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  1. 一种高精度自偏置带隙基准源设计

  2. 带隙基准源是集成电路的基本组成部分。在此对传统 CMOS带隙基准源电路的分析和总结上 ,基于无锡上华的 015μm混合 CMOS工艺 ,应用电流镜共源共栅结构的屏蔽作用 ,并结合一级温度补偿、 电流反馈技术和运放电路 ,设计一款 高电源抑制比、 低温度系数及自偏置电压带隙基准源电路。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-12-08
    • 文件大小：327680
    • 提供者：zz269057460

  1. 无线传感器网络SoC芯片电源模块LDO的设计.pdf

  2. 无线传感器网络SoC芯片电源模块LDO的设计pdf,无线传感器网络SoC芯片电源模块LDO的设计口经验交流口 仪器仪表用户 △Vo Re t 12 瞬间下拉,进入系统的动态调节过程,输出电流增加 输出重新进入稳定状态点。同样,当负载电流瞬间减 3)瞬态特性 小,引起电路新的动态调节,最终进入稳定状态点。表 瞬态特性为负载电流突变时引起输出电压的最1给出LDO仿真结果。 大变化,它是输出电容C及其等效串联电阻Rs和旁 表1LDO仿真结果 路电容C的函数,其中旁路电容C的作用是提高负载 参数 典型值

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-10-13
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25~＋120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：89088
    • 提供者：weixin_38618746

  1. 高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 本文所采用的基准源电路利用传统带隙基准源的核心电路原理，通过饱和状态MOS等效电阻对PTAT电流动态反馈补偿，基本实现了基准源的稳定要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-11
    • 文件大小：311296
    • 提供者：weixin_38680957

  1. 电源技术中的一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计

  2. 一种结构简单的基于LDO稳压器的带隙基准电压源，以BrokaW带隙基准电压源结构为基础来进行设计。采用Cadence的Spectre仿真工具对电路进行了完整模拟仿真，-20～125℃温度范围内，基准电压温度系数大约为17.4 ppm/℃，输出精度高于所要求的5‰;在1 Hz到10 kHz频率范围内平均电源抑制比(PSRR)为-46.8 dB。电路实现了良好的温度特性和高精度输出。     关键词：带隙基准;LDO稳压器;温度系数;电源抑制比;运算放大器     CMOS带隙基准电压源不但能够

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：243712
    • 提供者：weixin_38550605

  1. 一种用于高精度DAC的实用型CMOS带隙基准源

  2. 为了满足一种高速、高精度DAC的设计要求。通过带隙基准电压源的基本设计原理，设计了一种实用型的基准电压源，获得了一个快速启动、高稳定性的电压基准电路。基于40 nm的CMOS标准工艺并用cadence软件进行了后仿真，仿真结果表明在室温下，电源电压为2.5 V时输出基准电压为1.184 V；启动时间为0.5 μs；消耗功耗为0.185 5 mW；在-15 ℃～75 ℃的温度范围内温度漂移系数为8.7×10-5/℃；在低频时电源电压抑制比为-85 dB；绘制版图的面积大小仅为154.799 μm×

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：402432
    • 提供者：weixin_38502239

  1. 电源技术中的一种高精度带隙基准电压源电路的实现

  2. 1　引言 　　近年来，模拟集成电路设计技术随着CMOS工艺技术一起得到了飞速的发展，芯片系统集成（sys2temonchip）技术已经受到学术界及工业界广泛关注。随着电路系统结构的进一步复杂化，对模拟电路基本模块，如A/D、D/A转换器，滤波器电路以及锁相环等电路提出了更高精度及速度的要求。由于带隙基准电压、电流源电路的输出电压及电流几乎不受温度和电源电压变化的影响，这就使得片内集成的带隙基准电压、电流源电路成了模拟集成电路芯片中不可缺少的关键部件。传统的基准电压源电路在0～70℃的温度范围内

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：434176
    • 提供者：weixin_38609002

  1. 电源技术中的一款高精度基准电压源的设计方案

  2. 摘要：随着深亚微米CMOS工艺的发展，尺寸按比例不断缩小，对芯片面积的挑战越来越严重，双极型晶体管以及高精度电阻所占用的面积则成为一个非常严重的问题。鉴于此，本文提出了一款高精度的基准电压源的设计方案，经证实，该电路具备占用芯片面积小，精度高，可移植性强的优势特性。 　　0 引 言 　　随着集成电路的发展，一个高稳定、高精度的基准电压源变得越来越重要。特别是在D/A,A/D转换以及PLL电路中，温度稳定性和精度之间关系到整个电路的精确度和性能。 　　当今设计的基准电压源大多数采用BJT带隙

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：546816
    • 提供者：weixin_38629362

  1. 一种高精度基准源电路

  2. 基于90 nm CMOS标准工艺，设计了一种低温漂的带隙基准源电路。一种结构新颖的温度曲率校正电路被采用，作为一级温度补偿电路的曲率校正电路。Hspice仿真结果表明：所设计电压源在温度－20 ℃～+120 ℃范围内，平均温度系数约为2.2 ppm/℃，获得了一个低压高精度的带隙基准电压源。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：320512
    • 提供者：weixin_38514501

  1. 一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 本文通过对传统带隙基准源的基本原理分析，设计的基准电路工作电压为5～10 V，通过饱和状态MOS等效电阻对PTAT电流反馈补偿，得到了82 dB的电源电压抑制比和低于7．427 ppm／℃的温度系数，版图面积0．022 mm2。该电路产生的基准源电压基本满足普通应用要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-25
    • 文件大小：300032
    • 提供者：weixin_38551749

  1. 一种带有软启动的精密CMOS带隙基准设计

  2. 本文结合工程实际的要求设计了一款具有低噪声、高精度且可快速启动的CMOS带隙基准源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M标准CMOS工艺模型库进行仿真，HSPICE的仿真结果表明该基准在温度特性、电源抑制比、功耗和启动时间方面有着良好的性能。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：225280
    • 提供者：weixin_38554193

  1. 模拟技术中的一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 引言 　　模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与绝对温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。 　　近年来有研究指出，当漏电流保持不变时，工作在弱反型区晶体管的栅源电压随着温度升高而在一定范围内近似线性降低。基于该特性，带隙基准源所采

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：251904
    • 提供者：weixin_38631182

  1. 电源技术中的一种高精度低电源电压带隙基准源的设计

  2. 摘 要： 设计了一种可在低电源电压下工作，具有较高电源电压抑制比、低温度系数和低功耗的带隙基准电压源。电路基于对具有正负温度系数的两路电流加权求和的原理，对传统电路做出了改进。采用UMC 0.25 umCMOS工艺模型，使用Hspice 进行模拟，设计的基准源输出电压为900 mV，电源电压可降低到1.1 V，温度系数为8.1*10-6/°C。 　　输出不随温度、电源电压变化的基准电压源，在模拟和混合集成电路中应用广泛，特别是在高精度的场合，基准电压源是整个系统设计的前提。 　　由于带隙基准

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-04
    • 文件大小：331776
    • 提供者：weixin_38694023

  1. 电源技术中的一个高性能带隙基准电压源的设计

  2. 摘 要：设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3 ppm／℃，在电源电压2．7～3．6 V范围内输出仅变化18μV左右。 　　0 引 言 　　基准电压是集成电路设计中的一个重要部分，特别是在高精度电压比较器、数据采集系统以及A／D和 D／A转换器等中，基准电压随温度和电源电压波动而产生的变化将直接影响到整个系统的性能。因此，在高精度的应用场合，拥有一个

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：271360
    • 提供者：weixin_38547532

  1. 一种带有软启动的精密CMOS带隙基准设计

  2. 引 言 　　带隙基准是所有基准电压中最受欢迎的一种，由于其具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点，所以被广泛地应用于高精度的比较器、A/D或D/A转换器、LDO稳压器以及其他许多模拟集成电路中。带隙基准的主要作用是在集成电路中提供稳定的参考电压或参考电流，这就要求基准对电源电压的变化和温度的变化不敏感。 　　本文结合工程实际的要求设计了一款具有低噪声、高精度且可快速启动的CMOS带隙基准源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M标准CMOS工艺模型库进行仿真，HSPICE的仿真结果

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：143360
    • 提供者：weixin_38629801

  1. 模拟技术中的CMOS带隙基准电压源的设计

  2. 0 引言 　　随着系统集成技术(SOC)的飞速发展，基准电压源已成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。基准电压源是超大规模集成电路和电子系统的重要组成部分，可广泛应用于高精度比较器、A/D和D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。事实上，高性能基准电压源直接影响着电子系统的性能和精度。由于带隙基准电压源能实现高电源抑制比(PSRR)和低温度系数，为此，本文提出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺的高性能带隙基准电压源的设计方法。 1 带隙

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：84992
    • 提供者：weixin_38703468

  1. 电源技术中的一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计

  2. 在A／D和D／A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中，都需要高精度、高稳定性的基准电压源，并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式，其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点，因而得到了广泛的应用。 本文在基于传统带隙电压基准源原理的基础上，采用电流反馈、一级温度补偿等技术，同时在电路中加入启动电路，设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源，并在S

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：199680
    • 提供者：weixin_38714653

  1.  一种高精度带隙基准电压源电路设计

  2. 针对传统CMOS带隙电压基准源电路电源电压较高，基准电压输出范围有限等问题，通过增加启动电路，并采用共源共栅结构的PTAT电流产生电路，设计了一种高精度、低温漂、与电源无关的具有稳定电压输出特性的带隙电压源。基于0.5 μm高压BiCMOS工艺对电路进行了仿真，结果表明，在-40℃~85℃范围内，该带隙基准电路的温度系数为7ppm/℃，室温下的带隙基准电压为1.215 V。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38748740

  1.  高精度CMOS带隙基准电压源电路设计

  2. 设计了一种应用于集成稳压器的高精度带隙基准电压源电路。采用共源共栅电流镜结构以及精度调节技术，有效提高了电压基准的温度稳定性和输出电压精度。经Hynix 0.5 μm CMOS工艺仿真验证表明，在25 ℃时，温度系数几乎为零，基准电压随电源电压变化小于0.1 mV；在-40～125 ℃温度变化范围内，基准电压变化最大4.8 mV，满足设计指标要求。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-29
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：weixin_38664612

  1. 一种新型高CMOS带隙基准源的设计

  2. 引言 　　模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。 　　近年来有研究指出，当漏电流保持不变时，工作在弱反型区晶体管的栅源电压随着温度升高而在一定范围内近似线性降低。基于该特性，带隙基准源所采用的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：344064
    • 提供者：weixin_38596267
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