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搜索资源 - 磁显微镜观察掺杂钴强相关电子材料的磁畴和相变
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磁显微镜观察掺杂钴强相关电子材料的磁畴和相变
通过脉冲激光沉积研究了ZnO与LaAlO.3(100)衬底上外延生长的LaO 4Gd0 1Sr0 5CoO3(LGSCO)薄膜之间的结磁阻和畴相变。 在Tc127 K以下显示出铁磁转变为相分离(两相)状态,并观察到掺杂的钙钛矿型La0 4Gd0 1Sr0 5CoO3中的晶格不连续变化。 引入Ginzburg-Landau相场来推导LGSCO薄膜中的反铁电畴结构。 基于畴结构,薄膜的相界在很大程度上取决于机电耦合的组合。 在Tc 127–128 K以下,相转变为相分离状态,这表明晶格常数在转变时不
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-08
文件大小:401408
提供者:
weixin_38649091