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搜索资源列表

  1. 闪存芯片检测工具（可以方便找到U盘相关厂家的量厂工具）

  2. 用于闪存芯片检测工具，用厂家量产工具进行U盘的初始化和修复

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-09-28
    • 文件大小：133120
    • 提供者：hhb881

  1. NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同.txt

  2. NAND闪存芯片和NOR闪存芯片的不同.txt

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2009-11-12
    • 文件大小：3072
    • 提供者：developercn

  1. SLC和MLC闪存芯片的区别

  2. SLC和MLC闪存芯片的区别，介绍的还比较详细，想了解的去下载

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-04-13
    • 文件大小：79872
    • 提供者：a123asd111

  1. 闪存芯片测试软件

  2. 闪存芯片测试软件 用来测试各种u盘 闪存卡等等的芯片型号

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-05-28
    • 文件大小：413696
    • 提供者：zhoushaocheng

  1. U盘测试&闪存芯片查询工具

  2. 用于U盘对文件读取、写入速率测试以及U盘闪存芯片的查询工具。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2012-08-22
    • 文件大小：405504
    • 提供者：lei827403386

  1. 威刚ADATA S102 PRO 量产工具 （亲测支持 Intel 闪存芯片，SANDISK 其余未测）

  2. 威刚ADATA S102 PRO 量产工具 （亲测支持 Intel 闪存芯片，SANDISK 其余未测） 威刚S102 PRO Intel闪存 sandisk 闪存 不能用 你砍我！

  3. 所属分类：桌面系统

    • 发布日期：2015-04-04
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：sunshineliyuhao

  1. 对固态SSD硬盘闪存芯片SLC、MLC、TLC方式的理解

  2. 本文主要谈了对固态SSD硬盘闪存芯片SLC、MLC、TLC方式的理解，希望对你的学习有所帮助。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-22
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38697123

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的一种新技术闪存芯片容量高达64GB晟碟推出

  2. 随着技术的成熟各个公司飞跃推出各种高端存储设备的。晟碟经过长期的研究，推出了一种新的先进闪存芯片生产技术，旨在进一步帮助芯片生产商提高利润。         晟碟表示以第一时间向零售商供应采用这项名为X4的新技术的数据存储卡，这种存储卡包含容量为64G的闪存芯片，比当前市场上流通的芯片存储能力高出一倍，从而使零售商获取较大的利润。     晟碟称X4技术将有助于降低闪存芯片的生产成本，从而提高该公司及其生产伙伴东芝的利润率。     晟碟总裁兼首席营运长SanjayMehrotra表示，该公

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：35840
    • 提供者：weixin_38593823

  1. NAND闪存芯片利用3D堆叠技术成功解决体积压缩难题

  2. 堆叠式3D NAND芯片将在未来四年内成为闪存芯片市场上的主流方案。根据分析企业IHS的推测，这项新技术的出现将令当下闪存制造商们所大肆宣扬的芯片尺寸压缩方案变得黯然失色，并在未来成为削减产品尺寸、扩大产品容量的首先机制...

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38742927

  1. ST推出128Mb串行闪存芯片 面向PC和消费电子应用

  2. 意法半导体推出了新的128Mb串行闪存芯片M25P128，新产品主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128Mb的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512Kb到64Mb)，同时据称还是这个市场上同一密度级别的第一个串行闪存芯片。  　　M25P128采用ST经过实践证明的先进的2位/单元闪存技术，因为每个存储单元保存两位信息，所以密度比传统闪存制造技术提高一倍，客户利用该芯片能够设计出成本低廉而性能可靠的产品。新闪存适合打印机、手机、游戏机、服务器及PC机的BI

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：62464
    • 提供者：weixin_38526751

  1. 比普通闪存快30倍 三星发布新型闪存芯片PRAM

  2. 据外电报道，三星电子公司周一发布了一种新型闪存芯片，据称这种新内存可更快储存新数据，从而可使数码设备工作更快。        新产品属于阶段变化随机读取内存（PRAM)，芯片是非易失性的，这意味着这种内存即便在电子设备关闭时仍能保存数据。三星公司称，新产品比现行普通闪存快30倍以上。        三星说，新内存有望在2008年上市。本周一在首尔召开的新闻发布会上，三星公司展示了512MB容量的原型PRAM芯片。        当前电子设备广泛使用的非易失性闪存有两种—NOR和NAND。    

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：36864
    • 提供者：weixin_38618094

  1. 三星用30nm工艺研制全球首个64G闪存芯片

  2. 北京时间10月23日硅谷动力网站从国外媒体处获悉：全球闪存巨头韩国三星电子公司周二宣布，已经利用三十纳米半导体工艺制造出了64GB闪存芯片。这是全球第一块64GB的NAND闪存芯片。     三星电子公司表示，他们利用三十纳米的最先进的半导体工艺研制了这种高容量的闪存芯片。目前，该公司在普通闪存芯片的制造中一般采用五十纳米工艺。     三星电子公司在一份声明中说，64GB产品意味着闪存行业在容量方面又跨越了一步。高容量闪存将满足日益膨胀的消费电子产品对于存储介质的需求。     三星

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：45056
    • 提供者：weixin_38608873

  1. 意法半导体推出128Mb串行闪存芯片M25P128

  2. 意法半导体(ST)推出128Mb串行闪存芯片M25P128，主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128Mb的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512Kb到64Mb)，同时据称是这个市场上同一密度级别的第一个串行闪存芯片。　　M25P128采用ST经过实践证明的先进的2位/单元闪存技术，因为每个存储单元保存两位信息，所以密度比传统闪存制造技术提高一倍，客户利用该芯片能够设计出成本低廉而性能可靠的产品。新闪存适合打印机、手机、游戏机、服务器及PC机的BIOS、PC

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38657353

  1. ST推出高性能128兆位串行闪存芯片

  2. 世界最大的串行闪存供应商*意法半导体推出了新的128-Mbit 串行闪存芯片M25P128，新产品主要用于各种高性能的成本敏感的计算机和消费产品的代码存储应用。这个128-Mbit的产品完善了ST现有的代码存储产品组合(从512 Kbits到64 Mbits) ，同时还是这个市场上同一密度级别的第一个串行闪存芯片。 　　M25P128采用ST经过实践证明的先进的2位/单元闪存技术，因为每个存储单元保存两位信息，所以密度比传统闪存制造技术提高一倍，客户利用该芯片能够设计出成本低廉而性能可靠的产品

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：117760
    • 提供者：weixin_38607554

  1. ST 128兆位 NAND 闪存芯片

  2. 意法半导体（STMicro）今天宣布128兆位NAND闪存芯片NAND128W3A2BN6E的生产转向90纳米制造工艺，这一举措有助于降低在对成本要求很高的消费设备中广泛使用的存储芯片的成本和功耗，这些设备包括数码相机、语音笔、PDA、机顶盒（STB）、打印机和捆绑式闪存卡。ST的NAND128是当今市场上仅有的一个采用90nm 制造工艺的128-Mbit NAND 闪存。 新产品证明了ST继续开发低密度“小页”NAND闪存产品的承诺，以支持正在使用目前已量产的该系列产品的用户。NAND128W

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：64512
    • 提供者：weixin_38637884

  1. 新型大容量闪存芯片－K9K2GXXU0M

  2. 摘要：Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ是三星公司生产的大容量闪存芯片，它的单片容量可高达２５６Ｍ。文中主要介绍了Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的特性、管脚功能和操作指令，重点说明了Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ闪存的各种工作状态，并给出了它们的工作时序。 关键词：闪存；Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ；大容量 Flash闪存（ＦＬＡＳＨ ＭＥＭＯＲＹ闪烁存储器）是一种可以进行电擦写，并在掉电后信息不丢失的存储器，同时该存储器还具有不挥发、功耗低、擦写速度快等特点，因而可广泛应用于外部存储领域，如个人计算机和ＭＰ３、数码照相机等。但

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：94208
    • 提供者：weixin_38557896

  1. 单片机与DSP中的闪存芯片KM29N32000TS在单片机系统中的应用

  2. 摘要：介绍32M位闪存芯片（Flash Memory）KM29N32000TS,并以87C552单片机为例介绍它在单片机系统中的硬件连接和软件编制方法。该芯片与单片机的硬件连接电路简单，可扩容能力强，易于编程，且体积小、容量大，具有很高的实用价值。 关键词：KM29N32000TS Flash存储器 单片机系统在许多测量和测试应用系统中，如便携式仪器等其它电池供电系统，需要保证数据的可靠性和可用性，即使整个系统掉电，而所采集到的数据仍能长时间的保持不丢失。闪存技术的发燕尾服提供了这种可能

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：76800
    • 提供者：weixin_38628429

  1. 汽车电子中的ST推出新一代串行闪存芯片 符合汽车环境要求

  2. 意法半导体日前推出一个新一代串行闪存芯片。新产品密度范围1到4Mbit，专门为可靠性要求极高的汽车应用而设计。新的M25P10-A、M25P20和M25P40存储器芯片的密度分别为1Mbit、2Mbit和4Mbit，这三款产品被公认为第一批耐用性和强度都符合汽车环境要求的串行闪存IC。这些产品采用ST的经量产验证的先进制造技术，为汽车应用提供了一个高可靠性的解决方案。这些产品获得了汽车级产品质量证书，并通过了AEC-Q100标准认证。        此外，新产品还经过了ST独有的高可靠性认证

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38627234

  1. adesto-AT45DB321E：一个使AT45DB321E闪存芯片正常工作的简单库-源码

  2. adesto-AT45DB321E 一个使AT45DB321E闪存芯片正常工作的简单库 兼容ANSI-C 对于调试模式，您需要存储库。 由def定义的WAsys_adesto_AT45DB321E_flash_spi_DEBUG编译，或者可以在头文件中显式定义。 用法 初始化（定义）实例WAsys_FLASH_CONFIG_T类型。 实现CS（片选），io读/写功能 通过将以上内容传递给WAsys_flash_init函数来初始化库

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-18
    • 文件大小：17408
    • 提供者：weixin_42177768

  1. 大容量闪存芯片与DSP接口设计

  2. 大容量闪存芯片与DSP接口设计、电子技术,开发板制作交流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：194560
    • 提供者：weixin_38703794
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