NAND闪存是一种高密度非易失性存储器，基于电压调制原理而操作。随着技术开发和工艺改进，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架构正变得日益复杂化。今天，单个8Gb密度SLC NAND闪存芯片的MOSFET数量就超过70万，这还未包括所有阵列器件在内；MLC约是SLC的1.5-2倍。图1显示了NAND功能块基本结构图，它通常是由I/O、低压(LV)系统、高压(LV)系统、控制逻辑和阵列5大部分组成。 　　I/O是芯片接口，包括高速I/O接口电路和ESD。 　　低压（LV）系统将