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搜索资源列表

  1. 开关电源环路中的TL431应用.pdf.pdf

  2. 开关电源环路中的TL431应用.pdfpdf,开关电源环路中的TL431.pdf)4卖) 由 1na-1nb= ln 2).因此 1 312s Vr 1n6= R 从这个公式我们可以析取出电流I Vr In6 R 根据R4的值(为4829),可以计算出I1的值。 26m×1.79 ≈97A 482 得到这个电流后,集电极负载R2和R3的压降可根据欧姆定律快速计算出来。 VR2=VR3=3R2I1=R31=1.9k×97m=5.7k×97m=553m(10) 这个电压离采用SPCE计算的偏置点并不

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 压敏电阻的型号及选用方法.pdf

  2. 压敏电阻的型号及选用方法pdf,压敏电阻是一种以氧化锌为主要成份的金属氧化物半导体非线性电阻元件；电阻对电压较敏感，当电压达到一定数值时，电阻迅速导通。由于压敏电阻具有良好的非线特性、通流量大、残压水平低、动作快和无续流等特点。被广泛应用于电子设备防雷。压敏电阻用字母MY"表示,如加]为家用,后面的字母W、G、P、L、H、Z、B、C、N、K分别用于稳压 过压保护、高频电路、防雷、灭弧、消噪、补偿、消磁、高能或高可靠等方面。压敏电阻虽然能吸攻很大 的浪涌电能量,但不能承受毫安级以上的持续电流,在用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：261120
    • 提供者：weixin_38743506

  1. 压敏电阻的工作原理.doc

  2. 压敏电阻的使用说明 压敏电阻器。压敏电阻器(VSR)是电压灵敏电阻器的简称，它是一种新型过压保护元件。压敏电阻器是以氧化锌为主要材料而制成的金属-氧化物-半导体陶瓷元件，构成压敏电阻的核心材料为氧化锌，氧化锌又包括氧化锌晶粒和晶粒周围的晶界层，氧化锌晶粒的电阻率很低，而晶界层电阻率很高，相接触的两个晶粒之间形成一个相当于齐纳二极管的势垒，成为一个压敏电阻单元， 单元通过串联，并联组成压敏电阻器基体。压敏电阻器在工作时，每个压敏电阻单元都承担浪涌能量，而这些压敏电阻单元是大体上均匀分布在整个电阻体

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-12-10
    • 文件大小：110592
    • 提供者：rderde

  1. 可以获得UA级电流的小电流发生电路

  2. 恒定电流源是当负载电阻改变时也能提供恒定电流的电路，多用来测量电阻或阻抗值。本电路适用于微弱电流电路，使用J-FET作为电流控制元件，电路组成非常简单，可获得高性能恒定电流源（因电流无输出，所以称为电流源）。 电路工作原理 电路的工作原理：把+VCC看作基准电压则很容易理解。如果在OP放大器的同相输入范围附近工作，电路就会不稳定，所以用齐纳二极管D2进行大约2V的电平移位。 OP放大器A1是误差放大电路，它的作用是使VR1分压后的基准电压VR与RZ两端产生的电压相等，改变基准电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：33792
    • 提供者：weixin_38736652

  1. 耗电流只有30UA的越低功耗基准电压发生电路

  2. 电路的功能 采用普通齐纳二极管或温度补偿式齐纳二极管制作基准电压发生电路。消耗电流达10MA。对于电池驱动的电子仪器来说，如果因消耗电流大，电源耗电占全部比重过大就很不合算，所以需要驱动电流小，稳定度好的电路。本电路由可在小偏流下工作的带隙基准二极管和低电流OP放大器组合而成，消耗电流只有30UA。 电路工作原理 LM385-2.5是最小偏流为20UA的基准电压发生器，端电压为2.5V±3%，温度系数为20PPM/℃，性能良好。 本电路中OP放大器仅作为同相放大器用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38689922

  1. 与万用表结合使用的FET VP、VOO检验器

  2. 电路的功能 场效晶体管漏极饱和电流IDSS和夹断电压VP等有很大差别，所以确定置偏很麻烦。虽然在生产厂已分了几种等级，但一个等级内仍有差别，如果在组装电路之前测量实际工作电流状态下的VP和VOS则比较方便。测量时，用转换开关选择电阻R1~3，设定工作电流，R值可用R=15/ID计算。 电路工作原理 在OP放大器反相放大电路中，使流过反馈回路的电流与输入电阻确定的电流相等，因此FET漏极电流EB由栅极电压VGS确定。即OP放大器A1构成伺服电路，用A1的输出控制反相输入端的电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：47104
    • 提供者：weixin_38674763

  1. 用万用表指示的齐纳电压检测器

  2. 电路的功能 普通齐纳二极管基电压不同、温度系数也有差异，误差大，在实用中只有对齐纳电压经过认真测量选择才能获得高性能的基准电压源。齐纳电流有1MA、5MA、10MA三种，同微小功率型到温度补偿式均有，品种齐全。 电路工作原理 为了用恒定电流置偏待测试的齐纳二极管，将其接在OP放大器的反馈回路内，齐纳二极管反向电流IS由OP放大器的输出端供给，并由反相端流出。对于平衡电路的假设地来说，即使齐纳电压改变，也有恒定电流流过。需要改变电流时，可改变电阻R，R用R=-VCC/（IS）

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：27648
    • 提供者：weixin_38499732

  1. 用改变电阻随意设定电压的2.5~10V基准电压发生电路

  2. 电路的功能 稳定度好的基准电压应用范围很广，它涉及到所有的模拟电路。本电路采用了产生基准电压。当然也可用普通齐纳二极管代替专用IC。可以说这是具有通用性的基准电压发生器。 电路工作原理 OP放大器采用单一电源，因为如果用±15V电源，在电源接入时，有时不能向正向摆动。 把产生基准电压的IC用OP放大器输出置偏，因此电源电压变动时也能保持恒定。采用高动态电阻的普通齐纳二极管也是有效的。 为了获得+10V的输出电压，OP放大器必须有4倍的电压增益，输出电压V为：

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：33792
    • 提供者：weixin_38751905

  1. 温度补偿式齐纳二极管+10V基准电压发生电路

  2. 电路的功能 产生基准电压用的二极管，如果采用温度补偿式，就须加大偏流，如NEC公司的IS2190系列产品，必须有10MA的偏流，该偏流不是由电源供给的，而是由输出端供给的，这样即使电源变动，也能保证稳定工作，另外因为需要大置偏电流，所以须加电流增强器。 电路工作原理 OP放大器采用单一电源。本电路的输出电压由齐纳电压V2和电阻分压电路R2、R3、VR1确定，可用下式表示：

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：25600
    • 提供者：weixin_38682242

  1. 内有电子加热器的+10V高稳定度基准电压发生电路

  2. 电路的功能 使用带隙基准二极管或温度补偿式齐纳二极管，即使采用恒定电流置偏，也不可能减少因环境温度变化而产生的变动。本电路则是使用加热电路使齐纳二极管本身的温度不变，从而达到提高电路稳定度的目的，尽管电路消耗的电流较大，但稳定度却极好。要求尽量减少电压变动的场合（如测量仪表、高电压源的基准电压（它被放大数百~数千倍）等）可采用本电路。 电路工作原理 LM399内部装有电子加热器，当电源投入时有200MA的电流渡过，内部温度大约在10秒以内达到稳定。LM399消耗电流为10M

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：61440
    • 提供者：weixin_38500047

  1. 用电池驱动的低功耗基准电压发生电路

  2. 电路的功能 以电池作动力的电子电路必须采用低功耗型。对于放大电路来说，只要采用低功耗OP放大器即可。但要实现基准电压源的低功耗却很麻烦。普通齐纳二极管若减少偏流，性能就会恶化，所以应有数MA的工作电流。 本电路是低功耗基准电压电路，采用了可用30UA置偏的低功耗基准电压用IC（LM385）。 电路工作原理 电路构成并无特别之处，与“温度补偿式齐纳二极管+10V基准电压发生电路”的电路相同，但选用了低功耗OP放大器，而且置信电阻采用了高阻值，尽量降低消耗电流。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：33792
    • 提供者：weixin_38747815

  1. 采用分流调节器的简易基准电压发生电路

  2. 分流调节器IC TL431相当于可编程齐纳二极管，内部有2.5V的带隙基准二极管、可以用晶体管吸收100MA电流，可用作简易基准电压发生电路或恒定电注发生电路。 电路工作原理 图A的电路用于分流调节电路，输出电压VOUT由公式VOUT=（1+R1/R2）*2.5确定，为了输出10V，设R1=3R2置偏电阻RB与VOUT和负载电流IL有关，应使RB≤（V+-VOUT）/ILO分流调节电路负载电流一旦减小，为保持输出电压不变。由IC来吸收电流。TL431输出阻抗在数10KHZ以上时，应根据

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-16
    • 文件大小：28672
    • 提供者：weixin_38629274

  1. 稳压二极管使用电路图

  2. 稳压二极管概述 稳压二极管又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。 此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。 稳压二极管特性及工作原理 稳压

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：176128
    • 提供者：weixin_38586186

  1. 稳压二极管是什么_稳压二极管的故障特点

  2. 稳压二极管是什么 稳压二极管，英文名称Zenerdiode，又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：115712
    • 提供者：weixin_38657376

  1. 齐纳二极管的工作原理

  2. 齐纳二极管的工作原理 在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通（图1.15）。这个突然的意义重大的反向导通就是反向击穿，如果没有一些外在的措施来限制电流的话，它可能导致器件的损坏。反向击穿通常设置了固态器件的最大工作电压。然而，如果采取适当的预防措施来限制电流的话，反向击穿的结能作为一个非常稳定的参考电压。 图1.15 PN结二极管的反向击穿。 导致反向击穿的一个机制是avala

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：209920
    • 提供者：weixin_38684743

  1. 简析稳压管的结构与特性

  2. 稳压管的结构与特性 稳压管的伏安特性 稳压管（也称为齐纳二极管）是一种用特殊工艺制造的面结型硅半导体二极管，其代表符号如图(a)所示。这种管子的杂质浓度比较大，空间电荷区内的电荷密度高，且很窄，容易形成强电场。当反向电压加到某一定值时，反向电流急剧增加，产生反向击穿，其特性如图(b)所示。图中的VZ表示反向击穿电压，即稳压管的稳定电压。稳压管的稳压作用原理在于，对于反向击穿区域，电流有很大变化时，只引起很小的电压变化，即电压基本不变。反向击穿曲线愈陡，动态电阻愈小，稳压管的稳压性能愈好。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：30720
    • 提供者：weixin_38651661

  1. 稳压二极管工作原理及作用

  2. 稳压二极管是利用PN结反向击穿特性所表现出的稳压性能制成的器件。稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管，在电路中起稳定电压作用。它是利用二极管被反向击穿后，在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。稳压二极管通常由硅......

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-18
    • 文件大小：52224
    • 提供者：weixin_38675967

  1. 常见的贴片压敏电阻封装型号有哪些？

  2. 贴片压敏电阻是压敏电阻器中的一种，其工作原理与作用也基本等同于压敏电阻。压敏电阻器是一种具有瞬态电压抑制功能的元件，可以用来代替瞬态抑制二极管、齐纳二极管和电容器的组合。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-29
    • 文件大小：44032
    • 提供者：weixin_38673812

  1. 元器件应用中的压敏电阻原理概述

  2. 本文就氧化锌压敏电阻的原理、特性、正确选用等问题进行简介，并提供一些应用电路实例供各位参考。 　　ZnO压敏电阻实际上是一种伏安特性呈非线性的敏感元件，在正常电压条件下，这相当于一只小电容器，而当电路出现过电压时，它的内阻急剧下降并迅速导通，其工作电流增加几个数量级，从而有效地保护了电路中的其它元器件不致过压而损坏，它的伏安特性是对称的，如图(1)a 所示。这种元件是利用陶瓷工艺制成的，它的内部微观结构如图(1)b 所示。微观结构中包括氧化锌晶粒以及晶粒周围的晶界层。氧化锌晶粒的电阻率很低，而

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：99328
    • 提供者：weixin_38677505

  1. 元器件应用中的齐纳二极管工艺及原理

  2. 在通常情况下，反向偏置的PN结中只有一个很小的电流。这个漏电流一直保持一个常数，直到反向电压超过某个特定的值，超过这个值之后PN结突然开始有大电流导通（图1.15）。这个突然的意义重大的反向导通就是反向击穿，如果没有一些外在的措施来限制电流的话，它可能导致器件的损坏。反向击穿通常设置了固态器件的最大工作电压。然而，如果采取适当的预防措施来限制电流的话，反向击穿的结能作为一个非常稳定的参考电压。740)this.width=740" border=undefined>图1.15 PN结二极管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：60416
    • 提供者：weixin_38623272
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