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搜索资源列表

  1. 质子与氘核之间核反应中电子发射的观察

  2. 已使用能量为260 keV的质子束和氘注入的石墨靶对质子-氘核的聚变反应进行了研究。 反应产物3 He通常通过γ射线发射而激发。 然而，由于石墨中的电子屏蔽，3 He可以代替γ射线发射具有5.6 MeV离散能量的电子。 这些电子是用ΔE–E技术识别的。 快速电子的发射表明，电子筛选使电子在反应过程中非常紧密地接近原子核。 还证实了低能和高能下核反应的不同行为。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-05
    • 文件大小：366592
    • 提供者：weixin_38689477

  1. 基础电子中的电子管阴极的加热方式及种类

  2. 电子管是靠热电子发射进行工作的，电子管中发射电子的电极称为阴极，是电子管的“心脏”部分。发烧友有必要了解阴极的主要性能及其特性。 　　一、直热式阴极与傍热式阴极 　　电子管加热的方式有直热式阴极和傍热式阴极两种。直热式阴极的电子管是设计用于电池供电的，灯丝即阴极，因此灯丝加热只适合采用直流供电，若采用交流供电，一般情况下会产生较大的交流声。 　　傍热式阴极与灯丝是分开的，阴极做成圆筒状。灯丝置于圆筒中心，利用灯丝发热的高温去烧烤阴极，使阴极达到足够的温度发射电子。傍热式阴极加热均匀效率高。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：53248
    • 提供者：weixin_38720653

  1. 真空绝缘子表面二次电子发射雪崩放电的二维模拟研究

  2. 真空绝缘子表面二次电子发射雪崩放电的二维模拟研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-19
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38705874

  1. 飞秒激光激发下金膜上热电子发射的超快动力学

  2. 为了模拟脉冲激光损伤和超快电子发射特性，非常需要用于研究超快加热的高保真数值模型。 然而，由于高的非平衡态（在该状态下平衡加热参数无效），实现对热动力学和热电子发射的准确预测仍然具有挑战性。 在这里，我们报告一个轴对称的二维（2-D）高保真数值模型，用于预测与温度相关的动力学参数有关的热电子发射。 证明了金膜靶材的时空温度演化动力学和热电子发射速率特征，其可靠性得到了金膜烧蚀阈值实验的认可。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：683008
    • 提供者：weixin_38607088

  1. 直接在催化不锈钢基底上生长的多壁碳纳米管薄膜的合成及场电子发射特性

  2. 直接在催化不锈钢基底上生长的多壁碳纳米管薄膜的合成及场电子发射特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-08
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38687277

  1. La2O3 / Si界面的原位电子发射光谱电子结构

  2. La2O3 / Si界面的原位电子发射光谱电子结构

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-06
    • 文件大小：736256
    • 提供者：weixin_38730331

  1. 表面传导电子发射体的数值模拟

  2. 表面传导电子发射体的数值模拟

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：561152
    • 提供者：weixin_38660918

  1. 一种改善表面传导电子发射器均匀性和电子发射效率的新结构

  2. 一种改善表面传导电子发射器均匀性和电子发射效率的新结构

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38587509

  1. 磁控React溅射制备富硅氧化硅薄膜的冷阴极电子发射特性

  2. 磁控React溅射制备富硅氧化硅薄膜的冷阴极电子发射特性

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-04
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38637998

  1. 场致发射显示器件专用模拟软件的设计

  2. 设计开发了场致发射显示器件专用模拟软件,该软件以MATLAB为平台,采用以有限元法为基础的FEM LAB软件对场致发射区域内的电场分布进行计算,自行编制了FED模拟软件从MATLAB中取出FEM LAB输出的数据,分析阴极表面场致电子发射状态,计算电子在空间的轨迹和在阳极的落点,将计算结果输出至MATLAB,以图形方式绘出电子轨迹和着屏光点。在计算电子轨迹时采用了动态内存分配方法和可变索引数据结构,提高了程序的通用性和移植性。该软件界面友好、使用方便,可对任意结构的FED进行计算,可在器件研制之

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-01
    • 文件大小：490496
    • 提供者：weixin_38667581

  1. 一种电子束自会聚型后栅场发射显示器的研究

  2. 提出一种具有凹面阴极结构的电子束自会聚型后栅场发射显示器(FED)。利用Ansys软件模拟此器件的电场分布和电子束轨迹，研究凹面阴极不同曲率半径对阳极光斑尺寸的影响，并与平面阴极型后栅FED进行比较。仿真结果表明此器件可有效减小电子束的发散角和阳极光斑尺寸，阳极光斑尺寸随着凹面阴极曲率半径的减小而减小，同时可获得更高的电流密度。利用丝网印刷技术制备10 cm×10 cm的电子束自会聚型后栅FED，对其场发射性能进行测试。结果表明此器件可有效减小阳极光斑尺寸，提高显示器的分辨率；阳极电压为600

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：weixin_38665449

  1. 类石墨薄膜的脉冲激光沉积及场致电子发射特性研究

  2. 以聚酰亚胺薄膜为靶子,用高电导硅作为衬底,KrF准分子激光器作为辐射光源,利用脉冲激光沉积技术制备出了类石墨薄膜,并以该薄膜为阴极对其进行了场致电子发射特性测试。当阴阳极之间产生放电即发生电形成过程之后,该薄膜的阈值电场从最初的16.9V/μm降到10.8V/μm。当电场为20V/μm时,薄膜场发射的电流密度达到了0.4mA/cm2,发射点密度达到10~3/cm2利用XPS,Raman光谱及扫描电子显微镜对该薄膜的微结构进行了测试分析。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-25
    • 文件大小：942080
    • 提供者：weixin_38686658

  1. 基于多孔Al2O3绝缘层的MIM电子源电子发射特性研究

  2. 基于多孔Al2O3绝缘层的MIM电子源电子发射特性研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-22
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38681646

  1. 乌鸦：一个自洽的零维模型，用于对尘埃等离子体中的EEPF进行理论预测，并考虑了尘埃的电子发射效应-源码

  2. 乌鸦：一个自洽的零维模型，用于对尘埃等离子体中的EEPF进行理论预测，并考虑了尘埃的电子发射效应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-16
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_42136826

  1. MAST-SEY：使用完全DFT输入的二次电子发射的Monte Carlo建模-源码

  2. MAST-SEY是开源的蒙特卡洛代码，能够使用完全从第一原理（密度泛函理论）计算中生成的输入数据来预测二次电子发射。 它利用复数介电函数和Penn理论进行非弹性散射过程，并采用相对论的Schrödinger理论通过部分波扩展方法来控制弹性散射。 它不仅允许使用与动量无关的（q = 0）介电函数，而且可以包括显式计算的动量依赖性，并且可以在二次电子生成中利用状态的第一原理密度。 有关更多详细信息，请参阅该代码随附的论文：Maciej P. Polak和Dane Morgan， MAST-SEY：用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-15
    • 文件大小：28311552
    • 提供者：weixin_42108948

  1. 非晶氮化硼薄膜的场致电子发射研究

  2. 利用脉冲激光沉积(PLD)技术在镀钛的陶瓷衬底上制备出了非晶态氮化硼薄膜,借助于X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及Raman光谱分析了该薄膜的结构,并研究了薄膜场致电子发射特性,阈值电场为4.6 V/μm,当电场为9 V/μm时,电流密度为50 μA/cm2.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38672962

  1. CuO纳米线的制备及电子发射性能的研究

  2. CuO纳米线的制备及电子发射性能的研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38614462

  1. 脉冲激光沉积非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜的场致电子发射研究

  2. 利用脉冲激光沉积技术制备出非晶碳-聚酰亚胺复合薄膜,并观察到其场发射阈值场强(4V/μm)比类金刚石薄膜(>12V/μm)有较大的降低,最大发射电流密度为1.2mA/cm～2.利用透明导电薄膜阳极技术可观察电子在薄膜阴极表面的发射位置.并对该复合薄膜的场电子发射机理进行了初步探讨.实验表明该复合薄膜有可能作为一种新型的场发射冷阴极材料.在平面显示器件中得到应用.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38702726

  1. 多脉冲飞秒激光烧蚀金属箔的热电子发射数值分析

  2. 通过双温模型(TTM)结合Richardson-Dushman方程对多脉冲飞秒激光烧蚀铜箔的热电子发射以及温度场进行了数值模拟。在模拟的过程中充分考虑了随着飞秒激光脉冲个数的改变，铜箔对飞秒激光的反射率、表面吸收率和表面吸收系数的变化等因素，部分改写了飞秒激光光源项，从而实现了多脉冲飞秒激光烧蚀铜箔的热电子发射和温度场的动态数值模拟。数值模拟发现，随着脉冲个数的增加和脉冲间隔的减小，铜箔表面的反射率和表面吸收系数将明显减小，表面吸收率将明显增大，这一变化对铜箔的电子发射以及多脉冲飞秒激光照射下铜

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-09
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38664532

  1. 被激光感应的钨电子发射的本征能量

  2. 这篇通讯涉及到覌察用Q突变的魟宝石光激射器照射钨所发射电子的高本征能量。在这一实验中，钨制成高真空二极管的阴极，二极管具有的考瓦(Kovar)圆柱体形的阳极和平顶窗。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：978944
    • 提供者：weixin_38689223
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