Sn / Cu / ZnS前驱体在室温下通过蒸发沉积在钠钙玻璃上，然后在550℃的硫气氛中硫化3 h，制得Cu2ZnSnS4（CZTS）多晶薄膜。用X射线衍射，能量色散X射线光谱，紫外可见近红外分光光度法，霍尔效应系统和3D光学显微镜对制备的CZTS薄膜进行了表征。实验结果表明，[Cu]的比例] /（[Zn] + [Sn]）和[Zn] / [Sn]在CZTS中分别为0.83和1.15，CZTS薄膜在能量范围1.5-下的吸收系数大于4.0 x 104 cm-1。 3.5 eV，直接带隙约为1.4