高应变 InxGa1-xAs 薄膜的结晶质量及光学特性

通过分子束外延(MBE)生长技术，在GaAs(100)基片上生长出单晶InxGa1-xAs薄膜，利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实时监控薄膜生长情况。对InxGa1-xAs薄膜进行了X射线衍射(XRD)测试，结果显示该薄膜为高质量薄膜，且In组分(原子数分数)为0.51。光致发光(PL)光谱测试结果表明，室温下发光峰位约为1.55 μm；由于InxGa1-xAs薄膜中存在压应变，光谱峰位出现蓝移。Raman光谱显示GaAs-like横向光学声子(TO)模式的峰出现了明显展宽，验证了InxGa