【目的】探究脉冲激光沉积法(PLD)制备InGaN 薄膜时薄膜的厚度分布规律，以便于能够改善薄膜的均匀性。【方法】在实际情况中，靶材和基片并不平行，取任一无限小面积元近似作为平行靶材时的情况来分析，研究此处各项等效参数即可得到该处的膜厚。【结果】当靶材与基片的倾斜角为0°时，靶材激光照射点处的法线与基片相交处的膜厚度最大，以该点为中心，基片两侧膜厚呈对称分布，且越远离基片中心点，膜的厚度越小；当靶材与基片的倾斜角不为0°时，基片左右两侧膜厚不对称分布，靠近靶材一侧的薄膜厚度大于远离靶材一侧的薄膜