研究了Ge:SiO2光敏缺陷的特性,分别在488 nm Ar离子激光与193 nm ArF准分子激光作用下,由紫外吸收带、激光荧光的测量实验及电子自旋共振实验,发现光纤中5.1 eV锗缺陷吸收带实际上是由5.06 eV可光致漂白带与5.17 eV不可漂白带组成;295 nm的激发荧光与5.06 eV的缺氧锗缺陷对应,随5.06 eV缺陷吸收带的漂白而衰减;而395 nm的激发荧光与5.17 eV的缺陷有关,随紫外光作用荧光强度保持为常数;提出了这两种缺陷的结构模型,讨论了吸收带漂白与曝光剂量的关