互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展使电路密度迅速增加，器件的开关速度更快，以及更高的输入和输出密度。这些趋势使得电路设计具有在高时钟频率下的大量同步开关活动，其结果是增加了同步开关噪声(SSN)，这是电源分布网络(PDN)中delta-I噪声、返回电流共享I/O网络中的共同路径、发射噪声和耦合噪声的组合影响。

引言：在FPGA封装模型中对SSN噪声有贡献的因素包括PDN和I/O网络，作者验证了封装模型在SSN仿真以及实现测试数据的相关性，并通过采用封装PDN模型，分析了封装内和片上去耦合电容对噪声消减的有效性。 图1：在FPGA封装中的同步开关噪声。 图2：SSN的实际情况(在这里产生了地弹)。 图3：仿真设置示意图。 图4：对地和带负载的开关I/O的仿真SSN。 图5：不同片上去耦电容实现的频域PDN情况。 图6：开关I/O和不同封装内去耦电容实现的PDN中产生的相对的电源-地噪声