一般地,EEPROM存储器（如93C46/56/66系列）的擦写次数为10万次,超过这一极限时,该单元就无法再使用了。但在实际应用中，可能有些数据要反复改写。这时，可通过变址寻址的方式来突破EEPROM存储器的擦写寿命极限。

一般地,EEPROM存储器(如93C46/56/66系列)的擦写次数为10万次,超过这一极限时,该单元就无法再使用了。但在实际应用中，可能有些数据要反复改写。这时，可通过变址寻址的方式来突破EEPROM存储器的擦写寿命极限。　　我们有一个单字节的数据要保存在E2PROM(93C56)中，可按以下方法来做：　　1、将93C56的00H单元定义为地址指针存放单元。　　2、将要寻址的单元地址(假设为01H)放入93C56的00H地址中。　　3、每次要对E2PROM中的数据进行读写时，先读取00H中的数