抛光硅片的表面或热氧化硅片的表面并不是理想的镜面，至少在微观尺寸总是有一定的起伏和表面粗糙度。硅片的表面的起伏没有规则，为了便于研究硅片表面形貌对键合应力的影响，对硅片的表面形貌给出一种规则模型近似。图3.21给出了一个用于计算局部应力的键合硅片表面几何模型示意图，模型假设：（1）硅片的表面型貌可以近似为正弦函数，并且峰和谷都可以用球型的几何形状近似，因此可以运用弹性球变形理论；（2）峰和谷相互对准，因此可以求出界面的最大应力；（3）两个硅片材料和厚度相同。在硅片的峰点键合应力达到最大[17，1

测试了半导体激光器阵列的横向波长分布。结果表明,多数阵列的波长分布出现了V型的“凹陷”。这一分布与器件工作温升引起的横向波长分布相反,根据半导体禁带宽度与应变关系的基本理论,说明这一波长分布反映了键合应力的状态。通过对键合应力产生机理的初步分析,提出了线性应力分布模型,很好地解释了现有的实验数据。实验和分析表明,激光器阵列横向波长分布的测量是键合应力探测的一个有用手段。