微电子技术的瓶颈和信息技术发展的需求加速了光电子学在硅基材料上实现光信息处理、光电子集成的研究，利用硅基材料制造出高质量的发光器件对光电子学以至整个信息技术均具有重要意义。由于受间接带隙能带结构的限制，天然硅材料具有很低的发光效率，不利于硅光源的实现。通过采用人工改性的方法提高硅的发光效率，多孔硅、硅纳米晶体、掺Er3+硅纳米晶和硅的受激拉曼散射均是目前可实现硅发光甚至硅激光的可行途径。回顾硅发光研究的历史进程，归纳总结了近年来可实现硅发光几种方法的原理、特点以及当前的研究进展。相信随着硅发光效

未来高性能处理器中，海量数据的传输是提升处理能力的瓶颈，最为可能的技术途径是基于硅衬底实现电子与光子器件融合的光电集成回路。目前，硅基器件已经能够实现光子的调控、传输和探测，唯有硅光源研究进展缓慢，效率仍然很低(10-5~10-2)。

宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体材料。与目前绝大多数的半导体材料相比，GaN 具有独特的优势：禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高，使其成为令人瞩目的新型半导体材料之一。目前，GaN 基发光器件的研究已取得了很大进展[1~ 3] ，在国外工作于绿光到紫光可见光区内的GaN LED 早已实现了商业化[2]；国内多家单位成功