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搜索资源 - 高电源抑制的基准源的设计方案
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2G/3G多频段射频收发芯片的工作原理及应用设计
随着中国3G发展步伐的加快,3G网络建设进入规模性发展,室内覆盖成为运营商和设备系统厂商共同关注的焦点。面对未来多系统共存的状况,如何构建一个经济有效、性能稳定、功耗低、体积小且施工灵活的多网合路室内分布系统是现有运营商急需解决的问题,也是建设3G网络的焦点之一。 针对上述应用要求,广嘉设计了一款芯片BG822CX,可实现GSM900、GSM1800、GSM1900、IS-95、 TD-SCDMA、SCDMA、PHS和 WCDMA多种制式收发功能,并且采用高中频输出结构,适合于五类线传输。本产
所属分类:
嵌入式
发布日期:2009-06-19
文件大小:5120
提供者:
flair9999
单片机应用技术选编(7)
内容简介 《单片机应用技术选编》(7) 选编了1998年国内50种科技期刊中有关单片机开发应用的文 章共510篇,其中全文编入的有113篇,摘要编入的397篇。全书共分八章,即单片机综合 应用技术;智能仪表与测试技术;网络、通信与数据传输;可靠性与抗干扰技术;控制系统 与功率接口技术;电源技术;实用设计;文章摘要。 本书具有重要实用价值,书中介绍的新技术、新器件以及单片机应用系统的软、硬件资 料有助于减少产品研制过程中的重复性劳动,提高单片机应用技术水平,是从事单片机应用 开发技
所属分类:
硬件开发
发布日期:2010-05-19
文件大小:13631488
提供者:
zgraeae
高电源抑制的带隙基准源设计方案
本文通过结合LDO与Brokaw基准核心,设计出了高PSR的带隙基准,此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB,最高PSR为-36 dB,温漂可以达到7.5 ppm,适用于电子镇流器芯片。本设计还优化了启动部分,使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-02
文件大小:72704
提供者:
weixin_38688745
电源技术中的高电源抑制的带隙基准源设计方案
本文通过结合LDO与Brokaw基准核心,设计出了高PSR的带隙基准,此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB,最高PSR为-36 dB,温漂可以达到7.5 ppm,适用于电子镇流器芯片。本设计还优化了启动部分,使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。 1 电路结构 1.1 基准核心 目前的基准核心可以有多种实现方案:混合电阻,Buck voltage transfer cell,但是修调复杂,不宜工业化。本设计采用Brokaw基准核心,其较易实现高压基准输出,并且其温
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-16
文件大小:229376
提供者:
weixin_38576045
电源技术中的高电源抑制的基准源的设计方案
电子镇流器的供电方式为半桥输出接稳压管给芯片供电,其输出电压为高压正弦波(50~100 kHz),加之芯片内数字部分的干扰,这就给芯片的电源带来较大的干扰。因此对芯片内基准的中频PSR(Power Supply Rejection,电源抑制)有较大要求。本文从此角度在Brokaw带隙基准的基础上进行改进,采用LDO与基准的级联设计来增加其PSR。 1 电路结构 1.1 基准核心 目前的基准核心可以有多种实现方案:混合电阻,Buck voltage transfer cell,但
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-23
文件大小:231424
提供者:
weixin_38559346
高电源抑制的基准源的设计方案
电子镇流器的供电方式为半桥输出接稳压管给芯片供电,其输出电压为高压正弦波(50~100 kHz),加之芯片内数字部分的干扰,这就给芯片的电源带来较大的干扰。因此对芯片内基准的中频PSR(Power Supply Rejection,电源抑制)有较大要求。本文从此角度在Brokaw带隙基准的基础上进行改进,采用LDO与基准的级联设计来增加其PSR。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-21
文件大小:230400
提供者:
weixin_38663608
一种基于MEMS传感器基准电流源设计
基于微机电系统传感器工作原理,提出了一种应用于MEMS传感器系统的低温度系数和高电源抑制比基准电流源设计方案。在研究传统Widlar型基准电流源结构基础上,运用BJT小信号模型分析,得出通过增大反馈环路增益来提高PSRR的结论。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-25
文件大小:350208
提供者:
weixin_38576229
高电源抑制的带隙基准源设计方案
本文通过结合LDO与Brokaw基准,设计出了高PSR的带隙基准,此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB,PSR为-36 dB,温漂可以达到7.5 ppm,适用于电子镇流器芯片。本设计还优化了启动部分,使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。 1 电路结构 1.1 基准 目前的基准可以有多种实现方案:混合电阻,Buck voltage transfer cell,但是修调复杂,不宜工业化。本设计采用Brokaw基准,其较易实现高压基准输出,并且其温漂、PSR及启动特性
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-13
文件大小:291840
提供者:
weixin_38702931