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  1. 单片机应用技术选编（7）

  2. 内容简介 　　 《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇，其中全文编入的有113篇，摘要编入的397篇。全书共分八章，即单片机综合 应用技术；智能仪表与测试技术；网络、通信与数据传输；可靠性与抗干扰技术；控制系统 与功率接口技术；电源技术；实用设计；文章摘要。 　　 本书具有重要实用价值，书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动，提高单片机应用技术水平，是从事单片机应用 开发技

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-05-19
    • 文件大小：13631488
    • 提供者：zgraeae

  1. 嵌入式系统/ARM技术中的串行接口的FRAM RFID LSI概述

  2. 铁电随机存储器（FRAM） RFID由于存储容量大、擦写速度快一直被用作数据载体标签。内置的串行接口可将传感器与RFID连接在一起，从而丰富了RFID应用。铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型。 　　FRAM 概述 　　作为行业中最大的铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memory）供应商，富士通公司

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：143360
    • 提供者：weixin_38567813

  1. 单片机与DSP中的解析I/O并行口直接驱动LED显示

  2. AT89S51是一个低功耗，高性能CMOS8位单片机，片内含4kBytesISP（In-systemprogrammable）的可反复擦写1000次的Flash只读程序存储器，器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术制造，兼容标准MCS-51指令系统及80C51引脚结构，芯片内集成了通用8位中央处理器和ISPFlash存储单元，功能强大的微型计算机的AT89S51可为许多嵌入式控制应用系统提供高性价比的解决方案。 　　1.     实验任务 　　如图13所示，利用AT89S51单片机的P

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：72704
    • 提供者：weixin_38717579

  1. 赛普拉斯F-RAM添加新的封装方式和温度选项

  2. 赛普拉斯半导体公司日前宣布，其铁电随机存取存储器（F-RAM）产品系列中的1Mb并行异步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封装方式，其2 Mb串行外设接口（SPI）F-RAM的温度范围扩展为-40℃至 +105℃。 　　新封装方式可在替代标准的电池供电的SRAM时实现管脚兼容，应用于工业自动化、计算、网络和汽车电子应用中的关键任务系统中。F-RAM与生俱来的非易失性可以实现瞬间数据捕获，无需电池即可实现长达百年的保存时间。弃用电池可以降低系统成本和复杂性。2 Mb SPI F-RAM

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：55296
    • 提供者：weixin_38729607

  1. PIC单片机与串行闪存的SPI接口设计

  2. PIC单片机以性能稳定、品种众多等特点在工业控制、仪器仪表、家电、通信等领域得到广泛应用。虽然很多型号自身集成了存储器，但在很多情况下难以满足系统对大容量存储的要求，需要外扩非易失性的存储器。与并行Flash存储器相比，串行Flash存储器占用MCU引脚少...

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：288768
    • 提供者：weixin_38640984

  1. 一种新型非易失性存储器的原理及应用

  2. 纵观目前低容量并行接口的非易失存储器市场，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占据了市场主流，其中EEPROM的供应厂家很多，其中以ATMEL，ST等厂家占主导地位，FRAM只有美国RAMTRON公司一技独秀，而采用SRAM+BAKBAT方式的厂家，目前DALLAS占据了大部分市场空间，国内也有几家公司提供类似产品，其中比较知名的如HK等。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：115712
    • 提供者：weixin_38703823

  1. 单片机与DSP中的TMS320VC5509在线烧写Flash并自举启动方法研究

  2. 摘要：为了解决TMS320VC55X 系列DSP 系统程序代码的保存问题，设计了一种利用JTAG 接口，在线烧写Flash 并实现自举启动的方法。这种在线编程的方法利用并行外部存储器加载（EMIF）接口将TMS320VC5509 和Flash 芯片相连接， 通过搬移程序将应用程序的已初始化段按照C55X 系列DSP 引导表格式烧写进外部扩展的Flash 存储器中，从而实现自举启动。该方法为DSP 系统的软件维护和升级带来了方便，具有实际的应用价值。 　　随着数字信号处理技术的快速发展，DSP

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-03
    • 文件大小：311296
    • 提供者：weixin_38551376

  1. 单片机与DSP中的PIC单片机与串行闪存的SPI接口设计

  2. 引  言 　　PIC单片机以性能稳定、品种众多等特点在工业控制、仪器仪表、家电、通信等领域得到广泛应用。虽然很多型号自身集成了存储器，但在很多情况下难以满足系统对大容量存储的要求，需要外扩非易失性的存储器。与并行Flash存储器相比，串行Flash存储器占用MCU引脚少，体积小，易于扩展，接线简单，工作可靠，故而越来越多地应用在各类电子产品和工业测控系统中。本文主要讨论PIC16F877A单片机与串行闪存M25P16之间的SPI通信，在要求大容量数据存储且MCU引脚资源有限的情况下具有实用价值

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：261120
    • 提供者：weixin_38524472

  1. 非易失性并行存储器的应用

  2. １引言 　　半导体存储器通常在电路中用于存放程序或数据。在长期的电路实践中，笔者发现，通过向非易失性（即掉电不会丢掉所存数据）并行存储器的存储单元写入特定的数据，并合理地安排并行存储器的地址线（Ａｎ）、数据线（Ｄｎ）和使能（ＣＥ）、门控（ＯＥ）控制线引脚的功能，可以非常巧妙地将其作为组合逻辑芯片使用，大大简化了电路的硬件设计。尤其在存储器价格相当低廉的今天，合理、巧妙地使用非易失性并行存储器，不仅可以简化电路、方便调试、提高可靠性，还能有效地降低研发成本。本文将对非易失性并行存储器作为多功能组

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：239616
    • 提供者：weixin_38516491

  1. 高速读/写性能、低电压的F-RAM存储器（Ramtron）

  2. Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款产品，具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM产品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外设接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8脚SOIC封装，其特点是快速访问、无延迟(NoDelay:trade_mark:) 写入、1E14读/写次数和低功耗。FM25V10是工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：63488
    • 提供者：weixin_38606897

  1. Ramtron推出2兆位并行存储器产品FM21L16

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出2兆位并行存储器产品，进一步扩展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44脚TSOP-II封装的3V、2Mb并行非易失性RAM，具有访问速度快、NoDelay无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。FM21L16与异步静态RAM(SRAM)管脚兼容，其目标应用是以SRAM为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。        F

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-03
    • 文件大小：87040
    • 提供者：weixin_38650516

  1. Ramtron最新并行存储器FM21L16具备2Mb非易失性RAM

  2. 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出2兆位并行存储器产品，进一步扩展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44脚TSOP-II封装的3V、2Mb并行非易失性RAM，具有访问速度快、NoDelay无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。FM21L16与异步静态RAM(SRAM)管脚兼容，其目标应用是以SRAM为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。 　　FM21L1

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38713717

  1. RAMTRON推出2兆位 （Mb） 并行存储器产品

  2. 非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation推出2兆位 (Mb) 并行存储器产品，进一步扩展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44脚TSOP-II封装的3V、2Mb并行非易失性RAM，具有访问速度快、NoDelay 无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。FM21L16与异步静态RAM (SRAM) 管脚兼容，其目标应用是以SRAM为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-01
    • 文件大小：66560
    • 提供者：weixin_38698590

  1. Ramtron推出首个4兆位非易失性FRAM存储器

  2. Ramtron International Corporation宣布推出半导体业界首个4兆位 (Mb) FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-30
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38695061

  1. Ramtron推出业界首个4兆位非易失性FRAM存储器

  2. 非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出半导体业界首个4兆位(Mb)FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封(TSOP)的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM(SRAM)在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38700430

  1. Ramtron 推出4兆位非易失性FRAM存储器

  2. Ramtron International Corporation宣布推出业界首个4兆位 (Mb) FRAM存储器，其容量是原有最大FRAM存储器容量的四倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封 (TSOP) 的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。 　　 FM22L16

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：57344
    • 提供者：weixin_38539053

  1. 铁电存储器FM3808在TMS320VC5402系统中的应用

  2. 摘要：FM3808是Ramtrom公司生产的新型超低功耗非易失铁电存储器，该器件可支持对存储区的高速读写，并可进行近乎无限次的写入。FM3808内部除具有256kB的存储阵列外还集成了实时时钟和系统监控模块，因而功能十分强大。文中介绍了FM3808的性能特点、内部结构和工作原理，分析了TMS320VC5402 DSP的并行引导装载模式。给出了DSP与FM3808组成的并行引导接口方案。      关键词：铁电存储器 数字信号处理器 并行引导装载模式 FM3808 1 引言 铁电存储器（F

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：140288
    • 提供者：weixin_38691641

  1. 一种新型非易失性存储器的原理及应用

  2. 摘要：本文详细了介绍了德国ZMD公司的非易失性存储器（NvSRAM）的原理、种类及应用。德国ZMD公司的非易失性存储器采用SRAM+EEPROM方式，巧妙地将两种存储技术集成进一个芯片之中，降低了成本，提高了可靠性。本文除介绍芯片原理之外，还提供了参考框图。 关键词：ZMD，nvSRAM，非易失性存储器，掉电非易失   纵观目前低容量并行接口的非易失存储器市场，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占据了市场主流，其中EEPROM的供应厂家很多，其中以ATMEL，ST等厂家占

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：105472
    • 提供者：weixin_38503233

  1. 一种新型非易失性存储器的原理及应用

  2. 摘要：本文详细了介绍了德国ZMD公司的非易失性存储器（NvSRAM）的原理、种类及应用。德国ZMD公司的非易失性存储器采用SRAM+EEPROM方式，巧妙地将两种存储技术集成进一个芯片之中，降低了成本，提高了可靠性。本文除介绍芯片原理之外，还提供了参考框图。关键词：ZMD，nvSRAM，非易失性存储器，掉电非易失纵观目前低容量并行接口的非易失存储器市场，EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占据了市场主流，其中EEPROM的供应厂家很多，其中以ATMEL，ST等厂家占主导地位，FR

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：86016
    • 提供者：weixin_38513669

  1. 铁电存储器在存储测试系统中的应用

  2. 为了实现环境试验的存储测试系统，采用了FRAM存储器M28W640结合SOC片上系统C8051F340的设计，通过分析其性能和接口电路，编写了相应的读写程序。由于这种并行非易失性存储测试技术方式具有高速读写、超低功耗、几乎无限次擦写，读写程序编写简便的优点，非常适合在此类存储测试系统中使用。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-31
    • 文件大小：524288
    • 提供者：weixin_38685694
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