相关资料： 大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法（一）     　　2 实验结果分析及讨论 　　2.1 实验结果分析 　　通过计算各个参数与辐照性能参数的单相关系数得到两种应力实验前后的辐照信息参数，如表1所示。   表1 两种应力实验条件下选择的辐照信息参数     　　表中，A,B两组数据分别为应力实验前后选择的辐照信息参数。分别利用表1中四组辐照信息参数与辐照后的辐照性能参数线性回归拟合，得到以下四个方程 　　Y1 =-25.873 9+0.282 9 X1+0

摘 要： 空间辐射环境会对电子器件产生辐射损伤。由于商用器件性能普遍优于抗辐射加固器件，所以从商用器件中筛选出抗辐射性能优异的器件将在一定程度上提高空间电子系统的可靠性。结合数学回归分析与物理应力实验的方法，研究了集成电路抗辐射性能无损筛选技术。通过不同的外界能量注入及总剂量辐照实验，探究电路典型参数的应变情况与电路耐辐射性能的关系，并确定其辐射敏感参数；建立预测电路抗辐射性能的多元线性回归方程，并对应力条件下的回归方程进行辐照实验验证。结果显示，物理应力实验与数学回归分析结合的筛选方法减小了实