在这里，我们报告了杂化空穴传输材料4,4'-双-（咔唑-9-基）联苯（CBP）或掺杂到聚（4-丁基-苯基二苯胺）中的聚N-乙烯基咔唑（PVK）（ Poly-TPD）作为混合空穴传输层（HTL），以调整空穴注入层（HIL）和量子点（QD）发光层之间的能带对准，从而在所有情况下实现高效的量子点发光二极管（QLED）固溶加工的制造。 与原始的基于Poly-TPD的器件相比，发现通过将CBP添加到Poly-TPD中，可将QLED的电致发光（EL）性能显着提高1.5倍，这可归因于较低的最高占据分子轨道Po