相变材料（PCM）在数据存储，光交换和可调谐光子设备的应用中具有巨大的潜力。 然而，高速加热整个相变材料提出了关键挑战。 在这里，我们首次模拟了相变材料（Ge2Sb2Te5）在超材料完美吸收体（MMPA）中的掺入，并表明非晶态Ge2Sb2Te5的温度可以从室温升高到> 900K（Ge2Sb2Te5的熔点） ）在短短的几纳秒内就具有150 W / m（2）的低光强度，这归因于吸收器中强等离子体共振增强了光吸收。 我们的结构由一层薄的金（Au）正方形阵列组成，该阵列通过Ge2Sb2Te5层与连