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  1. 如何给汽车系统选择合适的非易失性存储器

  2. [导读]汽车系统的设计变得越来越复杂，因为要不断的加入新的功能，如高级驾驶辅助，图形仪表，车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作，每个子系统均需要使用特定的非易失性存储器，以便在复位操作和电源切换期间存储信息。非易失性存储器用于存储可执行代码或常量数据、校准数据、安全性能和防护安全相关信息等重要数据，以作将来检索用途。 汽车系统的设计变得越来越复杂，因为要不断的加入新的功能，如高级驾驶辅助，图形仪表，车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作，每个子系统均需要使用特

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：272384
    • 提供者：weixin_38665093

  1. 非易失性存储器数据掉电保护的硬件解决方案

  2. 对安全芯片非易失性存储器（NVM）的数据掉电保护原理进行分析。考虑到软件的处理速度不能满足安全芯片对数据存储的性能要求等因素，提出一种以硬件方式实现的NVM数据掉电保护的解决方案。该方案采用乒乓结构，将两块同样大小的Flash空间轮流作为目标区和备份区，每次更新完成后需要对备份标志及备份次数进行更新。如果更新过程中芯片发生掉电，再次上电后通过比较两块区域的备份标志以及备份次数，就可以判断出哪块区域的数据是有效的。该方案不但能保证安全芯片非易失性存储器（NVM）的数据掉电不丢，而且能提高NVM数据

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：215040
    • 提供者：weixin_38625192

  1. 非易失性半导体存储器的相变机制

  2. 非易失性存储器(NVM)在半导体市场占有重要的一席之地，特别是主要用于手机和其它便携电子设备的闪存芯片。今后几年便携电子系统对非易失性存储器的要求更高，数据存储应用需要写入速度极快的高密度存储器，而代码执行应用则要求存储器的随机访存速度更快。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-26
    • 文件大小：179200
    • 提供者：weixin_38705762

  1. 嵌入式非易失性存储器在汽车系统中的应用

  2. 摘要：随着汽车逐渐发展成为高度集成的交通、信息和娱乐系统，其半导体成分不断增多。如今的汽车包含了数以十计的处理器、大量的传感器和各类控制、安全、舒适及通信系统。所有这些系统都需要非易失性存储。关键字：非易失性存储；汽车系统车载系统的存储器有多种不同形式，其容量少则只有数百位，用于存储ID和传感器数据，多则高达数兆字节，用于保存复杂的固件程序。不同系统对非易失性存储

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：136192
    • 提供者：weixin_38715831

  1. 非易失性存储器FeRAM、MRAM和OUM

  2. 本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。 　　铁电存储器(FeRAM) 　　铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前应用于存储器的铁电材料主要有钙钛矿结构系列，包括PbZr1-xTixO3，SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxTi3O12等。铁电存储器的存储原理是基于铁电材料的高介电常数和铁电极化特性，按工作模式可以分为破坏性读出(DRO)和非破坏性读出(NDRO)。DRO模式是利用铁电薄膜的电容

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：135168
    • 提供者：weixin_38503496

  1. Ramtron推出8Mb并口非易失性F-RAM存储器

  2. Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM，具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态 RAM (SRAM) 引脚兼容，主要针对工业控制系统如机器人技术、网络RAID存储解决方案、多功能打印机、自动导航系统，以及各种基于SRAM的系统设计。 　　Ramtron 市场推广经理Mike Peters

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：65536
    • 提供者：weixin_38733333

  1. 赛普拉斯推出业界最高密度、无需电池的非易失性RAM系统

  2. 赛普拉斯半导体公司的子公司AGIGA技术公司近日宣布推出拥有市场上最高密度、最快速度的非易失性RAM系统。AGIGARAM非易失性系统（NVS）的最新CAPRI系列可提供介于256 megabytes (2048 megabits) 和 2 gigabytes (16 gigabits)之间的存储密度。这一便于使用的交钥匙系列产品使用DDR2 SDRAM接口提供最高达800 MHz的等同于DRAM的峰值传输速率。CAPRI系列能够使很多有价值的系统功能成为可能，例如零待机功耗、抗断电、快速开机/

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：59392
    • 提供者：weixin_38655987

  1. AGIGA采用业界最高密度非易失性RAM系统

  2. 赛普拉斯半导体公司的子公司AGIGA技术公司近日宣布推出拥有市场上最高密度、最快速度的非易失性RAM系统。AGIGARAM非易失性系统（NVS）的最新CAPRI系列可提供介于256 megabytes(2048 megabits)和2 gigabytes (16 gigabits)之间的存储密度。这一便于使用的交钥匙系列产品使用DDR2 SDRAM接口提供最高达800 MHz的等同于DRAM的峰值传输速率。CAPRI系列能够使很多有价值的系统功能成为可能，例如零待机功耗、抗断电、快速开机/恢复、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：68608
    • 提供者：weixin_38571603

  1. 非易失性半导体存储器的相变机制

  2. 非易失性存储器(NVM)在半导体市场占有重要的一席之地，特别是主要用于手机和其它便携电子设备的闪存芯片。今后几年便携电子系统对非易失性存储器的要求更高，数据存储应用需要写入速度极快的高密度存储器，而代码执行应用则要求存储器的随机访存速度更快。 　　经过研究人员对浮栅存储技术的坚持不懈的研究，现有闪存的技术能力在2010年底应该有所提升，尽管如此，现在人们越来越关注有望至少在2020年末以前升级到更小技术节点的新式存储器机制和材料。 　　目前存在多种不同的可以取代浮栅概念的存储机制，相变存储器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：138240
    • 提供者：weixin_38584043

  1. 非易失性并行存储器的应用

  2. １引言 　　半导体存储器通常在电路中用于存放程序或数据。在长期的电路实践中，笔者发现，通过向非易失性（即掉电不会丢掉所存数据）并行存储器的存储单元写入特定的数据，并合理地安排并行存储器的地址线（Ａｎ）、数据线（Ｄｎ）和使能（ＣＥ）、门控（ＯＥ）控制线引脚的功能，可以非常巧妙地将其作为组合逻辑芯片使用，大大简化了电路的硬件设计。尤其在存储器价格相当低廉的今天，合理、巧妙地使用非易失性并行存储器，不仅可以简化电路、方便调试、提高可靠性，还能有效地降低研发成本。本文将对非易失性并行存储器作为多功能组

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：239616
    • 提供者：weixin_38516491

  1. 几种新型非易失性存储器

  2. 引 言 　　更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时问、更低成本和更高可靠性是存储器设计和制造者追求的永恒目标。根据这一目标，人们研究各种存储技术，以满足应用的需求。本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。 　　铁电存储器(FeRAM) 　　铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前应用于存储器的铁电材料主要有钙钛矿结构系列，包括PbZr1-xTixO3，SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxT

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：131072
    • 提供者：weixin_38690376

  1. 通信与网络中的RAMTRON推出首款非易失性状态保持器

  2. RAMTRON推出半导体行业首款非易失性状态保持器，这种新颖的器件可按要求保存信号状态，并在上电时自动恢复到正确状态。FRAM独特的高速写入能力和几乎无限次的读写寿命保证了这种功能。 　　Ramtron新推出的低功耗非易失性状态保持器系列目前有两款产品：FM1105和FM1106，工作电压分别为5V与3V。两款器件都采用小型SOT23封装。而该系列的其它产品已在规划中。 　　这种状态保存器使用起来就像D型触发器一样简单。它的使用类似传统逻辑电路，但在断电时可自动存储和保持逻辑状态，从而简化

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    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：71680
    • 提供者：weixin_38688403

  1. Ramtron推出首款内嵌非易失性FRAM的增强型MCU..

  2. Ramtron International日前发布全球第一款嵌入了非易失性FRAM存储器的8051 MCU—VRS51L3074。Ramtron将FRAM加入其高速灵活的Versa 8051系列产品中，以实现设计高速及高可靠性的非易失性数据存储和处理系统，而该系统只有嵌入了FRAM的增强型MCU才能提供。       Ramtron加拿大公司总经理Irv Lustigman解释道：“VRS51L3074能在微控制器中展现FRAM的全部优点，这项突破性的进步将会根本地扭转微控制器的发展里程。V

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：75776
    • 提供者：weixin_38694529

  1. Ramtron推出首款内嵌非易失性FRAM的增强型MCU

  2. Ramtron International发布全球第一款嵌入了非易失性FRAM存储器的8051 MCU—VRS51L3074。Ramtron将FRAM加入其高速灵活的Versa 8051系列产品中，以实现设计高速及高可靠性的非易失性数据存储和处理系统，而该系统只有嵌入了FRAM的增强型MCU才能提供。 　　Ramtron加拿大公司总经理Irv Lustigman解释道：“VRS51L3074能在微控制器中展现FRAM的全部优点，这项突破性的进步将会根本地扭转微控制器的发展里程。VRS51L3

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-02
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38645373

  1. 汽车电子中的嵌入式非易失性存储器在汽车系统中的应用

  2. 随着汽车逐渐发展成为高度集成的交通、信息和娱乐系统，其半导体成分不断增多。如今的汽车包含了数以十计的处理器、大量的传感器和各类控制、安全、舒适及通信系统。所有这些系统都需要非易失性存储。       车载系统的存储器有多种不同形式，其容量少则只有数百位，用于存储ID和传感器数据，多则高达数兆字节，用于保存复杂的固件程序。不同系统对非易失性存储器(NVM)的要求不同，但无一例外都希望它便宜、可靠、安全并易于在系统中实现。本文深入探讨了一些常见应用，阐述了它们所需要的存储器要求和特性。     

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：95232
    • 提供者：weixin_38607088

  1. Ramtron推出首个4兆位非易失性FRAM存储器

  2. Ramtron International Corporation宣布推出半导体业界首个4兆位 (Mb) FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38695061

  1. 赛普拉斯推出小型非易失性SRAM系列产品

  2. 赛普拉斯宣布推出首款非易失性SRAM（nvSRAM），该存储器在断电情况下，无需电池就能实现内部数据存储。由于不再需要外部电池，因此Cypress提供的符合RoHS标准的高速器件比其他备选解决方案所采用的封装尺寸更小。nvSRAM理想适用于要求连续高速数据写入且确保非易失数据绝对安全的任何应用，如独立磁盘冗余阵列 (RAID)应用、复印机、PoS终端、手持式仪表和消费类电子产品等。 　　赛普拉斯的nvSRAM采用外部电容上存储的电荷而不是电池供电，从而，我们就可以采用标准PCB组装工艺来制造

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-29
    • 文件大小：79872
    • 提供者：weixin_38610657

  1. MONOS型非易失性存储器中作为电荷存储层的ZnO量子点的特性

  2. 长期以来，人们一直在研究以量子点（QD）作为电荷存储层（CSL）的MONOS型非易失性存储设备，以取代传统的多晶硅浮栅存储器，因为它具有以下优点：工作电压较小，编程/擦除速度更快，更小的尺寸，更好的耐用性以及更高的位存储密度。 作为关键部分，已经广泛研究了不同类型的半导体量子点，例如GeError！ 找不到参考源。，SiCError！ 找不到参考源。，SiGeError！ 找不到参考源。InP和ZnO。 在这项工作中，已研究了不同的溅射厚度和沉积后退火（PDA）温度对ZnO QDs形成尺寸的影响

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-25
    • 文件大小：460800
    • 提供者：weixin_38611877

  1. Sonos型非易失性存储微电子工程中使用HfAlO复合氧化物薄膜增强电荷俘获性能133，88 * 2015）

  2. Sonos型非易失性存储微电子工程中使用HfAlO复合氧化物薄膜增强电荷俘获性能133，88 * 2015）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-17
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38502929

  1. 嵌入在HfO2基质中的Au-Al2O3核壳纳米晶体改善了非易失性存储器的性能

  2. 在本文中，我们展示了一种嵌入HfO2高k电介质中的Au-Al2O3核壳纳米晶体（NC）的电荷陷阱存储器。 透射电子显微镜图像清楚地显示了在HfO2基质中被Al2O3壳包围的Au NCs。 电气测量显示出相当大的存储窗口（在+/- 8V时为3.6V），较低的编程/擦除操作电压以及良好的耐久性。 特别是，与没有外壳的NC结构相比，在室温和高温下数据保留都得到了改善。 给出了能带模型以改善保留特性。 这种Au-Al2O3核壳NCs存储设备在未来的高性能非易失性存储应用中具有强大的潜力。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-16
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38571759
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