在65纳米节点浮栅NOR闪存的12英寸晶圆上，电荷泵测量表明与边缘模具（A型）相比，中央模具（B型）上的器件对源（S）的损坏更严重和漏极（D）区域。 在B型设备中，更严重的损坏是由于在S /通道中生成了接口陷阱重叠区域以及在S和D结区域中的体陷阱的生成。 在A型设备中，损坏要小得多。 在S /通道重叠区域中观察到了界面陷阱的产生。 但是，在D侧几乎无法测量。 在通道热电子程序和Fowler-Nordheim擦除下，已经在这两种设备中测量了耐久性能。 在B型设备中，在编程/擦除循环之后，内存窗口关