点数信息
www.dssz.net
注册会员
|
设为首页
|
加入收藏夹
您好,欢迎光临本网站!
[请登录]
!
[注册会员]
!
首页
移动开发
云计算
大数据
数据库
游戏开发
人工智能
网络技术
区块链
操作系统
模糊查询
热门搜索:
源码
Android
整站
插件
识别
p2p
游戏
算法
更多...
在线客服QQ:632832888
当前位置:
资源下载
搜索资源 - 高密度感应耦合等离子体中合成的嵌入低氧化硅中的纳米晶硅
下载资源分类
移动开发
开发技术
课程资源
网络技术
操作系统
安全技术
数据库
行业
服务器应用
存储
信息化
考试认证
云计算
大数据
跨平台
音视频
游戏开发
人工智能
区块链
在结果中搜索
所属系统
Windows
Linux
FreeBSD
Unix
Dos
PalmOS
WinCE
SymbianOS
MacOS
Android
开发平台
Visual C
Visual.Net
Borland C
CBuilder
Dephi
gcc
VBA
LISP
IDL
VHDL
Matlab
MathCAD
Flash
Xcode
Android STU
LabVIEW
开发语言
C/C++
Pascal
ASM
Java
PHP
Basic/ASP
Perl
Python
VBScript
JavaScript
SQL
FoxBase
SHELL
E语言
OC/Swift
文件类型
源码
程序
CHM
PDF
PPT
WORD
Excel
Access
HTML
Text
资源分类
搜索资源列表
高密度感应耦合等离子体中合成的嵌入低氧化硅中的纳米晶硅
埋在次氧化硅(SiOx)的介电基体中的纳米晶硅(nc-Si)两相材料系统对于光子和光伏器件(例如发光二极管和太阳能电池)具有重要的技术意义。 非晶态SiOx中的nc-Si是通过SiH4 + CO2 + H-2的低频(460 kHz)电感耦合等离子体(LFICP)合成的,而没有常见的高氢稀释途径。 复合材料系统的化学组成,微观结构和光学性质可通过CO2 / SiH4的React气体流速比来调节。 借助SEM和TEM表征工具观察到由于相分离而嵌入非晶SiOx中的nc-Si。 nc-SiOx:H中
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-13
文件大小:1048576
提供者:
weixin_38649091