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  1. 铁电材料标准ANSI协议

  2. 铁电材料标准ANSI协议

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2007-10-27
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：zidane_zj

  1. 基于微波铁电材料的温控调谐超材料吸波体研究

  2. 基于微波铁电材料的温控调谐超材料吸波体研究，王连胜，夏冬艳，利用微波调谐铁电材料在一定温度范围内其介电常数随温度的变化关系，提出了一种基于超材料的温控吸波体，研究了超材料吸波体的传

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-03-10
    • 文件大小：467968
    • 提供者：weixin_38691641

  1. 铁芯材料对大间隙磁力传动系统驱动性能的影响

  2. 铁芯材料对大间隙磁力传动系统驱动性能的影响，徐涛，谭建平，为提高大间隙磁力传动系统的驱动性能，针对系统电磁体铁芯提出了采用取向硅钢片替代无取向硅钢片。利用ANSYS仿真分析了两种硅钢片�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-26
    • 文件大小：369664
    • 提供者：weixin_38660069

  1. 钙钛矿型0.5PbTiO3-0.5(Bi1-xLax)FeO3化合物制备、铁电及磁性性能研究

  2. 钙钛矿型0.5PbTiO3-0.5(Bi1-xLax)FeO3化合物制备、铁电及磁性性能研究，周川，陈骏，PbTiO3-BiFeO3是一种具有很高居里温度的钙钛矿结构化合物，在高温铁电、压电、多铁性材料领域具有很好的应用前景。本文采用固相法合�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-25
    • 文件大小：357376
    • 提供者：weixin_38598613

  1. 弛豫铁电PMN-PT单晶弹塑性变形压痕测试及相变分析

  2. 弛豫铁电PMN-PT单晶弹塑性变形压痕测试及相变分析，满桂安，李琰，铌镁酸铅-钛酸铅PMN-PT系弛豫铁电单晶材料由于其具有超高的压电系数而备受关注，在外部压力作用下晶体内部微结构发生变化，材料沿�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-03
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38657984

  1. 外加磁场对铁磁材料电火花小孔加工的影响

  2. 外加磁场对铁磁材料电火花小孔加工的影响，刘宇，阎长罡，针对电火花加工中电蚀产物排除困难、加工效率低、电极损耗严重的问题，研究了外加磁场对铁磁性材料电火花小孔加工的影响，分析了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-10
    • 文件大小：359424
    • 提供者：weixin_38688745

  1. Yb掺杂反铁电PZT电介质材料

  2. Yb掺杂反铁电PZT电介质材料，张晓帅，马卫兵，本文采用传统的固相合成的方法，以反铁电PZT为基体，以Yb为掺杂剂得到了PYZT。对于Yb掺杂微观机理进行了研究，并且系统的测试了体系�

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-08
    • 文件大小：644096
    • 提供者：weixin_38679045

  1. 铁电体材料的理论及性能研究

  2. 铁电体材料的理论及性能研究!!铁电体材料的理论及性能研究!!

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-01-01
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：bingren2011

  1. 硅基反铁电湿法刻蚀工艺研究

  2. 介绍了一种基于硅基的反铁电材料的湿法刻蚀工艺研究

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2012-10-21
    • 文件大小：14680064
    • 提供者：qming123456789

  1. 消费电子中的铁电材料或可实现超高密度信息存储

  2. 相关媒体从中国科学院金属研究所获悉，该所研究员马秀良研究团队与合作者在铁电材料中发现通量全闭合畴结构，或让铁电材料实现超高密度信息存储。 　　铁电材料是指在外加电场的作用下，其电极化方向可以发生改变的一类材料，如钛酸铅、钛酸钡等材料。铁电存储器具有功耗小、读写速度快、寿命长与抗辐照能力强等优点，但是不能做到非常小的存储单元，很难达到高密度存储的需求。 　　马秀良研究团队提出一种克服铁电材料自发应变，通过引入外加应变来克服铁电材料自身的晶格畸变。 　　“晶格畸变就是指晶格的变形。”马秀良说，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38732811

  1. 模拟技术中的探讨铁电存贮器FRAM技术原理与应用

  2. 1 引言 　　美国Ramtron公司铁电存贮器（FRAM）的核心技术是铁电晶体材料．这一特殊材料使得铁电存贮产品同时拥有随机存取记忆体(RAM) 和非易失性存贮产品的特性。　　铁电晶体材料的工作原理是：当我们把电场加载到铁电晶体材料上时，晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动，最后到达稳定状态。晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态。一个记忆逻辑中的0，另一个记亿1。该中心原子能在常温且没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。因此，铁电记忆体不需要定时刷新便能在断电情况下保存数据。　　由于

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：226304
    • 提供者：weixin_38691703

  1. 铁电存贮器FRAM技术原理

  2. 铁电存贮器是一种全新的存贮器，它的核心技术是铁电晶体材料。铁电存贮器的最大特点是可以跟随总线速度无限次的写入，而且写入功耗极低。文中给出了 FRAM铁电存贮器与普通存贮器的性能比较。指出了FRAM的主要应用领域。最后列出了RAMTRON串行和并行铁电存贮器的主要型号和参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：152576
    • 提供者：weixin_38656364

  1. 铁电随机存取存储器

  2. FRAM是半导体技术的新发展。顾名思义，FRAM不像RAM那样的易失性。相反，它不需要用电源来保持数据。在FRAM里是利用铁电材料的特性来存储数据的，结构与EEPROM的结构相类似，而只是在控制栅和浮动栅之间具有铁电物质，FRAM单元的剖视图见1所示。 　　图1 以0.5μm技术制造的FRAM单元的剖视图（左边的两个浅色的矩形是在半导体　　表面的控制引线；右边的水平矩形是实际的FRAM单元，在两个电极之间看到的　　暗层是铁电材料。PRAM单元的宽度大约为2μm，由富士通公司提供） 　　F

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-14
    • 文件大小：86016
    • 提供者：weixin_38586186

  1. 铁电材料

  2. 在对更快和更可靠的存储器研究中，铁电体成为一种可行的方案。一个存储器单元必须用两种状态中的一种（开／关，高／低，0／1）存储信息，能够快速响应（读写）和可靠地改变状态。铁电材料电容如PbZr1-xTxO3(PZT)和SrBi2Ta2O9(SBT)正好表现出这些特性。它们并入SiCMOS（参考第十六章）存储电路叫做铁电随机存储器（FeRAM）。５ Ge Si GaAs SiO2 原子质量 每立方厘米原子数或摩尔 晶体结构 单位晶格 密度 能隙 绝缘系数 熔点 击穿电压 热膨胀线性系数 图2.14

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：30720
    • 提供者：weixin_38738189

  1. 铁电存储器FM24C16原理及其在多MCU系统中应用

  2. 1、铁电存储器技术原理、特性及应用 美国Ramtron公司铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性。铁电晶体的工作原理是：当在铁电晶体材料上加入电场，晶体中的中心原子会沿着电场方向运动，达到稳定状态。晶体中的每个自由浮动的中心原子只有2个稳定状态，一个记为逻辑中的0，另一个记为1。中心原子能在常温、没有电场的情况下，停留在此状态达100年以上。铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据。由于整个物理过

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：136192
    • 提供者：weixin_38729108

  1. 铁电存储器FM3808在TMS320VC5402系统中的应用

  2. 摘要：FM3808是Ramtrom公司生产的新型超低功耗非易失铁电存储器，该器件可支持对存储区的高速读写，并可进行近乎无限次的写入。FM3808内部除具有256kB的存储阵列外还集成了实时时钟和系统监控模块，因而功能十分强大。文中介绍了FM3808的性能特点、内部结构和工作原理，分析了TMS320VC5402 DSP的并行引导装载模式。给出了DSP与FM3808组成的并行引导接口方案。      关键词：铁电存储器 数字信号处理器 并行引导装载模式 FM3808 1 引言 铁电存储器（F

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：140288
    • 提供者：weixin_38691641

  1. 铁电存储器在仪表中的应用

  2. 摘要：FRAM 是一种新型存贮器，最大特点是可以随总线速度无限次的擦写，而且功耗低。FRAM性能优越于EEPROM  AT24C256。     关键词：存贮器；FM24C256；AT24C256；EEPROM     一． 概述：      FRAM是最近几年由RAMTRON公司研制的新型存贮器，它的核心技术是铁电晶体材料，拥有随即存取记忆体和非易失性存贮产品的特性。FM24C256是一种铁电存贮器（FRAM）,容量为256KBIT存贮器，它和AT24C256容量等同，总线结构兼容，但

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：72704
    • 提供者：weixin_38694141

  1. 铁电存储器FM24C16原理及在多MCU系统中应用

  2. 1　铁电存储器技术原理、特性及应用美国Ramtron公司铁电存储器（FRAM）的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体（RAM）和非易失性存储器的特性。铁电晶体的工作原理是：当在铁电晶体材料上加入电场，晶体中的中心原子会沿着电场方向运动，达到稳定状态。晶体中的每个自由浮动的中心原子只有2个稳定状态，一个记为逻辑中的0，另一个记为1。中心原子能在常温、没有电场的情况下，停留在此状态达100年以上。铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据。由于整个物理过程中没

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：225280
    • 提供者：weixin_38536267

  1. 具有极化P（VDF-TrFE）铁电聚合物门控的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

  2. 研究了极化的P（VDF-TrFE）铁电聚合物门控对AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS-HEMT）的影响。 通过施加电场，AlGaN / GaN MOS-HEMT的源极/漏极访问区中的P（VDF-TrFE）门被正极化（即，部分带正电的氢与AlGaN表面对准），从而导致降低AlGaN / GaN界面处的导带。 这增加了AlGaN / GaN异质结构的源极/漏极访问区域中的二维电子气（2-DEG）密度，从而减小了源极/漏极串联电阻。 还使用原子力显微镜（AFM），X射线衍

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-14
    • 文件大小：949248
    • 提供者：weixin_38745648

  1. 弛豫铁电单晶光传感器噪声的处理

  2. 新型热释电材料弛豫铁电单晶(PMN-PT)，其具有优异的压电效应和热释电效应，对外界的干扰也更加敏感，制成传感器后会产生更多的噪声。针对新型红外传感器读出信号中噪声的产生机理、特点进行了分析与研究，利用计算机仿真出的带有白噪声和1/f噪声,信噪比为0 dB左右的读出信号模型，分别使用自相关算法和小波降噪算法对其进行降噪处理，最后使用现场可编程门阵列(FPGA)实现了对实测信号的小波去噪。结果表明，自相关算法只能降低白噪声，降噪后信噪比提高了5.5 dB；小波降噪算法对温度噪声、白噪声和1/f噪声

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-26
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38628612
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