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搜索资源列表

  1. FUJI模块应用资料

  2. FUJI模块应用资料 IGBT选型 模块的构造 驱动设计 保护设计 散热设计 门极电阻

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2010-12-07
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：w375082353

  1. IGBT选型与仿真软件

  2. IGBT选型依据，功耗仿真，门极电阻选择与测试

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2011-09-05
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：saddyxia

  1. IGBT双脉冲测试方法

  2. IGBT测试方法，评估IGBT的特性，选择门极电阻，评估驱动板

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2015-12-18
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：zyq666212

  1. MOS管启动电阻计算.doc

  2. MOS管启动电阻计算doc,本篇资料主要介绍了功率场效应管器件门极驱动电阻的计算方法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：81920
    • 提供者：weixin_38743602

  1. IGBT门极电阻设计.pdf

  2. 该资料以应用手册的形式介绍了IGBT的门极电阻在实际设计应用中的计算方法论述；cn tein En酒 n145 1 Ra加uL =12 1即251s4 TE市导一二 THE nSHE l IceF Ms=±15 1口 I3 d世 r0 通r RG? Rin 饼匚 IG 3 ek· Acq Complete M Pos 3.700Js MEASURE CHI M题 CHI Rise Time Rise Time CH2 Off Fall Time 可 PEAK H M250u cH2-400

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-10-13
    • 文件大小：338944
    • 提供者：lwj_1034862378

  1. 三种IGBT驱动电路和保护方法.pdf

  2. 三种IGBT驱动电路和保护方法pdf,本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要求如下：1)提供适当的正向和反向输出电压，使IGBT可靠的开通和关断。2)提供足够大的瞬态功率或瞬时电流，使IGBT能迅速建立栅控电场而导通。3)尽可能小的输入输出延迟时间，以提高工作效率。4)足够高的输入输出电气隔离性能，使信号电路与栅极驱动电路绝缘。5)具有灵敏的过流保护能力。逻辑

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：284672
    • 提供者：weixin_38744375

  1. 集电极开路_漏极开路_推挽_上拉电阻_弱上拉

  2. (经典)集电极开路_漏极开路_推挽_上拉电阻_弱上拉_三态门_准双向口 全面的介绍很细致

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-08-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：qq_15529973

  1. 集电极开路_漏极开路_推挽_上拉电阻_弱上拉_三态门_准双向口

  2. 集电极开路_漏极开路_推挽_上拉电阻_弱上拉_三态门_准双向口 讲解得超经典，不懂的同学有福了。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-12-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：must_7775734

  1. 经典 集电极开路 漏极开路 推挽 上拉电阻 弱上拉 三态门 准双向口

  2. 经典 集电极开路 漏极开路 推挽 上拉电阻 弱上拉 三态门 准双向口 详细介绍

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-11-01
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：cocozjl2003

  1. 电极开路,漏极开路,推挽,上拉电阻,弱上拉,三态门,准双向口

  2. 集电极开路,漏极开路,推挽,上拉电阻,弱上拉,三态门,准双向口

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2013-03-10
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：liwenchen

  1. 可控硅驱动电路

  2. MOC3061在热线开关中的应用电路如图2 所示, 在可控硅驱动中的实际电路如图3 所示。图中R1 为限流电阻,使输入的L ED电流分别为15mA (MOC3061)、10mA(MOC3062 )、5mA (MOC3063 )即可。R1 可按下式计算: 当增加。R2 是双向可控硅的门极电阻,当可控硅灵敏度较高时, 门极阻抗也很高, 并上R2 可提高抗干扰能力。R3 是触发功率双向可控硅的限流电阻,其值由交流电网电压峰值及触发器输出端允许重复冲击电流峰值决定,可按下式选取: 外39Ω

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：29696
    • 提供者：weixin_38696176

  1. CMOS和TTL集成门电路多余输入端的处理方 法

  2. CMOS和TTL集成门电路在实际使用时经常遇到这样一个问题，即输入端有多余的，如何正确处理这些多余的输入端才能使电路正常而稳定的工作？本文给出了解决这个问题的方法，供大家参考。 CMOS门电路 CMOS门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。由于MOS管在电路中是一压控元件，基于这一特点，输入端信号易受外界干扰，所以在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空。在使用时应采用以下方法：

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-15
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38734008

  1. cmos传输门工作原理及作用_真值表

  2. CMOS传输门（TransmissionGate）是一种既可以传送数字信号又可以传输模拟信号的可控开关电路。CMOS传输门由一个PMOS和一个NMOS管并联构成，其具有很低的导通电阻（几百欧）和很高的截止电阻（大于10^9欧）。 所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并联而成，如下图所示。 cmos传输门工作原理 TP和TN是结构对称的器件，它们的漏极和源极是可互换的。设它们的开启电压|VT|=2V且输入模拟信号的变化

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：124928
    • 提供者：weixin_38724370

  1. 双向可控硅触发电路图大全

  2. 双向可控硅触发电路图一： 为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V，脉冲宽度应大于20us.图中BT为变压器，TPL521-2为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51的外部中断0的输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B两点电压

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：230400
    • 提供者：weixin_38659646

  1. 上拉/下拉电阻基础知识

  2. 一、什么是上拉电阻？什么是下拉电阻？ 上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平！电阻同时起限流作用！下拉同理！上拉是对器件注入电流，下拉是输出电流；弱强只是上拉电阻的阻值不同，没有什么严格区分；对于非集电极（或漏极）开路输出型电路（如普通门电路）提升电流和电压的能力是有限的，上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道。 二、上拉电阻及下拉电阻作用： 1、提高電壓准位：a.当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为3.5V

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-11
    • 文件大小：86016
    • 提供者：weixin_38586942

  1. 对模拟电路中上下拉电阻作用的一点小总结

  2. 上拉是对器件注入电流，下拉是输出电流；弱强只是上拉电阻的阻值不同，没有什么严格区分；对于非集电极（或漏极）开路输出型电路（如普通门电路）提升电流和电压的能力是有限的，上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-18
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38691739

  1. 单片机上拉电阻原理图

  2. 一、定义 1、上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平！电阻同时起限流作用！下拉同理！ 2、上拉是对器件注入电流，下拉是输出电流 3、弱强只是上拉电阻的阻值不同，没有什么严格区分 4、对于非集电极（或漏极）开路输出型电路（如普通门电路）提升......

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-18
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38556668

  1. 元器件应用中的射极跟随器时的功率MOSFET的驱动

  2. 功率MOSFET的驱动当然色可使明射极跟随器。最近，制作了很多使用功率MOSFET的高速开关电源。观察开关电源用控制IC的数据表，就会发现作为功率MOS的常见驱动的设备。 　　代表性的开关电源用控制IC TL494等，如图1所示，驱动输出发射极接地，无论射极跟随器的哪种形式均可使用，将输出晶体管的集电极、发射极独立，管脚被分配排列。虽然一般情况下射极跟随器的使用较多，但以高速驱动为目的还需仔细考虑。 　　图1开关电源用PWM控制器一例 　　图2是用晶体管射极跟随器，驱动功率MOSFET

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：217088
    • 提供者：weixin_38672800

  1. 250W级功率MOSFET的门驱动电路

  2. 前面实验的功率MOSFET是漏极损耗15OW的器件。下面，针对大容量的功率MOSFET进行实验。 　　这里，使用2SK1522(PD＝250W、VDs＝50OV、IDS＝50A、Ciss＝87OOpF、Crs＝235pF、RON＝0. 11Ωmax；日立制造)，门极输入电容是2SK1379的几倍。 　　实验电路中为观测门极电流IG及漏极电流ID的波形，夹紧探头(图1、照片2)。负载电阻因绕线系统中的电阻器可能会产生阻抗振荡，所以并联连接8个3W、200Ω的氧化金属薄膜电阻，当用于开关的输人占

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：231424
    • 提供者：weixin_38600017

  1. 基础电子中的晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容及阻容元件的选择

  2. 一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。 　　我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管(可

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-16
    • 文件大小：49152
    • 提供者：weixin_38660069
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