O 引言     随着半导体生产制造工艺的不断改进，器件模拟和工艺模拟的精度与实际工艺流程的吻合性将越来越好，使产品的模拟结果更具有实用性、可靠性。随着现代工艺水平的提高与新技术的开发完善，功率VDMOSFET设计研制朝着高压、高频、大电流方向发展，成为目前新型电力电子器件研究的重点。     本文设计了漏源击穿电压为500 V，通态电流为8 A，导通电阻小于O.85 Ω的功率VDMOSFET器件，并通过工艺仿真软件TSUPREM-4和器件仿真软件MEDICI进行联合优化仿真，得到具有一定设计余