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  1. 模拟技术中的瑞萨电子高压MOS在进行产品开发时的注意要点

  2. 本文主要介绍瑞萨电子(又称:Renesas注1)高压MOS在客户电源等产品开发时的选型以及特性的说明,为客户的产品开发提供参考性的设计意见。   MOSFET以其电压控制、开关频率高、开关速度快等优点,广泛应用于电源等产品中。Renesas高压MOS涵盖漏源电压(VDSS)等级600V、800V、900V、1400V,具有极低的RDS(ON)和丰富的封装系列,应用十分广泛。   MOSFET最重要的两个参数是漏源电压(VDSS)和导通电阻RDS(ON)。电流值和最大耗散功率值必须仔细观察,因
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-04
    • 文件大小:137216
    • 提供者:weixin_38550137
  1. 瑞萨电子高压MOS在进行产品开发时的注意要点

  2. 本文主要介绍瑞萨电子(又称:Renesas注1)高压MOS在客户电源等产品开发时的选型以及特性的说明,为客户的产品开发提供参考性的设计意见。   MOSFET以其电压控制、开关频率高、开关速度快等优点,广泛应用于电源等产品中。Renesas高压MOS涵盖漏源电压(VDSS)等级600V、800V、900V、1400V,具有极低的RDS(ON)和丰富的封装系列,应用十分广泛。   MOSFET重要的两个参数是漏源电压(VDSS)和导通电阻RDS(ON)。电流值和耗散功率值必须仔细观察,因为它们
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:167936
    • 提供者:weixin_38667403