本文提出了详细的仿真分析3D TANOS圆柱中的电荷损失机制无结电荷捕获存储设备。 为了编程状态下，通过隧道的作用底部氧化物和顶部​​氧化物的垂直电荷损耗分别为比较起来，发现后者是主要的成分。 还发现横向电荷迁移显示出对电荷俘获层的形状的依赖性。 绕组电荷俘获层表现出良好的横向迁移性能。 仿真结果表明侧向电荷迁移更严重，而不是垂直电荷损耗，必须集中精力减少存储单元大小。 结果将为高水平提供指导密度3D内存设计优化。