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  1. 过饱和状态下交叉口车辆延误和排队长度模型研究_李凤.caj

  2. 数学建模A 排队长度 过饱和状态下交叉口车辆延误和排队长度模型研究_李凤.caj

  3. 所属分类：交通

    • 发布日期：2013-09-14
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：zhiyun0088

  1. 干燥及饱和岩石循环加卸载过程中声发射特征试验研究

  2. 利用YAG-3000微机控制岩石刚性试验机和PCI-Ⅱ声发射监测系统,对中关铁矿深部闪长岩分别进行干燥、饱和2种条件下循环加卸载过程的声发射试验,以探讨这2种含水条件下岩石的力学特性、声发射特征、加卸载响应比的变化情况。结果表明:水对岩石的力学特性和声发射特征具有不同程度的影响。岩样从干燥状态到饱和状态,其抗压强度降低了6.96%;整个加卸载过程中,饱和岩样的声发射能量累积数为干燥岩样的17.94%,且试件发生宏观破坏之前,饱和岩样的声发射能量累积数为干燥岩样的4.6%;干燥岩样的加卸载响应比的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-03
    • 文件大小：445440
    • 提供者：weixin_38681082

  1. 饱和状态下火烧蚀变煤岩抗压强度评定研究

  2. 饱和状态下的岩石立方体(或圆柱体)试件的抗压强度可用来评定岩石强度,以便于岩石的强度分级和岩性描述。对新疆别斯库都克露天煤矿火烧区火烧蚀变岩、火烧砂岩及原煤进行采样,开展饱和状态下火烧蚀变岩、火烧砂岩及原煤的强度评定实验研究,得到不同火烧蚀煤岩的强度特性曲线,并进行强度分级和岩性描述,为新疆别斯库都克露天煤矿火烧区边坡煤岩体的稳定分析和区域划分提供科学依据。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-21
    • 文件大小：613376
    • 提供者：weixin_38747818

  1. 聚磁式OCT铁心饱和特性的非线性数字补偿

  2. 聚磁式OCT铁心饱和特性的非线性数字补偿，韦兆碧，马志瀛，论文选用聚磁式OCT进行研究，针对聚磁铁心的饱和特性提出了一种非线性数字补偿方法，通过软件实现了聚磁式OCT铁心低饱和状态下的非

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-27
    • 文件大小：563200
    • 提供者：weixin_38735782

  1. 三极管饱和状态的讨论

  2. 三极管的饱和状态的判定与用法，看完以后茅塞顿开

  3. 所属分类：硬件开发

  1. UDF 饱和蒸汽密度随温度的变化

  2. 饱和状态条件下蒸汽密度随温度的变化，采用分段线性差分的方法

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2012-10-09
    • 文件大小：2048
    • 提供者：xjthtian

  1. 干燥和饱和状态下砂岩力学特性试验研究

  2. 为了研究岩石的基本力学特性及水对岩体的影响,利用岩石全自动三轴伺服仪,分别对干燥、饱和砂岩标准试样进行常规三轴压缩力学试验,探讨砂岩在不同荷载作用下的应力—应变曲线特征、变形、峰值强度及破坏形式等力学特性。试验结果表明,岩样从干燥状态到饱和状态,相同围压下,弹性模量平均下降了9.24%,峰值强度平均下降了12.4%。采用Hoek-Brown强度准则和Mohr-Coulomb强度准则分别对峰值强度进行模拟,模拟结果表明前者的模拟效果优于后者。干燥和饱和砂岩的应力—应变曲线均依次经历了裂纹闭合阶段、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-06-25
    • 文件大小：363520
    • 提供者：weixin_38571104

  1. 关于三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断

  2. 本文主要讲了关于三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断，希望对你的学习有所帮助。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-15
    • 文件大小：305152
    • 提供者：weixin_38741317

  1. 基于土柱淋滤实验的煤矸石饱和状态下溶质释放过程研究

  2. 针对煤矸石山在降水淋滤作用下对矿区周边地下水造成污染的严重问题,用实验模拟法对包头石拐区一废弃煤矿进行饱和状态下煤矸石的淋滤实验研究。结果表明:煤矸石中Ca、Mg、Fe、Cu、Zn、NO3、SO42、Cl的淋滤过程都遵循浓度先升高再降低到稳定值的基本规律,只是NO3、SO42、Cl的淋出速率明显大于重金属的淋出速率,Ca和Mg、SO42和Cl、Pb和Cr、Cd有相似的淋出机制;重金属最强淋出率从大到小的顺序是Mg>Cd>Ca>Cu>Zn>Cr>Fe>Pb

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：754688
    • 提供者：weixin_38697444

  1. 关于三极管的工作状态

  2. 三极管的工作状态 三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的三极管的三种状态也叫三个工作区域 1. 截止状态  当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。一般将IB≤0的区域称为截止区， 在图中为IB＝0的一条曲线的以下部分。此时IC也近似为零。由于各极电流都基本上等于零， 因而此时三极管没有放大

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：126976
    • 提供者：weixin_38649091

  1. 三极管饱和和深度饱和状态的理解和判断

  2. 本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-20
    • 文件大小：94208
    • 提供者：weixin_38631738

  1. 9013基极电流达到多少才能饱和

  2. 1.在实际工作中，常用Ib*=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 2.集电极电阻 越大越容易饱和； 3.饱和区的现象就是：二个PN结......

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-18
    • 文件大小：67584
    • 提供者：weixin_38692707

  1. 三极管的饱和状态讨论

  2. 下面我们来讨论下究竟什么叫三极管的饱和，到底什么是饱和压降，BE正偏，BC反偏就是饱和呢，还是当晶体管处于饱和状态时，其基极电流对晶体管的控制将失去作用呢。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-29
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38655484

  1. 三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断

  2. 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-04
    • 文件大小：73728
    • 提供者：weixin_38685876

  1. 三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！

  2. 三极管饱和问题总结及相关问题解答。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-12
    • 文件大小：303104
    • 提供者：weixin_38698403

  1. 元器件应用中的三极管饱和和深度饱和状态的理解和判断

  2. 本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。 　　三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和;倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和; 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和? 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：271360
    • 提供者：weixin_38707192

  1. 基础电子中的三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！

  2. 三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和。 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和？ 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：278528
    • 提供者：weixin_38539018

  1. 过饱和状态下道路单交叉口的延误模型建立

  2. 针对排队车辆在一个绿灯相位内不能完全消散的情况，建立了过饱和状态下道路单交叉口的延误模型。随着物联网技术及数据采集与处理精度的提高，可主要分析测量断面车辆到达率和离开率的相关规律，经机理分析，分别对单相位路口、两相位单交叉口和四相位单交叉口进行建模。采用所建立的过饱和交叉口延误模型，可寻求最小延误重新分配各路口的绿灯时间，以缓解城市道路过饱和的状况。仿真结果验证了所建模型的准确性。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：774144
    • 提供者：weixin_38572960

  1. 三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！

  2. 三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和。 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和？ 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：300032
    • 提供者：weixin_38504417

  1. 晶体管的饱和状态和饱和压降

  2. 众所周知，一个普通的双极型晶体管有二个PN结、三种工作状态（截止、饱和、放大）和四种运用接法（共基、共发、共集和倒置）。对这两个PN结所施 加不同的电位，就会使晶体管工作于不同的状态：两个PN结都反偏——晶体管截止；两个PN结都导通——晶体管饱和：一个PN结正偏，一个PN结反偏——晶 体管放大电路（注意：如果晶体管的发射结反偏、集电结正偏，就是晶体管的倒置放大应用）。要理解晶体管的饱和，就必须先要理解晶体管的放大原理。 　　从 晶体管电路方面来理解放大原理，比较简单：晶体管的放大能力

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：107520
    • 提供者：weixin_38673909
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