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  1. 电源技术中的分析变流器核心器件MOSFET与IGB性能

  2. 有关变流器的核心器件-MOSFET和IGBT。MOSFET和IGBT是当前变流器中应用最广泛,最重要的两类核心器件。MOSFET主要应用在低压和中压(中小功率),IGBT主要应用在高压和中压(大功率)领域。   首先来说MOSFET,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PM
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-22
    • 文件大小:199680
    • 提供者:weixin_38746918