前面实验的功率MOSFET是漏极损耗15OW的器件。下面，针对大容量的功率MOSFET进行实验。 　　这里，使用2SK1522(PD＝250W、VDs＝50OV、IDS＝50A、Ciss＝87OOpF、Crs＝235pF、RON＝0. 11Ωmax；日立制造)，门极输入电容是2SK1379的几倍。 　　实验电路中为观测门极电流IG及漏极电流ID的波形，夹紧探头(图1、照片2)。负载电阻因绕线系统中的电阻器可能会产生阻抗振荡，所以并联连接8个3W、200Ω的氧化金属薄膜电阻，当用于开关的输人占