我们先来看看MOS关模型： 　　Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。 　　Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是 　　耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。 　　Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。 　　这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。 　　由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于 Vds电压要比原来大很