利用理论模型求得了脉冲激光辐照半导体薄膜材料的温度场解析解。结合KrF准分子脉冲激光对淀积在熔凝石英衬底上的a-SiH薄膜以及a-Si:H/a-SiNx:H多量子阱结构材料的热退火处理,分析了膜厚、激光能量密度以及a-Si:H/a-SiNx:H多量子阱结构材料中的子层厚度比对温度场性质及a-Si:H薄膜的晶化效果的影响。