相关资料： 一种低电压低静态电流LDO的电路设计（一）     　　2 电路设计与实现 　　本文所提的低电压、低静态电流的精简结构的LDO如图2所示。LDO的输出级是一个A类共源级电路，包括PMOS功率管M1,三极管Q1、Q2,电阻R1,R2,R3,Resr和输出负载补偿电容C1.功率管M1有非常大的宽长比来驱动比较大的负载电流。因此M1的沟长选取最小的值，达到尽可能小的寄身电容和尺寸面积。为了获取好的暂态输出特性以及环路稳定，输出补偿电容取5 μF.带隙基准电路包括三极管Q1,Q2,

摘要：设计一种低电压低静态电流的线性差稳压器。传统结构的LDO具有独立的带隙基准电压源和误差放大器，在提出一种创新结构的LDO,把带隙基准电压源和误差放大器合二为一，因而实现了低静态电流消耗的目的。设计采用CSMC0.5 μm 双阱CMOS工艺进行仿真模拟，这种结构LDO在轻负载情况下静态电流仅为1.7 μA,输出暂态电压最大变化为9 mV. 　　随着过去几十年里掌上智能终端快速发展，低压差的线性稳压器（Low Drop-out Regulator,LDO）因其具有低功耗、高的电源抑制比、体积