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搜索资源列表

  1. 超大规模集成电路工艺技术.rar

  2. 这里陆续介绍几本关于超大规模集成电路的书籍，希望对您的学习有帮助。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-06
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：dipperbooks2008

  1. 超大规模集成电路技术 工艺评价.rar

  2. 这里陆续介绍几本关于超大规模集成电路的书籍，希望对您的学习有帮助。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-06
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：dipperbooks2008

  1. 集成电路工艺原理课件——复旦 仇志军

  2. vlsi工艺原理的课件 基于《硅超大规模集成电路工艺技术——理论实践与模型》（silicon visi technology——fundamentals，practice and modeling）的很好的参考资料 共三卷，这是第一卷

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-11-08
    • 文件大小：18874368
    • 提供者：jyang8498

  1. 超大规模集成电路技术 工艺评价.pdf

  2. 超大规模集成电路技术 工艺评价.pdf，欢迎学习与交流。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-01-15
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：zgbailebao

  1. 超大规模集成电路--系统和电路的设计原理.pdf

  2. 序言 1.集成电路的发展与意义 2.超大规模集成电路的优点 3.集成电路工艺分类 4.集成电路的规模 5.ASIC技术的发展 MOS器件和电路 1.MOS晶体管 2.nMOS晶体管的伏安特性 3.CMOS基本电路 集成电路的制造 1.概述 2.集成电路的基本工艺 3.nMOS集成电路加工过程 4.CMOS加工过程 5.成品率 6.集成电路经济分析 MOS电路基本特性和性能分析 4.1电阻估算 2.MOS器件的电容 3.延迟时间 4.反相器延时 5.多晶硅长线的影响 6.导电层的选用 7.大电容

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2010-04-21
    • 文件大小：6291456
    • 提供者：yangshuyin520

  1. VLSI的静态时序分析技术的研究

  2. :本文利用 Pri meTi me对超大规模集成电路 (VLSI )的静态时序进行验证 ,主要是对工艺库和环境的设 置、 定义延时信息、 定义时钟属性、 定义时序例外等进行了详细的阐述 ,取得了一个较好的 VLSI验证方法.

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2011-04-11
    • 文件大小：121856
    • 提供者：hitghf

  1. 硅超大规模集成电路工艺技术——理论、实践与模型(英文版)

  2. 硅超大规模集成电路工艺技术——理论、实践与模型(英文版)

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2015-09-07
    • 文件大小：34603008
    • 提供者：u013527299

  1. 微电子光刻技术

  2. 超大规模集成电路工艺技术中的光刻技术，涵盖了光刻个方面的问题。

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2013-03-08
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：wangming056336

  1. 基于RISC技术的8位微控制器设计

  2. 随着微电子技术的不断发展，超大规模集成电路的集成度和工艺水平不断提高，将整个应用电子系统集成在一个芯片中(SoC)，已成为现代电子系统设计的趋势；以往高复杂度、高成本的嵌入式系统结构能够通过低成本的单片芯片实现。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-02
    • 文件大小：88064
    • 提供者：weixin_38666232

  1. DSP中的印度学生提出一项节省功耗的DSP设计技术

  2. 随着半导体工艺的飞速发展和芯片工作频率的提高，芯片的功耗迅速增加，而功耗增加又将导致芯片发热量的增大和可靠性的下降。 　　因此，功耗已经成为深亚微米集成电路设计中的一个重要考虑因素。 为了使产品更具竞争力，业界对芯片设计的要求已从单纯追求高性能、小面积转为对性能、面积、功耗的综合要求。低功耗设计对降低整个系统的功耗具有重要的意义。 　　科因巴托尔的PSG技术学院的工程学生们最近提出了高能效DSP和其它处理器的设计提案，这些提案包括了一种新的加法器设计，可以通过逻辑分解应用于乘法器电路上。 　　在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38550834

  1. 基于RISC技术的8位微控制器设计

  2. 随着微电子技术的不断发展，超大规模集成电路的集成度和工艺水平不断提高，将整个应用电子系统集成在一个芯片中(SoC)，已成为现代电子系统设计的趋势；以往高复杂度、高成本的嵌入式系统结构能够通过低成本的单片芯片实现。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：190464
    • 提供者：weixin_38747144

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的基于8086 CPU 的单芯片计算机系统的设计

  2. 1 引言 　　随着超大规模集成电路工艺的发展，在一颗芯片上集成上百万甚至上亿个晶体管已成为现实。现在，芯片厂商都以面积最小化、功能最大化作为自己的发展方向，深亚微米效应理论及IP 核技术越来越受到理论界和工业界的广泛关注，系统芯片是当前技术发展的必然趋势。计算机的发展经历了电子管计算机、晶体管计算机、集成电路计算机和大规模集成电路计算机，它的发展一直是将越来越多的功能集成在越来越小的空间内。可以预见，在某些特定领域，半导体制造业朝着整合型单芯片系统的总体趋势将会日益明显。 　　所谓单芯片计算

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：353280
    • 提供者：weixin_38661008

  1. 基础电子中的MOS微电子技术简介

  2. MOS场效应晶体管是金属－氧化物－半导体场效应晶体管的简称，它通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力。MOS场效应晶体管不仅具有双极型三极管体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，而且还具有输入阻抗高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。因而，在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 　　与双极型三极管不同，MOS晶体管是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子，因此称其为单极型器件。MOS晶体管可以分为增强型晶体管与耗尽型晶体管两种。根据沟道掺杂不同，又

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：198656
    • 提供者：weixin_38712416

  1. 基础电子中的双极型微电子技术简介

  2. 双极型制造工艺是早期集成电路产品所应用的唯一工艺。随着微电子工艺的发展，双极型工艺逐渐被MOS工艺所代替。在20世纪70年代，CMOS工艺逐渐成为主流微电子制造工艺。在过去的30多年中，CMOS工艺有了很大的发展，但是双极型工艺始终没有较大的进步。由于双极型工艺过程复杂、成本高、集成度低，在现代的超大规模集成电路中己经很少单独使用。但是，双极型工艺速度快、较大的电流驱动能力等特点是CMOS工艺所达不到的。在某些情况下，作为CMOS工艺的补充，双极型工艺仍然被少量地使用。 　　双极型三极管是双极

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：161792
    • 提供者：weixin_38697471

  1. 单片机与DSP中的瑞萨开发出具有45nm及以上工艺的微处理器和SoC器件

  2. 瑞萨科技布，开发出一种具有45 nm（纳米）及以上工艺的微处理器和SoC（系统级芯片）器件、低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构（在2006年12月以前发布的一种先进技术）改善了CMIS（注1）晶体管的性能。瑞萨已经在2007年6月12日于日本京都举行的2007年超大规模集成电路技术专题研讨会（2007 Symposium on VLSI Technology）上阐述了这一新的、增强的混合结构，并演示了测试数据。 　　像以前的技术一样，新的半导体制造技术有一个采用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：41984
    • 提供者：weixin_38740201

  1. 元器件应用中的Renesas利用新的低成本45纳米及以上工艺改进晶体管性能

  2. 瑞萨科技宣布开发出一种具有45 nm（纳米）及以上工艺的微处理器和SoC（系统级芯片）器件低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构——公司在2006年12月以前发布的一种先进技术——改善了CMIS晶体管的性能。瑞萨科技在2007年6月12日于日本京都举行的2007年超大规模集成电路技术专题研讨会（2007 Symposium on VLSI Technology）上阐述了这一新的、增强的混合结构，并演示了测试数据。 　　像以前的技术一样，新的半导体制造技术有一个采用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：54272
    • 提供者：weixin_38556416

  1. EDA/PLD中的基于RISC技术的8位微控制器设计

  2. 摘要：介绍基于RISC技术的8位微控制器的设计与实现。主要包括RISC指令集的选取；取指单元、译码单元、执行单元的设计；取指、译码、回写三级流水线技术的实现。该微控制器包含8级硬件堆栈、1个8位计数器、1个计数器溢出中断、2个外部中断源、8位数据输入和输出端口、16个通用寄存器、2K×16位的程序存储器、512字节的数据存储器。设计使用可综合的Verilog语言描述， QuartusⅡ软件仿真，FPGA器件验证实现。 关键词：RISC Verilog 8位微控制器 FPGA引 言随着微

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：94208
    • 提供者：weixin_38567813

  1. 模拟技术中的高速电子线路的信号完整性设计-互连问题解决方案

  2. 北京理工大学电子工程系 于波 1、引言 当今电子技术的发展日新月异，大规模超大规模集成电路越来越多地应用到通用系统中。同时，深亚微米工艺在IC设计中的使用，使得芯片的集成规模更大。从电子行业的发展来看，1992年只有40%的电子系统工作在30MHz以上的频率，而且器件多数使用DIP、PLCC等体积大、管脚少的封装形式，到1994年已有50%的设计达到了50MHz的频率，采用PGA，QFP，RGA等封装的器件越来越多。1996年之后，高速设计在整个电子设计领域所占的比

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：121856
    • 提供者：weixin_38651661

  1. 限散射角电子束光刻技术及其应用前景

  2. （江苏大学电气信息工程学院，江苏 镇江 212013）摘 要：在下一代光刻（NGL）技术中，限散射角电子束光刻（SCALPEL）技术工艺简单、成本较低，因此是集成电路生产厂家首选的光刻方案之一。本文论述了SCALPEL的工作原理、加工工艺和方法、SCALPEL系统等，并对比分析了SCALPEL在NGL研发中的技术优势及其应用要点。 关键词：超大规模集成电路,纳米CMOS器件,电子束光刻,散射,技术优势,应用前景 中图分类号：TN305.7；TN47 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：137216
    • 提供者：weixin_38650150

  1. 瑞萨 采用65nm工艺的SRAM

  2. 美国夏威夷火努鲁鲁举行的超大规模集成电路（VLSI）2006年专题研讨会上，瑞萨科技公司宣布，开发出一种有助于采用65nm（65纳米）制造工艺生产的SRAM（静态随机存取存储器）实现稳定运行的技术。新技术采用了一种直接图形成型布局和读辅助及写辅助电路，以克服采用精细特征工艺技术时由于晶体管固有特性可变性带来的SRAM不稳定问题。尤其是，该技术解决了与门限电压（Vth）有关的诸如晶体管导通或关断时出现的边线电压的重要问题。 采用65nm工艺的全球面积最小（0.494μm2）的存储单元测试芯片包

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38572979
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