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搜索资源列表

  1. stm32 高级定时器1的互补输出死区设置

  2. STM32 的高级定时器1 库函数版本，针对可调PWM占空比，互补设置，死区时间的计算和设置，PWM1和PWM2模式的区别。对初学者有一定的帮助，不用去网上到处找资料来配置，和计算。

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2014-12-13
    • 文件大小：286720
    • 提供者：f403726660

  1. 电机驱动理论计算死区时间方式

  2. 该文档是英飞凌公司关于 电机驱动技术中死区时间设置的计算方式

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2017-06-06
    • 文件大小：313344
    • 提供者：u013636775

  1. FOC控制中死区补偿的参数计算研究

  2. 由于功率元件的损耗以及死区时间会导致电压、电流波形的畸变，同时在低频时会引起转矩纹波。开 关管在切换的时候具有延迟特性，并且这个延迟时间取决于自己的特性，目前并没有很好的办法准确预知。 为了保证上下桥臂不会同时导通，必须从硬件和软件上设置死区时间

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2018-11-02
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：poloveme

  1. STM32F103 PWM死区时间计算小工具

  2. STM32寄存器TIMx_BDTR的后8位如下： 位7:0 UTG[7:0]: 死区发生器设置 (Dead-time generator setup) 这些位定义了插入互补输出之间的死区持续时间。假设DT表示其持续时间： DTG[7:5]=0xx => DT=DTG[7:0] × Tdtg， Tdtg = Tdts； DTG[7:5]=10x => DT=(64+DTG[5:0]) × Tdtg， Tdtg = 2 × Tdts； DTG[7:5]=110 => DT=(32

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2019-04-25
    • 文件大小：45088768
    • 提供者：cheng7490

  1. 电子-STM32死区时间计算.rar

  2. 电子-STM32死区时间计算.rar,单片机/嵌入式STM32-F0/F1/F2

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：25600
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 德力西产品说明.pdf

  2. 德力西产品说明pdf,前   言   感谢您选用德力西（杭州）变频器有限公司生产的CDI 9600系列小功率矢量变频器。 在使用CDI9600系列小功率矢量变频器之前,请您仔细阅读本手册，以保证正确使用。不正确的使用可能会造成变频器运行不正常、发生故障或降低使用寿命，乃至发生人身伤害事故。因此使用前应认真阅读本说明书，严格按说明使用。本手册为标准附件，务必请您阅读后妥善保管，以备今后对变频器进行检修和维护时使用。 本手册除叙述操作说明外，还提供接线图供您参考。如果您对本产品的使用存在疑难或有特

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38744153

  1. 尽管反应堆中微子光谱不确定，但仍可测量θ12

  2. 最近发现的反应堆中微子光谱结构中的5-7 MeV过量，对应于4-6 MeV的瞬时能量，表明反应堆中微子光谱的不确定性远大于某些理论估计。 中基线（约50 km）反应堆中微子实验将提供迄今为止最精确的θ12测量值。 但是，由于在2011年重新计算了理论反应堆中微子光谱，因此没有重现这一过量现象。 结果，如果进行中等基线实验尝试使用理论光谱确定sin2⁡（2θ12），则结果将具有系统性的1％的向上偏差，远大于预期的不确定性。 我们表明，通过使用反应堆中微子光谱的最新测量值，在中基线反应堆中微子实验中

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-03
    • 文件大小：285696
    • 提供者：weixin_38621624

  1. 实现高功率密度的工业电源.pdf

  2. 实现高功率密度的工业电源pdf,工业电源必须满足一些特殊的要求，如低能耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，以及其他在普通电源中不常见的特性。的电阻/电容网络可对输入电压进行样。电感之后是带栅板保护电路的 电源开关,PFC整流器为 StealthTM二极管。接下来使用一个电阻分压 器来感测和调节PFC级的输出电压,反馈回路至此结束。总线电容也如 图2所示,而二极管D1是一个额外的保护器件。 图2PFC级的原理小意图 这里采用的控制器是FAN4810,该器件包含了先进的半均电流“升 压”型功率因薮校

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743481

  1. UC3842开关电源系列频率计算.pdf

  2. UC3842开关电源系列频率计算pdf,5-1.2 5-2.8 ( e Rt Rt 查表Id的值如下: UC284XB UC384XB, XBV Characteristics Symbol Min Typ Max Min TypMaxUnit Discharge Current (Vosc=2.0v A T=25°C 7.88388788388 TA= Ton to Thigh (UC284XB, UC384XB) 8.8 88 (UC384XBV) 8.8 ld取8.3mA,可得: ld=

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：467968
    • 提供者：weixin_38744207

  1. 基于MATLAB的三相桥式PWM逆变电路设计.pdf

  2. 基于MATLAB的三相桥式PWM逆变电路设计pdf,在现有的正弦波输出变压变频电源产品中，为了得到SPWM波，一般都采用双极性调制技术。该调制方法的最大缺点是它的6个功率管都工作在较高频率(载波频率)，从而产生了较大的开关损耗，开关频率越高，损耗越大。本实验针对正弦波输出变压变频电源SPWM调制方式及数字化控制策略进行了研究，以SG3525为主控芯片，以期得到一种较理想的调制方法，实现逆变电源变压、变频输出。三相桥式SPWM逆变电路设计 摘要: 随着电力电子技术的飞速发展,正弦波输出变压变频电源

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 48V_30A移相全桥ZVSDC_DC变换器的设计.pdf

  2. 48V_30A移相全桥ZVSDC_DC变换器的设计pdf,48V_30A移相全桥ZVSDC_DC变换器的设计一般要求输出滤波电感电流的最大脉动量厂是最大输出电流的10%,即在输出满载电流10%条件下, 输出电感电流应连续。因此:Ⅰ、=30+0.1×30=33(A)。 由于次级绕组带中心抽头,故次级绕组电流有效值为:0.707*33=23.3(A) 那么次级绕组裸线面积: A=5=6.67(mm) (4).考虑到趋附效应的影响,选用的导线为多股漆包线并绕,f,=100HZ时趋附深度:Δ=0.21(

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 180°电机控制在家电上应用.pdf

  2. 180°电机控制在家电上应用pdf,近年来180°电机控制因其节能、静音及低颤动而得到广泛的关注和应用，尤其在家电领域里，如油烟机、冰箱、空调及洗衣机等。瑞萨电子目前推出了一系列变频控制专用的8位MCU，本文主要介绍瑞萨电子8位MCU――uPD78F0712的主要特点及基于该MCU的家电风机解决方案。坐标变换。 该系列8位MC∪有6个外韶中断,能够快速响应外韶中断,如传感器的反馈信息等,极大的降低了 电机控制方案的成本,它有32个8位(或16个16位)Bank结构的通用寄存器,使得运行效率更高。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：224256
    • 提供者：weixin_38743737

  1. 高效数控开关电源——中文.pdf

  2. 高效数控开关电源——中文pdf,三、软开关技术介绍 开关器件在开或关时都不是瞬时完成的。如果让开关管在每次的 开或关之前使电压或电流为零,这样在过渡时期的损耗P=U*O=0或 P=0*I=0,这就是软开关的基本含义。根据开关过程的电压或电流为零 分别称为零电压开关(ZVS)或零电流开关(ZCS,在全桥开关电源中若 是有一个桥臂为零电压开关而另一桥臂为零电流开关的就称为零电 压零电流开关 ZVZCS) 四、数控开关电源的设计方案 对于本开关电源的控制,选用MC51单片机作为控制芯片 89℃51。按

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38744270

  1. 半桥LLC谐振电路知识详解-半桥LLC谐振转换器的设计考虑及安森美半导体解决方案.pdf

  2. 半桥LLC谐振电路知识详解-半桥LLC谐振转换器的设计考虑及安森美半导体解决方案.pdf转换器的工作频率取决于功※需求。功率需求较低时,工作频率相当高,超 出谐振点。相反,功率需求较高时,控制环路会降低廾关频牽,使其中一个谐振频 率提供负载所需大小的电流。总的来看,转换器工作在种不同的工作状 态,分别是:在和之间;直接谐振在 高于;在和 之间过载;低于。 与分立储能电路解决方案相比,集成储能电路解决方案的行为特性不同,如漏电感 米自于变压器耦合,且仅在变压器初级和次级之间存在能量转换时参与谐 振

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：526336
    • 提供者：weixin_38743481

  1. AN1299A-CN PMSM无传感器FOC三相电流重构算法.pdf

  2. 在无传感器方法中，可以使用流经电机线圈的电流提供的信息，对电机位置进行估计。实现该传感技术可采用以下两种途径：双分流电阻和单分流电阻。 为了估计电机位置，双分流电阻技术利用的是流过两个电机线圈的电流所蕴含的信息。单分流电阻技术仅利用流经直流母线的电流所蕴含的信息，进而重构三相电流，然后估计电机位置。AN1299 使用单分流电阻的优缺点 实现细节 优点 为了用交流信号驱动电机,PWM方法用来驱动三相逆 变器中的开关晶体管。这种调制以及得到的调制波形如 前已述及,单分流三相重构的最重要原因之一是要降

  3. 所属分类：C++

    • 发布日期：2019-07-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：sectionfirst

  1. 异步、同步电机的模型及矢量控制图及死区补偿算法

  2. 1.异步电机模型和控制框图 2.同步电机模型和控制框图 3.统一控制模型 4.VF框图 5.PMSM磁极检测 6.PMSM启动算法 7.死区补偿算法 8.位置环设计 9.电流采样优化 10.PI调节器设计主要内容 二、具体实现及一些细节问题的讨论 1.PMSM转子磁极的检测 2.PMSM启动算法以及每转校正环节 3死区补偿算法 4.位置环的设计 5.电流采样改进,初始零点采样加冒泡算法 6如何调试 7.P 、电机数学模型 由于感应电机的基于静止坐标系的数学模型是非线性 强耦合的,难以进行动态分

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2019-03-23
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：u010527074

  1. LLC谐振半桥计算软件.xlsx

  2. LLC谐振半桥计算软件.xlsx，经典资源，LLC谐振变换器的工作频率通常低于谐振频率，以实现副边整流管的零电流关断ZCS（zero current switc-hing），负载变化时，通过调节工作频率来保持输出电压的稳定；尤其在轻载运行状态下，工作频率远小于谐振频率，考虑死区时间的影响，在谐振频率点处导出的谐振网孔电流公式与实际运行状态相差较大。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-05-31
    • 文件大小：24576
    • 提供者：qq_30204357

  1. 元器件应用中的如何计算示波器的死区时间

  2. 数字示波器的原理决定了波形观测必然存在死区时间，而死区时间的长短直接影响示波器捕获异常信号的能力。你当前用的示波器的死区时间具体是多少，怎么去计算呢，答案就在此文揭晓。 　　1、 采样时间、死区时间和捕获时间 　　数字示波器捕获信号的过程是典型的“采集-处理-采集-处理”过程，如图1所示为数字示波器的采集原理，一个捕获周期由采样时间和（处理时间）死区时间组成，如图2所示。 图1 示波器采集原理图 　　采样时间：是信号采样存储的过程。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：604160
    • 提供者：weixin_38612909

  1. Infineon-如何正确计算并最大限度减小IGBT的死区时间-cn.pdf

  2. 该资源是在英飞凌官网找到大致估算IGBT得死区时间，对于使用H桥驱动的很有帮助。而且这是中文版的。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2021-01-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：l18370789822

  1. 计及MOSFET关断过程的LLC变换器死区时间选取及计算

  2. 死区时间的合理选取是LLC变换器MOSFET开关管在宽调节范围内实现零电压开通(ZVS)以降低电磁干扰并提升运行效率的必要条件。现有选取方法因忽略MOSFET关断过程对死区时间的重要影响，选取结果实用性较差。通过理论研究给出了使LLC变换器在宽调节范围内实现ZVS的死区时间选取原则，参照该原则详细描述并合理简化最恶劣工况下计及MOSFET关断瞬态的LLC变换器工作过程。在此基础上，通过对MOSFET手册中数据的分析运用，精确算得最恶劣工况下LLC变换器实现ZVS所需死区时间的最小值，最终给出LL

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38740328
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