安森美半导体（Onsemi）宣布，进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管（BJT）产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封装。这些备有多种封装选择的新器件采用先进硅技术，与传统BJT或者平板MOSFET相比，其电源效率更佳，电池寿命更长。这些新器件是各种便携式应用的理想选择。 　　安森美半导体分立产品部总经理Mamoon Rashid说：“安森美半导体将持续拓展便携式产品系列，从而使设计更灵活，并实现最佳的节能。我们的BJT在

全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体（ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号：ONNN）宣布，进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管（BJT）产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-563和ChipFET的封装。这些备有多种封装选择的新器件采用先进硅技术，与传统BJT或者平板MOSFET相比，其电源效率更佳，电池寿命更长。这些新器件是各种便携式应用的理想选择。         安森美半导体分立产品部总经理Mamoon Rashi