随着功率电子和半导体技术的快速进步，各类电力电子应用都开始要求用专门、专业的半导体开关器件，以实现成本和性能的共赢。与传统的非穿通（NPT） IGBT相比，场截止（FS） IGBT进一步降低了饱和压降和开关损耗。此外，通过运用阳极短路（SA）技术在IGBT裸片上集成反向并联二极管这项相对较新的技术，使得FS IGBT非常适合软开关功率转换类应用。 　　场截止阳极短路沟道IGBT与NPT IGBT的对比 　　虽然NPT（非穿通）IGBT通过减少关断过渡期间少数载流子注入量并提高复合率而提高了开