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  1. 相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法

  2. BM苏黎世研究中心的科学家们日前表示,已经发现能够可靠地在相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法。该小组采用90nm工艺技术,在200k单元阵列中实现了每存储单元为四层(2位元),并表示已开发出一种编码方法,能克服材料随时间松弛的特性。该mushroom type存储器单元带有掺杂的Ge2Sb2Te5以作为相变材料。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-20
    • 文件大小:65536
    • 提供者:weixin_38564718
  1. 嵌入式系统/ARM技术中的相变存储器的高可靠性多值存储设计与实现

  2. 引言   相变存储器(phase change memory),简称PCM,利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。   初次听到"相变"这个词,很多读者朋友会感到比较陌生。其实,相(phase)是物理化学上的一个概念,它指的是物体的化学性质完全相同,但是物理性质发生变化的不同状态。例如水有三种不同的状态,水蒸气(汽相),液态水(液相)以及固态水(固相)。物质从一种相变成另外一种相的过程叫做‘相变’例如水从液态转化为固态。在很多物质中相变不是大家想象的只有气,液,固,三相那么简
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-23
    • 文件大小:313344
    • 提供者:weixin_38545517
  1. 电源技术中的一种相变存储器的驱动电路设计

  2. 引言   相变存储器(PC2RAM)是一种新型半导体存储器,在研发下一代高性能不挥发存储技术的激烈竞争中,PC2RAM在读写速度、读写次数、数据保持时间、单元面积、功耗等方面的诸多优势显示了极大的竞争力,得到了较快的发展。相变存储器是利用加工到纳米尺寸的相变材料在晶态与非晶态时不同的电阻状态来实现数据存储。读、写操作是通过施加电压或电流脉冲信号在相变存储单元上进行的。相变存储单元对驱动电路产生的驱动电压或电流十分敏感,因此,设计一个性能优良的驱动电路成为实现芯片功能的关键。本文介绍了一种新型的
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-23
    • 文件大小:305152
    • 提供者:weixin_38633157
  1. 嵌入式系统/ARM技术中的浅谈相变存储器--非易失性计算机存储器技术

  2. 相变存储器(phase change memory),简称PCM,利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。初次听到"相变"这个词,很多读者朋友会感到比较陌生。其实,相(phase)是物理化学上的一个概念,它指的是物体的化学性质完全相同,但是物理性质发生变化的不同状态。例如水有三种不同的状态,水蒸气(汽相),液态水(液相)以及固态水(固相)。物质从一种相变成另外一种相的过程叫做‘相变’例如水从液态转化为固态。在很多物质中相变不是大家想象的只有气,液,固,三相那么简单。例如我们这里
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-22
    • 文件大小:198656
    • 提供者:weixin_38509656
  1. 嵌入式系统/ARM技术中的Velocity LP NV-RAM 为相变存储器提供无缝架构途径

  2. 恒忆推出 Velocity LPTM NV-RAM 产品系列,此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率 (LPDDR) 非挥发性存储器,不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能,而且比目前其他解决方案价格更低。这些装置在提供高动态随机存储器(DRAM)内容平台低成本解决方案的同时,还可达到比传统NOR Flash存储器快两到三倍读取频宽的性能。恒忆 Velocity LP NV-RAM 系列的推出为该公司未来相变存储器 (PCM) 产品提供了无缝的绝佳架构途径。   相变存储器(P
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:82944
    • 提供者:weixin_38562492
  1. 一种相变存储器的驱动电路设计[图]

  2. 本文介绍了一种新型的、结构简单的相变存储器驱动电路设计,该电路采用电流驱动方式,主要包括基准电压电路、偏置电流电路、电流镜电路及控制电路。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:252928
    • 提供者:weixin_38732343
  1. 一种相变存储器的驱动电路设计

  2. 本文介绍了一种新型的、结构简单的相变存储器驱动电路设计,该电路采用电流驱动方式,主要包括基准电压电路、偏置电流电路、电流镜电路及控制电路。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:310272
    • 提供者:weixin_38628183
  1. 相变存储器(PCM)技术基础

  2. 相变存储器(PCM)是一种非易失存储设备,它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在,这些状态都称为相。相变存储器便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。本文将介绍相变存储器的基本技术与功能。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:145408
    • 提供者:weixin_38624519
  1. 实现全新存储器使用模型的新型存储器--相变存储器

  2. 从下面的几个重要特性看,相变存储器(PCM)技术均符合当前电子系统对存储器子系统的需求。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-19
    • 文件大小:681984
    • 提供者:weixin_38672815
  1. 相变存储器(PCM)与存储器技术的比较

  2. 相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术。透过比较PCM与现有的SLC和MLC NAND快闪存储器以及硬碟驱动器(HDD) 和固态硬碟(SSD)等系统解决方案,*估PCM的相对成本、效能和可靠度,可以了解PCM适用于哪里些应用领域,以及这项新技术的潜在价值。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-19
    • 文件大小:161792
    • 提供者:weixin_38514322
  1. 相变存储器的高可靠性多值存储设计

  2. 基于相变存储器(PCM) 已有的2T2R 结构,提出一种以比值为导向的状态定义方法,以实现2T2R 结构下PCM 的多值存储。它在相变电阻具有4 态可编写的能力下,可以实现单元内8 态存储,同时对小尺寸验证,而对PCM 存储电路的优化将使得PCM 更具竞争力。同样基于这种以比值为导向的状态定义,一种软硬件相结合的新型纠错码方法使得对全部数据位的错误监测成为可能。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-24
    • 文件大小:286720
    • 提供者:weixin_38722588
  1. 相变存储器(PCM)技术基础

  2. 相变存储器技术基础   相变存储器(PCM)是一种非易失存储设备,它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在,这些状态都称为相。相变存储器便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。本文将介绍相变存储器的基本技术与功能。   发展历史与背景   二十世纪五十年代至六十年代,Dr. Stanford Ovshinsky开始研究无定形物质的性质。无定形物质是一类没有表现出确定、有序的结晶结构的物质。1968年,他发现某些玻璃在变相时
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-09
    • 文件大小:129024
    • 提供者:weixin_38548717
  1. 恒忆(NUMONYX)推出新系列相变存储器

  2. Numonyx Omneo 相变存储器大幅提升写入性能和耐写次数   嵌入式应用系统的最佳选择   日前,恒忆(Numonyx)宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术,具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性,适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产,并向市场供货。   这种新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的优点于一身,一颗存储器芯片即可实现很多新功能。今天,新产品发布采用了新品牌
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-07
    • 文件大小:81920
    • 提供者:weixin_38675232
  1. 恒忆推出新相变存储器大幅提升写入性能和耐写次数

  2. 恒忆(Numonyx)作为相变存储技术(PCM)的创新者,宣布正式推出全新系列相变存储器。该系列产品采用被称为相变存储(PCM)的新一代存储技术,具有更高的写入性能、耐写次数和设计简易性,适用于固线和无线通信设备、消费电子、PC和其他嵌入式应用设备。目前该产品已经量产,并向市场供货。   这种新的嵌入式存储器融闪存、RAM和EEPROM三大存储器的优点于一身,一颗存储器芯片即可实现很多新功能。今天,新产品发布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM,其写入速度有望达到现有闪存的300倍,
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-07
    • 文件大小:101376
    • 提供者:weixin_38628429
  1. 基于陷阱到带跃迁机制的相变存储器的卵巢阈值切换效应的物理模型

  2. 基于陷阱到带跃迁机制的相变存储器的卵巢阈值切换效应的物理模型
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-26
    • 文件大小:398336
    • 提供者:weixin_38605133
  1. 基于硫族化物基相变存储器的带内和陷带跳变机制相结合的三维卵巢阈值切换模型

  2. 基于硫族化物基相变存储器的带内和陷带跳变机制相结合的三维卵巢阈值切换模型
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-26
    • 文件大小:470016
    • 提供者:weixin_38608055
  1. SoftPCM:通过近似写入提高视频应用中相变存储器的能效和寿命

  2. 诸如视频编解码器之类的现代视频应用程序占用大量内存。 作为一种新兴的非易失性存储技术,相变存储器(PCM)的高密度,低泄漏功率和出色的可扩展性将使视频应用受益。 但是,PCM消耗大量写入能量,并且只能维持有限的写入次数。 因此,有必要减少用于视频应用的PCM的写入次数。 在本文中,我们提出了软PCM来提高PCM的能效和使用寿命。 Soft PCM利用视频应用程序的容错特性来放宽写入操作的准确性。 实验结果表明,软PCM可以减少22%的写入,从而提高PCM的能效和使用寿命,而视频质量却略有下降。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-17
    • 文件大小:172032
    • 提供者:weixin_38560502
  1. RSAK:针对视频应用中相变存储器的随机流攻击

  2. 作为一种新兴的非易失性存储技术,相变存储器(PCM)有望替代DRAM等传统存储器。 尽管PCM具有非易失性,高密度,低待机功耗以及对软错误的恢复能力,但其写入寿命或使用寿命有限,这意味着每个PCM单元只能被覆盖有限的次数。 更重要的是,有限的生存期可能会为恶意攻击者提供机会,有意加剧向PCM的写入流量。 在本文中,从攻击者的角度出发,我们针对视频应用中使用的相变存储器提出了随机流攻击(RSAK)方法。 实验结果表明,与自然视频序列相比,RSAK会导致更高的总写流量或更坏的生存期。 RSAK还提示
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-17
    • 文件大小:523264
    • 提供者:weixin_38648309
  1. 结合了纳米结构和纳米层的相变存储器中焦耳加热的局部化,以减少复位电流

  2. 在本文中,我们深入研究了拟议的具有纳米结构和高电阻纳米层(nano-L)的纳米接触相变存储器(nano-C PCM),以减少复位电流。 通过将N掺杂到传统的Ge2Sb2Te5相变材料中,可以调节高电阻率。 基于有限元方法的分析表明,纳米C PCM中的电流密度可以局部提高到传统和纳米L PCM器件的两倍。 这导致在纳米C PCM中进行焦耳加热的局部化,使其在三种编程器件中以相同的编程电流具有最高的温度。 纳米C PCM的复位电流可以有效地降低到传统的8.2%,这是因为它具有高效的非晶化加热功能。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-17
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38699830
  1. 基于随机成核和生长方法的相变存储器的三维数值仿真器

  2. 基于随机成核和生长方法的相变存储器的三维数值仿真器
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-03-17
    • 文件大小:742400
    • 提供者:weixin_38684892
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