通过在n型硅衬底上通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长的变质Al（0.50）In（0.50）As / Ga（0.47）In（0.53）As高电子迁移率晶体管（mHEMT），并引入了新型的多阶段缓冲堆栈方案是第一次被制造出来。 实现了1.0微米的栅极长度耗尽型mHEMT，最大跨导高达613 mS / mm。 单位电流增益截止频率（f（T））和最大振荡频率（f（max））分别为36.9 GHz和55.6 GHz。 对于通过MOCVD在硅上生长的1.0微米m栅长的HEMT，该器件具有最高的f（T