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  1. ch1-10绝缘栅.ppt FET

  2. ch1-10绝缘栅.ppt ch1-10绝缘栅.ppt

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-10-30
    • 文件大小：329728
    • 提供者：happy1231

  1. 绝缘栅双极型功率管(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor)

  2. 　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型功率管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-04-06
    • 文件大小：40960
    • 提供者：chming2004

  1. Buck电源中绝缘栅场效应管的驱动方法.pdf

  2. Buck电源中绝缘栅场效应管的驱动方法pdf,Buck电源中绝缘栅场效应管的驱动方法mp whf VEE %hi laen OUT 变压宣按动 图5所示这种直接驱动方法的突出优点是成本最低,但由于变压器只能传递交流 信号,因此输出的正负脉冲幅值随占空比而变,只适用于占空比在0.5左右、而 且变化不大的情况。同时由于变压器的负载是M0S管的输入电容,驱动脉冲的 前后沿一般不会很理想。 有源变压器驱动 REn OUT 原大 笔动 压龄外加 用变压器传送管号,次级另加隔离电源和放大电路,如图6所示。因

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：621568
    • 提供者：weixin_38744207

  1. 关于使用P-ChannelMOSFET-P沟道绝缘栅型场效应管作为电源开关的控制电路说明

  2. 关于使用P-ChannelMOSFET-P沟道绝缘栅型场效应管作为电源开关的控制电路说明

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-07-16
    • 文件大小：248832
    • 提供者：power2008man

  1. 绝缘栅双极晶体管在大功率固态调制器中的应用研究

  2. 绝缘栅双极晶体管在大功率固态调制器中的应用研究.nh 注意格式是用cajview打开的

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-11-03
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：lijshu

  1. 绝缘栅型场效应管之图解1

  2. 绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于1000000000Ω。图解1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：34816
    • 提供者：weixin_38506182

  1. 图解绝缘栅型场效应管

  2. 本文图文结合的解析了绝缘栅型场效应管的工作原理，希望对你的学习有所帮助。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：46080
    • 提供者：weixin_38674115

  1. 数字万用表测绝缘栅场效应管好坏方法

  2. 本文主要讲了数字万用表测绝缘栅场效应管好坏方法，下面一起学习

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：35840
    • 提供者：weixin_38625164

  1. 绝缘栅场效应管(IGFET) 的基本知识

  2. 绝缘栅场效应管(IGFET) 的基本知识 1.增强型NMOS管 s：Source 源极，d：Drain 漏极，g：Gate 栅极，B：Base 衬底，在P型衬底扩散上2个N 区，P型表面加SiO2绝缘层，在N 区加铝线引出电极。 2.增强型PMOS管 在N型衬底上扩散上2个P 区，P型表面加SiO2绝缘层，在二个P 区加铝线引出电极。PMOS与NMOS管的工作原理完全相同，只是电流和电压方向不同。 3.增强型NMOS管的工作原理 正常工作时外加电源电压的配置： (1)VGS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：281600
    • 提供者：weixin_38715094

  1. 绝缘栅双极型晶体管的基础知识及应用

  2. 本文详细介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作原理及一般应用.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-02
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38682242

  1. 绝缘栅场效应管的检测

  2. 本文简单介绍了绝缘栅场效应管的检测方法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-18
    • 文件大小：39936
    • 提供者：weixin_38593738

  1. 绝缘栅型场效应管的简单介绍

  2. 绝缘栅型场效应管的栅极与源极、栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。又因栅极为金属铝，故又称为MOS管。金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-26
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38680492

  1. 绝缘栅型场效应管-半导体基础知识

  2. 绝缘栅型场效应管-半导体基础知识。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-26
    • 文件大小：189440
    • 提供者：weixin_38690017

  1. 元器件应用中的图解绝缘栅型场效应管

  2. 本文图文结合的解析了绝缘栅型场效应管的工作原理，希望对你的学习有所帮助。 　　增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD。 　　耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。 　　1、结构和符号(以N沟道增强型为例) 　　在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。 　　其他MOS管符号

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：240640
    • 提供者：weixin_38633967

  1. 基础电子中的绝缘栅双极型晶体管的可靠性能解析

  2. 导读：近年来，开关电源已被越来越多的用户所采用，作为开关电源用的大功率开关器件IGBT以其独特的良特性，在各种电力电子装置中得到了广泛应用。而了解IGBT的可靠性能、检测及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。下面本文就对此进行了一一解析。 　　一、IGBT的简单介绍 　　绝缘栅双极型晶体管（简称“IGBT”）是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：75776
    • 提供者：weixin_38625559

  1. 绝缘栅双极型晶体管的基础知识及应用

  2. 本文详细介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作原理及一般应用.

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：248832
    • 提供者：weixin_38627769

  1. 基础电子中的绝缘栅型场效应管

  2. 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109W功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 　　场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：36864
    • 提供者：weixin_38706294

  1. 元器件应用中的绝缘栅型场效应管（MOS管）

  2. 1.绝缘栅型场效应管的结构　　绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于，它的栅极是从SiO2上引出的，栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此，绝缘栅型场效应管的输入电阻极高，可这1x1012Ω以上，而输入电流几乎为零。　　绝缘栅型场效应管和结型场效应管一样，有N沟道和P沟道两种类型，每种类型又分为增强型和耗尽型两种。图中(a)为增强型，(b)为耗尽型。这两种类型的结构都是在P型材料的基层上扩散两个高掺杂的N区，引出的电极即为源极和漏极。当UGs=O时，漏源极已存在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：185344
    • 提供者：weixin_38515573

  1. 元器件应用中的小信号用片状绝缘栅场效应管主要性参数（SOT-23式封装）

  2. 与双极型半导体三极管相比，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大以及交叉调制失真小等特点。片状场效应管也同样具有上述特点。片状场效应管又分为片状结场效应管和片状绝缘栅场效应管两类。片状绝缘栅场效应管最大的特点是具有优良的开关特性。其导通电阻仅为几十毫欧姆，因此它的应用较为广泛。    表给出了小信号用片状绝缘栅场效应管的主要特性参数。                                                  表：小信号用片状绝缘栅场效应管主要性参数(SOT-23式封装

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：95232
    • 提供者：weixin_38535132

  1. 元器件应用中的ST推出一系列新型的绝缘栅双极晶体管STGxL6NC60D

  2. 近日，意法半导体（ST）推出一系列创新的绝缘栅双极晶体管（IGBT），新系列产品采用高效的寿命控制工艺，有效降低关断期间的能耗。如果设计工程师采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH），用于工作频率超过20kHz的照明镇流器等节能型电路内，应用的整体功率可望提高到一个新的水平，远胜标准技术的MOSFET。 　　开关性能的改进容许设计工程师把IGBT用于以硬开关拓扑和谐振电路为特点的高度竞争力产品。新产品关断能耗降低，使用很小的缓冲电容器即可在低结温下工

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：44032
    • 提供者：weixin_38636655
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