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  1. 基础电子中的生荣电子:半导体器件损坏的特点和检测方法

  2. 半导体器件损坏的特点  二、三极管的损坏一般是PN结击穿或开路,其中以击穿短路居多。此外还有两种损坏表现:一是热稳定性变差,表现为开机时正常,工作一段时间后,发生软击穿;另一种是PN结的特性变差。(更多半导体相关的产品信息,请点击http://hyg.dzsc.com/model.asp)   半导体器件的检测方法  用万用表R×1k测,各PN结均正常,但上机后不能正常工作,如果用R×10或R×1低量程档测,就会发现其PN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量,较准确的方
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:32768
    • 提供者:weixin_38589168
  1. 生荣电子:半导体器件损坏的特点和检测方法

  2. 半导体器件损坏的特点  二、三极管的损坏一般是PN结击穿或开路,其中以击穿短路居多。此外还有两种损坏表现:一是热稳定性变差,表现为开机时正常,工作一段时间后,发生软击穿;另一种是PN结的特性变差。(更多半导体相关的产品信息,请点击https://hyg.dzsc.com/model.asp)   半导体器件的检测方法  用万用表R×1k测,各PN结均正常,但上机后不能正常工作,如果用R×10或R×1低量程档测,就会发现其PN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量,较准确的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
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