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搜索资源列表

  1. 各种U盘电路图，常见的闪存电路

  2. 内含多种U盘的电路原理图,希望对学习U盘原理的朋友有所帮助,声卡积分了煞风景食疗方就食疗方就是浪费老师离开对方

  3. 所属分类：Flash

    • 发布日期：2010-05-24
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：xiaoluo_1

  1. 闪存的原理

  2. 闪存是一种EEPROM芯片。它包含一个由若干行和列组成的网格，其中各个交汇处均有一个含有两个晶体管的单元。 这两个晶体管由一层薄氧化层隔开。两个晶体管分别称为浮点门和控制门。浮点门只能通过控制门连接到行，即字元线。一旦连接，该单元值将为1。 若要将值更改为0，需要经过名为Fowler-Nordheim隧道效应的奇妙过程。

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2014-03-05
    • 文件大小：207872
    • 提供者：u013706421

  1. 闪存技术与应用方法-刘爱贵

  2. 闪存作为一种革新性的存储技术，由于其超高的性能和成本的不断下降，闪存已经成为数据中心不可或缺的技术元素。闪存有自身鲜明的特点，只有深入地理解其内在的原理和特性，方能更好地使用闪存技术。大数据是闪存最佳应用领域之一，从不同的角度挖掘和探索极有价值的应用方法。

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2015-09-22
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：liuben

  1. 闪存电源原理图分析

  2. 本文简述闪存电源的原理。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：26624
    • 提供者：weixin_38692836

  1. 闪存电源原理图详细分析

  2. 闪速存储器在写人数据时需加12V的电源电压，附图是用单片机等向闪速存储器写入数据时对电源的输出电压进行开关控制的电路。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-29
    • 文件大小：26624
    • 提供者：weixin_38715094

  1. 一种可靠高效的闪存文件系统

  2. 本文介绍了一种可靠高效的适合于启动闪存使用的文件系统，包括文件系统的特点、结构、实现原理，并和其他同类型文件系统进行了比较。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-25
    • 文件大小：94208
    • 提供者：weixin_38743602

  1. 闪存和管线转换器工作原理探究

  2. 绍了运算放大器在闪存和管线转换器工作中的应用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-09
    • 文件大小：110592
    • 提供者：weixin_38713039

  1. 用PDIUSBD12和K9F5608U0A设计USB移动闪存

  2. 要介绍USB（通用串行总线）大容量存储设备类,给出USB控制PDIUSBD12和闪存K9F5608U0A的原理框图,并以这两个芯片为例设计出存储设备的电路图,最后列出程序流程图。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-18
    • 文件大小：147456
    • 提供者：weixin_38651450

  1. 闪存管理算法的研究与实现.pdf

  2. 首 先介绍 ＮＡＮＤＦ ｌａｓ ｈ 的物 理结构 以 及工作 原理 ， 然 后 介绍 了ＦＴＬ 算法 中 的 多 个重要 模   块 及其 功 能 。 通过 对现有 的几种 地址映射算法 的研究 与 分析 ， 最后 在 ＤＦＴＬ 的基 础 上 ， 利用   Ｓ６ ６ ６ 控制 器 硬件 资源 以及 ＮＡＮＤＦ ｌａｓ ｈ 存储特性设计 了 本 文 的 ＦＴＬ 算法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-09-17
    • 文件大小：15728640
    • 提供者：qq_36243592

  1. 存储/缓存技术中的Flash存储器闪存工作原理及具体步骤

  2. 什么是闪存?了解闪存最好的方式就是从它的“出生”它的“组成”均研究的透彻底底的。 　　闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。 　　与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：148480
    • 提供者：weixin_38731979

  1. LED照明中的基于IRS2530D的4级智能可调光荧光灯电子镇流器电路设计

  2. 摘 要：本文介绍采用美国微芯公司微控制器PIC12F629和美国IR公司IRS2530D的4级智能可调光电子镇流器电路的工作原理与实现，IRS2530D是IR公司新近推出的一款8引脚可调光电子镇流器驱动集成电路，具有易于使用的特点。PIC12F629是美国微芯公司推出的8引脚基于闪存的8位微控制器。 　　1 关于IRS2530D和PIC12F629 　　1）IRS2530D简介 　　IRS2530D采用8引脚DIP或8引脚SOIC封装，IRS2530D的引脚图如图1所示，IRS2130D的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：583680
    • 提供者：weixin_38609401

  1. 电源技术中的介绍闪存电源原理图分析设计

  2. 闪速存储器在写人数据时需加12V的电源电压，闪速存储器是目前取代传统的EPROM和EEPROM的主要非挥发性（永久性）的存储器，目前大部分586主板的BIOS都使用闪速存储器。控制信号来自单片机。当控制信号为“L”（低电平）时，电源电路的输出端向闪存输出11.8V的电源电压。当控制信号为“H”（高电平）时。闪速存储器（Flash Memory）是一类非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory）即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息；而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：73728
    • 提供者：weixin_38565628

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的浅谈嵌入式系统中Nand-Flash的原理及应用

  2. NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NANDflash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。NOR的特点是芯片内执行（XIP,eXecuteInPlace），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RA

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：151552
    • 提供者：weixin_38622827

  1. 闪存电源原理图分析设计

  2. 闪速存储器在写人数据时需加12V的电源电压，附图是用单片机等向闪速存储器写入数据时对电源的输出电压进行开关控制的电路。控制信号来自单片机。当控制信号为“L”(低电平)时，电源电路的输出端向闪存输出11.8V的电源电压。当控制信号为“H”(高电平)时。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38530202

  1. 单片机与DSP中的PIC单片机与串行闪存的SPI接口设计

  2. 引  言 　　PIC单片机以性能稳定、品种众多等特点在工业控制、仪器仪表、家电、通信等领域得到广泛应用。虽然很多型号自身集成了存储器，但在很多情况下难以满足系统对大容量存储的要求，需要外扩非易失性的存储器。与并行Flash存储器相比，串行Flash存储器占用MCU引脚少，体积小，易于扩展，接线简单，工作可靠，故而越来越多地应用在各类电子产品和工业测控系统中。本文主要讨论PIC16F877A单片机与串行闪存M25P16之间的SPI通信，在要求大容量数据存储且MCU引脚资源有限的情况下具有实用价值

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：261120
    • 提供者：weixin_38524472

  1. 采用Magma Finesim的NAND闪存仿真战略

  2. NAND闪存是一种高密度非易失性存储器，基于电压调制原理而操作。随着技术开发和工艺改进，MLC NAND(2 bit/cell NAND)的架构正变得日益复杂化。今天，单个8Gb密度SLC NAND闪存芯片的MOSFET数量就超过70万，这还未包括所有阵列器件在内；MLC约是SLC的1.5-2倍。图1显示了NAND功能块基本结构图，它通常是由I/O、低压(LV)系统、高压(LV)系统、控制逻辑和阵列5大部分组成。 　　I/O是芯片接口，包括高速I/O接口电路和ESD。 　　低压（LV）系统将

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：422912
    • 提供者：weixin_38680671

  1. 工业电子中的ARM LPC2101的无刷直流电机控制方案

  2. ＬＰＣ２１０１是基于１６／３２位　ＡＲＭ７　ＣＰＵ嵌入高速Ｆｌａｓｈ闪存的微控制器，具备高性能，小体积封装，低功耗，片上可选择多种外设等优点，应用范围很广。 　　其具备的多种３２位和１６位定时器、１０位Ａ／Ｄ转换器和每个定时器上ＰＷＭ匹配输出特性，尤其适用于工业控制。 　　无刷直流电机是一种易驱动电机，适用于变速和启动转矩很高的应用，它的使用范围从大规模的工业模具到调光控制的小型电机（１２Ｖ直流电机），外形和尺寸也是各种各样。 　　１　无刷直流电机的基本原理 　　无刷直流电机一般由定子、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：307200
    • 提供者：weixin_38609453

  1. 新一代闪存磁盘DiskOnChip

  2. 摘 要：闪存器是一种十分有用的器件，M－System公司推出的DiskOnChip 2000系列闪存器是一个既含存储器，又含控制器的新型器件，本文介绍了它的工作原理及其应用。       关键词：闪存器; 磁盘; DiskOnChip       1. 概述       闪存器是一种十分流行的新型器件，种类很多。一般的闪存器(Flash memory)只包含存储器部分，而控制器要另加。M－system公司推出的DiskOnChip 2000系列是新一代闪存磁盘(Flash disk)，为标

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：87040
    • 提供者：weixin_38744207

  1. 内嵌闪存MCU的高性能多通道24位采集系统ADuC845

  2. 摘要：ADuC845是ADI公司新推出的嵌有单指令周期8052闪存MCU、带两路24位Δ-∑A/D、双12位D/A以及两个灵活脉宽调制输出的高性能24位数据采集与处理系统芯片。该芯片的数据处理速度达12MIPS，且设计简单，噪声低，非常适用于精密仪器仪表。文中详细介绍了该芯片的功能特点和工作原理，给出该芯片的应用方法。 关键词：ADuC845 数据采集 转换器 存储器1 概述ADuC845是ADI公司新推出的高性能24位数据采集与处理系统，它内部集成有两个高分辨率的Δ-∑ADC、10/8通

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：131072
    • 提供者：weixin_38717579

  1. 用PDIUSBD12和K9F5608U0A设计USB移动闪存

  2. 摘要：简要介绍USB（通用串行总线）大容量存储设备类，给出USB控制PDIUSBD12和闪存K9F5608U0A的原理框图，并以这两个芯片为例设计出存储设备的电路图，最后列出程序流程图。      关键词：USB PDIUSBD12 K9F5608U0A 移动闪存 引言 自从USB规范发布以来，短短的几年中得到了极大的发展，基于USB接口的大容量存储设备（USB Mass Storage）应运而生。这类设备主要有：USB移动硬盘、USB外置光驱、USB外置软驱、USB闪存盘等。但是目前国

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：81920
    • 提供者：weixin_38624557
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