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  1. 开关功率MOS扫盲篇.pdf

  2. N沟进,P沟出 我的理解是N沟道 是电压从D沟进去,从S出来。  P沟道 是电压从S沟进去,从D出来, 开关功率MOS扫盲篇 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等, 也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。 下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性, 驱动以及应用电路。
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2010-03-26
    • 文件大小:76800
    • 提供者:mieningtsai
  1. CD4000系列CMOS数字集成电路芯片资料

  2. CD4000系列CMOS数字集成电路芯片资料,CD4001BM/CD4001BC Quad 2-Input NOR Buffered B Series Gate CD4011BM/CD4011BC Quad 2-Input NAND Buffered B Series Gate General Descr iption These quad gates are monolithic complementary MOS (CMOS) integrated circuits constructed
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2010-06-13
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:DYYDYYDYYAIR
  1. 场效应管参数

  2. 4000种场效应管参数,不可多得的资料288 2SJ376 新电元 HS SW MOS P E -60 DSS -30 50 4-304 289 2SJ377 东芝 HS SW, DDC MOS P E -60 DSS -5 20 4-257 290 2SJ378 东芝 HS SW, DDC MOS P E -60 DSS -5 1.2 4-387 291 2SJ379 东芝 HS SW, DDC MOS P E -100 DSS -8 15 4-342 292 2SJ380 东芝 HS SW
  3. 所属分类:数据库

    • 发布日期:2011-09-25
    • 文件大小:879616
    • 提供者:a1239114
  1. 希捷硬盘最容易损坏元件的 资料P-MOS

  2. 希捷硬盘最容易损坏元件的 资料P-MOS
  3. 所属分类:专业指导

  1. SPIS_Programming_Guide_V1.0.pdf

  2. 核心板资料,详细地描述了一款名字叫做MT7688的核心板的使用方法等待,就是MT76788的datasheetMediaTek mt7688 SPI Slave MEDIATEK Labs② Programming guide Table of contents 1. SPIS 1.1.O 1 1.2, Protocol 13. Programming sequence,…… 1.4. Protocol Timing……… 1.5. Interrupt 8 1.6. Operation Regi
  3. 所属分类:MySQL

    • 发布日期:2019-07-16
    • 文件大小:562176
    • 提供者:suofen9703
  1. 一份资料看懂集成电路布局版图注意事项.rar

  2. 共质心版图是单步减小大范围应力诱发失配最有效的技术。下图中的ABAB结构两个器件的质心没有完全对准,应避免使用。ABBA结构虽然需要加Dummy器件,但其可以很好的减小应力诱发失配的影响。   当很多多晶电阻并排摆放时,在阵列边缘的电阻条会受到刻蚀速率变化的影响,电阻朝外的侧壁会很快刻蚀玩,朝内的边刻蚀速率很慢,中间的电阻没有向外的边缘,因此最终宽度会比其他电阻稍大。Dummy resistor添加到匹配电阻阵列的两端,以保证刻蚀的一致性。Dummy resistor的宽度可以比它们所保护的电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-07-23
    • 文件大小:868352
    • 提供者:weixin_39840387
  1. COMS模拟集成电路的一些学习资料.pdf

  2. COMS模拟集成电路的一些学习资料pdf,MOS管有N沟和P 沟之分,每一类分为增强型和耗尽型,增强型MOS管在栅- 源电压vGS=0时,漏- 源极之间没有导电沟道存在,即使加上电压 vDS,也没有漏极电流产生。而耗尽型MOS 管在vGS=0 时,漏- 源极间就有导电沟道存在。 MOS 管的源极和衬底通常是接在一起的。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-13
    • 文件大小:406528
    • 提供者:weixin_38743602
  1. 东南大学信息学院 模拟电路 期中试卷 2013年期中

  2. 东南大学信息学院 模拟电路 期中试卷 答案 考研复试529 真题资料在如图所示电路中,晶体管的β=150,V=-100V, VBom=0.7V,试求o,VcEQ’并画出该电路的小信号 等效电路,求输入电阻R,输出电阻R。,电压增益A,。 设各电容对交流呈短路。 -vCc(15V) RBi R boko 6.6k T R R R +B2 13.2k 15k 100g R 七2 C 2.2k E Ri R 在如图所示P沟道 EMOSFET电路中,已知kCW(2)=05mAy2 VGs-V,设VA=
  3. 所属分类:电信

    • 发布日期:2019-10-19
    • 文件大小:671744
    • 提供者:deanrossi
  1. 线损补偿车载充电IC CX8822

  2. CX8822是一款输入耐压可达33V,并且能够实现精确恒压以及恒流的降压型DC-DC转换器 CX8822内置50mΩ High-side PMOS以及30mΩ Low-side NMOS,可支持3A持续输出电流 CX8822具备高性能的负载响应以及输入电压响应能力,同时精确的恒压和恒流控制环路实现极小的负载调整率和线性调整率 CX8822无需外部补偿,可以依靠自身内置稳定环路实现恒流以及恒压控制,同时具备线缆压降补偿功能 CX8822是一款应用极简,性能卓越,稳定可靠的恒压恒流降压型DC-DC转
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-19
    • 文件大小:899072
    • 提供者:lycg66
  1. CX8812.pdf

  2. CX8812是一款输入耐压可达30V,并且能够实现精确恒压以及恒流的降压型DC-DC转换器 CX8812内置65mΩ Power MOS,可支持2.5A持续输出电流 CX8812具备高性能的负载响应以及输入电压响应能力,同时精确的恒压和恒流控制环路实现极小的负载调整率和线性调整率,±3%的恒流精度优于市面上绝大多数同类产品 CX8812无需外部补偿,可以依靠自身内置稳定环路实现恒流以及恒压控制,同时具备线缆压降补偿功能 CX8812是一款应用极简,性能卓越,稳定可靠的恒压恒流降压型DC-DC转换
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-19
    • 文件大小:763904
    • 提供者:lycg66
  1. 6ra23中文说明书.pdf

  2. 6ra23中文说明书pdf,6ra23中文说明书重要信息 本操作手册包含关于使用4.00版软件的变流器的操作方式方面的信息。尽 管本手册基本上也适用于所有以往的软件版本,但在一些特定情况下,本手 册中一些专用的参数代码和故障代码的定义是以往软件版夲中所没有的,或 与他们不同。 本手册并未覆盖所有设备的细节和型号或每一种能考虑到的关于设备安装 使用、维护的情况。若需要进一步详尽的资料或发生了特殊的问题,而这些 在手册中又无充分的处理细节说明,请与当地的西门子公司代表处联系 注意 本手册的内容未改变
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-10-15
    • 文件大小:7340032
    • 提供者:weixin_38744270
  1. 数据安全应用方案简介-CH567DS1.PDF

  2. 数据安全应用方案简介-CH567DS1.PDFCH567数据手册 LED0:LED串行数据线0。 CMD1:SD1控制器命令信号线。 A0:并口地址0。 V33101 V3301 外设1组的3.3V电源,需外接0.1uF电容。 PB7:通用双向数字|/0引脚 PB7 PB7 TXD0:UART0串行数据输出 /TXDO/SD33/D7 SD33:SD3控制器数据线3。 D7:并口数据线7。 PB6:通用双向数字|/0引脚。 PB6 RTS:UART0的M0DEM输出信号,请求发送。 PB6 1/
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-03
    • 文件大小:2097152
    • 提供者:weixin_38744270
  1. 立创EDA原理图库与PCB库创建规范.pdf-立创EDA原理图库与PCB库创建规范_2019-08-06.pdf

  2. 立创EDA原理图库与PCB库创建规范.pdf-立创EDA原理图库与PCB库创建规范_2019-08-06.pdf通用二极管 Diode 稳压(齐纳)二极管 ZD? Zener diode 发光二极管 LED? Light-Emitting diode 三极管 Q? 常用编号 整流桥 DB? Diode brige MOS管 用U?是为了和Q?区分开 芯片 常用编号 有源晶振 OSC? Oscillator 无源晶振 X? External Crystal oscillator 保险丝 Fusc
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-03
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38743737
  1. 立创EDA原理图库与PCB库创建规范.pdf-立创EDA原理图库与PCB库创建规范_2019-08-12.pdf

  2. 立创EDA原理图库与PCB库创建规范.pdf-立创EDA原理图库与PCB库创建规范_2019-08-12.pdf通用二极管 Diode 稳压(齐纲)二极管 ZD? Zener diode 发光二极管 LED? Light-Emitting diode 三极管 Q? 常用编号 整流桥 DB? Diode brige MOS管 用U?是为了和Q?区分开 片 常用编号 有源晶振 Oscillator 无源晶振 X External crystal oscillator 保险丝 FusC 开关 Swit
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-03
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38743506
  1. 立创EDA原理图库与PCB库创建规范.pdf-立创EDA原理图库与PCB库创建规范_2019-08-21.pdf

  2. 立创EDA原理图库与PCB库创建规范.pdf-立创EDA原理图库与PCB库创建规范_2019-08-21.pdf通用二极管 Diode 稳压(齐纳)二极管 ZD? Zener diode 发光二极管 LED? Light-Emitting diode 三极管 Q? 常用编号 整流桥 DB? Diode brige MOS管 用U?是为了和Q?区分开 芯片 常用编号 有源晶振 OSC? Oscillator 无源晶振 X? External Crystal oscillator 保险丝 Fusc
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-03
    • 文件大小:1048576
    • 提供者:weixin_38743481
  1. TM1680_V1.3.pdf

  2. TM1680官方用户手册,用于MCU和TM1680之间的IIC协议搭建。该pdf文件详细的介绍了TM1680这款芯片的工业用途,提供软件demo,硬件demo一系列详细的说明。●T|TANM|cRo ELECTRONICS 32*8&24*16LED驱动芯片TM1680 输入输出等效电路 VDD VDD GND GND VDD 厂 GND GND GND 图3 集成电路系静电敏感器件,在干燥季节或者干燥环境使用容易产生大量静电,静电放电可 能损坏集成电路,天微电子建议采取一切适当的集成电路预防处
  3. 所属分类:C

    • 发布日期:2019-07-29
    • 文件大小:784384
    • 提供者:weibazi
  1. 接口/总线/驱动中的MOS及MOS驱动电路基础总结

  2. 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。     下面是我对MOS及MOS驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料。包括MOS管的介绍、特性、驱动以及应用电路。     MOSFET管FET的一种(另一种是JEFT),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:82944
    • 提供者:weixin_38599712
  1. 基础电子中的MOS管驱动电路介绍及应用

  2. 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。   下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。   1 MOS管种类和结构   MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-21
    • 文件大小:67584
    • 提供者:weixin_38682086
  1. MOS管驱动电路介绍及应用

  2. 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,电压等,电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是的,作为正式的产品设计也是不允许的。   下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。   1 MOS管种类和结构   MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:66560
    • 提供者:weixin_38675506
  1. MOS管的开通过程以及米勒平台的形成分析

  2. 对于MOSFET而言,米勒效应(MillerEffect)指其输入输出之间的分布电容(栅漏电容)在MOSFET开关过程中,会使驱动信号形成平台电压,引起开关时间变长,进而导致开关损耗增加,给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。  本文将以网上了解到的相关资料为基础并结合自己的理解,分析MOS管开通过程以及米勒平台的形成。首先我们先看一下MOSFET的结构简化图:  图一MOSFET的结构简图  通过图一可知:N沟道增强型MOS管以一块低掺杂的P型硅片为衬底,利用扩散工艺制作两个高掺杂的N+区,
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:222208
    • 提供者:weixin_38675341
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