用薄膜转移技术连接衬底和器件结构绝缘体上外延硅（SOI）是用埋层二氧化硅（buried oxide, BOX）分隔有源的顶层硅和下层的承载硅片的工程衬底的第一个例子。它能满足主流MOSFET的性能要求。已经有许多文献全面地论述了SOI增强部分耗尽器件和全耗尽器件的性能、减小器件的漏电流和功耗并适用于低压器件结构的能力。本文将综述集成电路产业需求驱动下衬底工程学方面的最新发展，并给出光电子、射频和高功率管理等其他领域的令人感兴趣的复合衬底的例子。Soitec公司的Smart Cut层转移技术使得有
