN 功率放大器具有宽带的特点。 　　新一代半导体功率器件主要有SiC 场效应晶体管和Ga