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  1. 介绍3D封装材料技术的资料-有图片

  2. 3D封装材料技术的资料，有图片说明。 介绍了材料、材料设计技术以及二者的结合，例如多芯片叠层封装、用于堆叠封装的环氧模塑料和衬底以及用于先进倒装芯片封装的底充胶材料。

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2010-03-01
    • 文件大小：373760
    • 提供者：fallwolf

  1. 微电子封装技术

  2. 《微电子封装技术》比较全面、系统、深入地论述了在晶体管和集成电路（IC）发展的不同历史时期出现的典型微电子封装技术，着重论述了当前应用广泛的先进IC封装技术-QFP、BGA、CSP、FCB、MCM和3D封装技术，并指出了微电子封装技术今后的发展趋势。全书共分8章，内容包括：绪论；芯片互连技术；插装元器件的封装技术；表面安装元器件的封装技术；BGA和CSP的封装技术；多芯片组件（MCM）；微电子封装的基板材料、介质材料、金属材料及基板制作技术；未来封装技术展望。书后还附有微电子封装技术所涉及的有

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2012-10-28
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：xiaoyaoziyun

  1. 【Altium专题】【原创】3D封装技术

  2. 【Altium专题】【原创】3D封装技术，很实用的资料，快来下载吧！

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2013-11-28
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：u012288813

  1. 【Altium专题】3D封装技术

  2. 快速建立自己的3D封装库，在自作pcb时得心应手

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2014-07-31
    • 文件大小：2097152
    • 提供者：tuoguang

  1. 电子3D元器件（最全）

  2. 该电子元件3D库整合原有的3d封装pcb库，并结合个人制作的3D封装，全面而且对电路设计布板很有帮助，个人整理分享，有不懂的或者技术要求也可以咨询留言！

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2015-10-20
    • 文件大小：53477376
    • 提供者：u010068147

  1. 芯片的3D封装技术

  2. 从动因、倒装焊、UV激光钻孔、ICP导通孔刻蚀等方面介绍芯片的3D封装技术

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-10-30
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：u010712164

  1. 微电子封装技术

  2. 本书比较全面、系统、深入地论述了在晶体管和集成电路（IC）发展的不同历史时期出现的典型微电子封装技术，着重论述了当前应用广泛的先进IC封装技术——QDP、BGA、FCB、MCM和3D封装技术，并指出了微电子封装技术今后的发展趋势。 全书共分8章，内容包括：绪论；芯片互连技术；插装元器件的封装技术；表面安装元器件的封装技术；BGA和CSP的封装技术；多芯片组件（MCM）；微电子封装的基板材料、介质材料、金属材料及基板制作技术；未来封装技术展望。书后还附有微电子封装技术所涉及的有关缩略语的中英文对

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2019-03-01
    • 文件大小：8388608
    • 提供者：qq_24961281

  1. MPU_6050三轴陀螺仪加速度计AD封装+技术手册+参考设计+3D图+测试程序

  2. MPU_6050三轴陀螺仪加速度计AD封装+技术手册+参考设计+3D图+测试程序 封装是altium designer的封装，3D结构图有solid works格式和step通用格式的 仅供参考，mpu6050和mpu3050原理图 封装 管脚定义均相同

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2020-08-03
    • 文件大小：3145728
    • 提供者：jiawei234

  1. TSV封装技术

  2. 硅通孔技术（Through Silicon Via, TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。基于TSV技术的3D封装主要有以下几个方面优势：     1）更好的电气互连性能，     2）更宽的带宽，     3）更高的互连密

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：181248
    • 提供者：weixin_38502239

  1. 3D设计技术在SiP中的应用

  2. SiP（System-in-Package）系统级封装技术是最新的微电子封装和系统集成技术，目前已成为电子技术发展的热点。SiP最鲜明的特点就是在封装中采用了3D（Three Dimensions）技术，通过3D技术，可以实现更高的系统集成度，在更小的面积内封装更多的芯片。从设计角度出发，介绍了应用在SiP中的3D设计技术，包括3D基板设计技术和3D组装设计技术，阐述了3D设计的具体思路和方法，可供工程师在设计3D SiP时参考。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：646144
    • 提供者：weixin_38571449

  1. PCB技术中的浅谈新型微电子封装技术

  2. 1 前言 　　电路产业已成为国民经济发展的关键，而集成电路设计、制造和封装测试是集成电路产业发展的三大产业之柱。这已是各级领导和业界的共识。微电子封装不但直接影响着集成电路本身的电性能、机械性能、光性能和热性能，影响其可靠性和成本，还在很大程度上决定着电子整机系统的小型化、多功能化、可靠性和成本，微电子封装越来越受到人们的普遍重视，在国际和国内正处于蓬勃发展阶段。本文试图综述自二十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术，包括焊球阵列封装（BGA）、芯片尺寸封装（CSP）、圆片级封装（WL

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：161792
    • 提供者：weixin_38558186

  1. 堆叠硅片互联技术突破摩尔定律

  2. 赛灵思正式在全球发布其“堆叠硅片互联技术”，旨在超越摩尔定律的束缚。堆叠硅片互联技术在单个封装中集成了4个28nm工艺的FPGA切片，以实现突破性的容量、带宽和功耗优势，其高密度晶体管和逻辑能够满足对处理能力和带宽性能要求极高的需求。该技术通过采用3D封装技术和硅通孔 （TSV） 技术来突破摩尔定律的限制，利用堆叠硅片互联封装方法可以在现有工艺节点提供200万个逻辑单元。为了实现堆叠硅片互联，赛灵思花了五年时间进行研发，并与TSMC和Amkor（封装厂）在制造流程上进行了深度合作。目前代号TV3

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-23
    • 文件大小：111616
    • 提供者：weixin_38631389

  1. 探讨新型微电子封装技术

  2. 1前言本文试图综述自二十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术，包括焊球阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SIP)等项技术。介绍它们的发展状况和技术特点

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-24
    • 文件大小：143360
    • 提供者：weixin_38708105

  1. 基础电子中的3D封装材料技术

  2. 随着移动电话等电子器件的不断飞速增长，这些器件中安装在有限衬底面积上的半导体封装也逐渐变小变薄。3D封装对减少装配面积非常有效。此外，系统级封装(SiP)技术(将二个或多个芯片安装在一个封装件中)对于提高处理速度和改善功耗的作用显着(图1)。为满足这一要求，不仅是每一种封装材料的特性非常重要，而且这些材料的组合也变得很重要。 　　本文重点介绍了材料、材料设计技术以及二者的结合，例如多芯片叠层封装、用于堆叠封装的环氧模塑料和衬底以及用于先进倒装芯片封装的底充胶材料。 　　3D封装用的先进材

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-06
    • 文件大小：265216
    • 提供者：weixin_38720978

  1. 基础电子中的整体封装的3D IC技术

  2. 3D IC技术蓬勃发展的背后推动力来自消费市场采用越来越复杂的互连技术连接硅片和晶圆。这些晶圆包含线宽越来越窄的芯片。 　　为了按比例缩小半导体IC，需要在300mm的晶圆上生成更精细的线条。据市场研究机构VLSI Research(图1)预测，虽然目前大多数量产的IC是基于55nm或55nm以下的设计节点，但这些设计规则将缩小至38nm或更小，到2013年甚至会缩小到27nm。 　　这些尺寸缩小了的IC设计促进了人们对高密度、高成本效益的制造与封装技术的需求，进而不断挑战IC制造商尽可

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：436224
    • 提供者：weixin_38612648

  1. PCB技术中的先进封装技术的发展趋势

  2. 摘 要：先进封装技术不断发展变化以适应各种半导体新工艺和材料的要求和挑战。在半导体封装外部形式变迁的基础上，着重阐述了半导体后端工序的关键一封装内部连接方式的发展趋势。分析了半导体前端制造工艺的发展在封装技术卜的反映。提出了目前和可预见的将来引线键合作为半导体封装内部连接的主流方式与高性能俪成本的倒装芯片长期共存，共同和硅片键合应用在SiP、MCM、3D等新型封装当中的预测。1 半导体封装外部形式的变迁半导体前端制造工艺不断缩小的线宽、更高的集成密度、更大的硅片尺寸在后端封装上体现为封装的输入／

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-10
    • 文件大小：96256
    • 提供者：weixin_38577648

  1. 基于3D封装的TSV建模和热分析

  2. 建立了具有不同螺距，直通Kong和圆锥台的TSV热模型。 获得了仿真结果，并将其与引线键合结果进行了比较。 结论是TSV技术的散热效果优于引线键合技术。 在相同的TSV间距下，散热效果与TSV形状无关。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-02
    • 文件大小：655360
    • 提供者：weixin_38618094

  1. TSV封装技术

  2. 硅通孔技术（Through Silicon Via, TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。基于TSV技术的3D封装主要有以下几个方面优势：     1）更好的电气互连性能，     2）更宽的带宽，     3）更高的互连密

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：161792
    • 提供者：weixin_38559203

  1. 先进封装技术的发展趋势

  2. 摘 要：先进封装技术不断发展变化以适应各种半导体新工艺和材料的要求和挑战。在半导体封装外部形式变迁的基础上，着重阐述了半导体后端工序的关键一封装内部连接方式的发展趋势。分析了半导体前端制造工艺的发展在封装技术卜的反映。提出了目前和可预见的将来引线键合作为半导体封装内部连接的主流方式与高性能俪成本的倒装芯片长期共存，共同和硅片键合应用在SiP、MCM、3D等新型封装当中的预测。1 半导体封装外部形式的变迁半导体前端制造工艺不断缩小的线宽、更高的集成密度、更大的硅片尺寸在后端封装上体现为封装的输入／

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：97280
    • 提供者：weixin_38503483

  1. 浅谈新型微电子封装技术

  2. 1 前言 　　电路产业已成为国民经济发展的关键，而集成电路设计、制造和封装测试是集成电路产业发展的三大产业之柱。这已是各级领导和业界的共识。微电子封装不但直接影响着集成电路本身的电性能、机械性能、光性能和热性能，影响其可靠性和成本，还在很大程度上决定着电子整机系统的小型化、多功能化、可靠性和成本，微电子封装越来越受到人们的普遍重视，在国际和国内正处于蓬勃发展阶段。本文试图综述自二十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术，包括焊球阵列封装（BGA）、芯片尺寸封装（CSP）、圆片级封装（WL

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-19
    • 文件大小：160768
    • 提供者：weixin_38626080
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