刻蚀多层InAs / GaAs量子点（QD）激光结构以去除p侧AlGaAs覆层，以研究随温度变化的光致发光（PL）特性。 通过分子束外延（MBE）和生长后退火Craft.io制备了四个QD样品，包括未掺杂的生长QD，p掺杂的生长QD，未掺杂的退火QD和p掺杂的退火QD，以进行比较。 其中，与未掺杂样品相比，调制p掺杂QD样品显示的PL光谱的温度依赖性小得多，并且对混合的不敏感性显着。 这归因于调制p掺杂的影响，它可以抑制空穴在紧密间隔的能级上的热加宽，并显着抑制QD及其周围矩阵之间的In / G