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  1. 浅谈TDR测试过程静电危害及其预防

  2. 静电产生原理及其危害，详细分析TDR仪器主体结构及测试过程静电危害，针对静电产生环节采取预防措施，并初步取得成效。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-26
    • 文件大小：435200
    • 提供者：weixin_38738528

  1. 电子测量中的浅谈TDR测试过程静电危害及其预防

  2. 摘 要 文章简要介绍静电产生原理及其危害，详细分析TDR仪器主体结构及测试过程静电危害，针对静电产生环节采取预防措施，并初步取得成效。 　　电子通讯技术飞速发展，为了提高传输速率和传输距离，计算机和通讯产业正逐步转移到高速串行总线，在芯片-芯片、板卡-板卡与背板间实现高速互连。 　　这些高速串行总线的速率正从过去USB2.0、LVDS及FireWire1394的几百Mbps，提升到当前PCI-Express G1/G2、SATA G1/G2、XAUI/2XAUI、XFI的数Gbps，甚至达1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：369664
    • 提供者：weixin_38727062

  1. 浅谈TDR测试过程静电危害及其预防

  2. 摘 要 文章简要介绍静电产生原理及其危害，详细分析TDR仪器主体结构及测试过程静电危害，针对静电产生环节采取预防措施，并初步取得成效。 　　电子通讯技术飞速发展，为了提高传输速率和传输距离，计算机和通讯产业正逐步转移到高速串行总线，在芯片-芯片、板卡-板卡与背板间实现高速互连。 　　这些高速串行总线的速率正从过去USB2.0、LVDS及FireWire1394的几百Mbps，提升到当前PCI-Express G1/G2、SATA G1/G2、XAUI/2XAUI、XFI的数Gbps，甚至达1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：452608
    • 提供者：weixin_38682054