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搜索资源列表

  1. 单片机I/O与PROTEL99封装

  2. 单片机I/O与PROTEL99封装发表于：2009-01-10 10:13:18 - 1、单片机在原理图中用8031或8051、8052，在原理图库protel DOS schematic intel 2、PROTEL 99 SE的原理图元器件库中的数码管没有公共端，对于共阳和共阴数码管，最好自己EDIT一下，加一个公共端，到时就可以用做共阳或共阴数码管了。不过用做共阴数码管时可别忘了上拉电阻哦。接上+5V的电压，数码管可就挂了：（我已经挂了两个了。 3、AT89S51/52的P0口、P1、P

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-01-22
    • 文件大小：4096
    • 提供者：liao384608421

  1. 数字逻辑与数字系统设计习题答案王永军 李景华

  2. 第一章 数字逻辑基础 作业及参考答案 （2008.9.25） P43 1-11 已知逻辑函数 ，试用真值表、卡诺图和逻辑图表示该函数。 解：（1）真值表表示如下： 输 入 输出 A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 （2）卡诺图表示如下： 00 01 11 10 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 由卡诺图可得 ＝ （3）逻辑图表示如下： 1-12 用与非门和或非门实现下列函数，并画出

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-03-29
    • 文件大小：5242880
    • 提供者：cheerup8

  1. 9018型6管超外差便携式调幅收音机

  2. 学生实习用9018型6管超外差便携式调幅收音机套件 本教学用的散件为3V低压全硅管六管超外差式收音机,具有安装调试方便、工作稳定、声音洪亮、耗电省等优点。它由输入回路高放混频级、一级中放、二级中放、前置低放兼检波级、低放级和功放级等部分组成，接受频率范围为535千赫兹-1605千赫兹的中波段。本电路的设计和元件的选择都经过无线电专业工程师坚定认可，在散件的组装过程中除可进一步的学习电子技术外还可以掌握电子安装工艺了解测量和调试技术，一举多得，在动手焊接前请仔细阅读本说明对自己的理论和实际安装会

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-05-04
    • 文件大小：106496
    • 提供者：qq8863

  1. 6管超外差收音机设计

  2. 本收音机套件为全硅管六管超外差式收音机，具有安装、调试方便、性能稳定、省电、声音宏亮等优点，是电子技术的理想套件。接收频率范围为525-1600KHz中波段，电源电压为3V（5号电池两节）。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-11-28
    • 文件大小：99328
    • 提供者：xiaoyaoshow

  1. 三极管,场效应管参数大全

  2. 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2008-09-15
    • 文件大小：210944
    • 提供者：noraml

  1. ewb multisim 仿真实例电路图全集

  2. 多年收集的ewb和multisim电子电路仿真实例文件，压缩后有50多兆。 文件列表 ├─仿真实验 │ 555.ms10 │ Circuit1.ms10 │ Circuit2.ms10 │ CLOCK.ms10 │ FileList.txt │ 实验2.ms10 │ 实验3-一阶有源低通滤电路.ms10 │ 实验3-减法运算电路.ms10 │ 实验3-反相加法运算电路.ms10 │ 实验3-反相比例运算电路.ms10 │ 实验3-反相积分运算电路.ms10 │ 实验3-微分运算电路.ms10

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-10-21
    • 文件大小：55574528
    • 提供者：freedom366

  1. Ewb5.12电子电路仿真软件中文版含200实例及中文教程

  2. Ewb5.12电子电路仿真软件中文版含200实例及中文教程 文件 列表 │ 100进制递减计数器.ewb │ 14计数器子电路.ewb │ 16计算器.ewb │ 24或12进制加法计数.ewb │ 24或12进制加法计数子电路.ewb │ 2d限幅.ewb │ 2m振荡电路.ewb │ 4位加法器.ewb │ 50hz陷波器.ewb │ 555-1多谐振荡器.ewb │ 555fm电路.ewb │ 555单稳态电路.ewb │ 555多谐振荡电路.ewb │ 555定时报警器.ewb │ 5

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2015-10-21
    • 文件大小：9437184
    • 提供者：freedom366

  1. 无线充电 15W

  2. 制作要点： 互感器是一只内径约为Φ8的高频磁环，套在一小段同轴电缆之上，电缆的芯线直接焊在同周电缆插座上，同轴线的外导体只起屏蔽和去耦作用，而不应流通高频电流，必须仅某一端接地。 磁环上均匀的用Φ0.6漆包线绕20匝左右。二极管必须采用锗高频管或正向压降极小的热载流子二极管，如采用硅管将对低功率状态下小的SWR反应不灵敏。为了能够测量SSB时的峰值功率，电路中采用了6.8μF的滤波电容，此电容可在5~10μF间选用，但要求两支电容容量相同。本表可以采用一直流表头用单刀双抛开关切换，也可以选用双

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2018-06-12
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_42328300

  1. 降低高炉铁水硅含量的简要分析

  2. 降低高炉铁水硅含量不但可以降低高炉燃料比,提高高炉利用系数,实现节能减排;而且可以使炼钢工序实现少渣冶炼,缩短炼钢时间,降低能耗和材料费用,为冶炼品种钢创造良好条件。通过采用6σ方法对数据进行分析并采取了相应的有效措施,铁水硅含量在2008年9月达到目标值0.58%,并且铁水硅含量水平持续巩固,保持在0.55%以下。2009年管理化平均水平达到0.51%,为下工序生产创造了良好的条件,用户满意度得到进一步提高。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-04-18
    • 文件大小：1048576
    • 提供者：weixin_38571453

  1. LED基础知识及恒流恒压电路汇总.pdf.pdf

  2. LED基础知识及恒流恒压电路汇总.pdfpdf,LED基础知识及恒流恒压电路汇总.pdfLED的效率提升得很快:目前大功率白光平均光输出为60~80流明每瓦(lmW),2008年底有 望达到120lmW。LED的长寿命让固态照明非常有吸引力。机械上SSL也比白炽灯和荧光灯 更坚固。目前固态照明还未能实现家用,因为丕需要电源转换,而且比较昂贵,尽管成本正 在下降。闪光LED日前已经广泛应用了。 白炽灯泡丰常便宜,但效率也很低,家用钨丝灯为6Im/W,卤素灯大约为22lmW。荧光 灯效率很高,50到

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：4194304
    • 提供者：weixin_38743968

  1. 判断三极管的3个工作区

  2. 三极管的三种状态也叫三个工作区域，即：截止区、放大区和饱和区。 (1)、截止区：三极管工作在截止状态，当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压，发射结没有导通集电结处于反向偏置，没有放大作用。 (2)、放大区：三极管的发射极加正向电压(锗管约为0.3V，硅管约为0.7V)，集电极加反向电压导通后，Ib控制Ic，Ic与Ib近似于线性关系，在基极加上一个小信号电流，引起集电极大的信号电流输出。 (3)、饱和区：当三极管的集电结电流IC增大到一定程度时，再增大Ib，Ic也不会增大，超出了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-14
    • 文件大小：51200
    • 提供者：weixin_38538021

  1. 三极管放大电路中偏置电路是如何计算确定的

  2. 三极管放大电路需要合理选择偏置电路，才能建立正常的直流工作点，才能将微弱的交流信号在电路中叠加完成放大作用。为了不失真地放大信号，需要设定一定的直流电流通过三极管基极、集电极、发射极之间，称为偏置电流。同时也需要设定一定的直流电压加在三极管各极之间，称为偏置电压。偏置电路是三极管放大电路的重点，确定了偏置电路电阻值，也就确定偏置电流和偏置电压。我们不仅要能看懂电路原理原理，还要知道电子元件参数是怎么来的。知其然知其所以然，举一反三，触类旁通。如何确定呢？是可以通过计算得出的。下面逐一进行计算讲解

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：34816
    • 提供者：weixin_38610573

  1. 万用表如何区分硅二极管与锗二极管

  2. 万用表区分硅二极管与锗二极管 区分硅二极管与锗二极管可I1620BX采用电阻法，如图6-4所示。 图6-4 区分硅二极管与锗二极管 硅二极管在正向运用时的导通电压比锗二极管大，而在反向运用时，硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小。这点区别反映在直流电阻上时，表现为硅管的正、反向电阻值都比锗二极管大。据此便可通过对正向电阻值的测试来判断所测二极管到底是硅二极管还是锗二极管。 测试方法是将万用表的量程开关拨至R×100或R×lk挡，测试二极管的正向电阻值，根据表头指针的偏转角度来进行判断，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：58368
    • 提供者：weixin_38639642

  1. 晶体二极管及其基本应用

  2. 晶体二极管具有什么特性 二极管的核心是PN结，PN结具有单向导电性，这是二极管的主要特性。 二极管的导电性能，由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流决定，这两者之间的关系称为二极管的伏安特性。用于定量描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线，如图1-6所示。 由图1一6可见，二极管的导电特性可分为正向特性和反向特性两部分。 1.正向特性 指二极管加上正向电压时电流和电压的关系。 当二极管两端所加的正向电压由零逐渐增大时，开始时正向电流很小，几乎为零，二极管呈现很大的电阻，这个区域称

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：124928
    • 提供者：weixin_38741540

  1. 模拟技术中的最全模拟电路学习笔记

  2. 1、 同相放大电路加在两输入端的电压大小接近相等     2、 反相放大电路的重要特征是“虚地”的概念     3、PN结具有一种很好的数学模型：开关模型à二极管诞生了à再来一个PN结，三极管诞生了     4、 高频电路中，必须考虑PN结电容的影响(正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒电容)     5、 点接触型二极管适用于整流，面接触型二极管适用于高频电路     6、 硅管正向导通压降0.7V,锗管为0.2V     7、 齐纳二极管(稳压管)工作于反向击穿状态     8、

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：74752
    • 提供者：weixin_38706531

  1. 元器件应用中的三极管的的概念及其工作原理

  2. 三极管在我们数字电路和模拟电路中都有大量的应用，在我们开发板上也用了多个三极管。在我们板子上的 LED 小灯部分，就有这个三极管的应用了，图 3-5 的 LED 电路中的 Q16就是一个 PNP 型的三极管。 　　图 3-5  LED 电路 　　三极管的初步认识 　　三极管是一种很常用的控制和驱动器件，常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种，原理相同，压降略有不同，硅管用的较普遍，而锗管应用较少，本课程就用硅管的参数来进行讲解。三极管有 2 种类型，分别是 PN

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：111616
    • 提供者：weixin_38551059

  1. 6脚芯片 丝印A717 SOT23-6 型号是APM2701ACC-TRG

  2. 双mos管，N管和P管 丝印A717 SOT23-6 有的丝印是A715或者A71或者A7128 N和P沟道,硅,小信号MOS管 SOT23-6 原装

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：219136
    • 提供者：yweiqiang

  1. 元器件应用中的检测普通二极管时应注意的问题

  2. 1)检测硅管与锗管时，其正向管压降是不同的，硅管为0.6-0.7V左右，锗管为0.2-0.3V左右。 　　2)由于制作二极管的材料不同，其正、反向阻值的大小是不同的。锗二极管的正、反向阻值均小于硅二极管的正、反向阻值。 　　3)用不同型号的万用表或同一个万用表的不同量程测量同一个二极管正、反向阻值时，其阻值不一定相同，它们之间可能有一定差值。 　　4)测量二极管的正、反向电阻时，如果表针不能停稳在某一个固定值上面，而是在某一范围内摆动飘移，表明逐被测二极管性能不好，不易采用。 　　5)检

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：26624
    • 提供者：weixin_38653508

  1. 元器件应用中的用万用表测量2DW7稳压管的好坏

  2. 2DW7内部由一个正向硅稳压管和一个反向硅稳压管串和一个反向硅稳定电压管串接在一起，并封装在一个管壳内。使用时，"3"脚空着不用。管帽侧面有白点标记对应的管脚接电源正极，另一脚接电源负极。　　这时，反接的管子作稳压用，而正接的作温度补偿用。这样连接管子的稳压值为5.8-6.6V。当"1"脚或"2"脚中有一脚断掉时，则可用 "3"脚与 "2"脚或 "1"脚当做一般稳压管用，但稳压值比用 "1"脚和 "2"脚时，低0.7V左右。　　　　用万用电表测量它的好坏时，可用Rxl000或Rxlk电阻档，黑表

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：30720
    • 提供者：weixin_38553648

  1. 铝掺杂单壁扶手型(６,６)硅纳米管电子结构和光电性质的第一性原理研究

  2. 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了铝掺杂对单壁扶手型(6,6)硅纳米管电子结构和光电性质的影响。结果表明,本征态硅纳米管属于直接带隙半导体,其禁带宽度为0.42eV,而铝掺杂硅纳米管为间接带隙半导体,其禁带宽度为0.02eV。单壁扶手型(6,6)硅纳米管的价带顶主要由Si-3p态电子构成,而其导带底则主要由Si-3p态电子决定。同时通过铝掺杂,使硅纳米管的禁带宽度变窄,吸收光谱产生红移,研究结果为硅纳米管在光电器件方面的应用提供了理论基础。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-07
    • 文件大小：367616
    • 提供者：weixin_38713586
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