美国模拟器件公司（ADI）前开发成功了可承受电压达30V、设计规格为0.6μm的超微细半导体制造工艺该技术名为“iCMOS工艺技术”。主要用于生产面向需要承受高电压的产业设备和医疗设备等的模拟IC。 　　此前，生产可承受30V高压的模拟IC芯片，需要采用设计规格为1μm～3μm的Bipolar-CMOS技术。而采用此次的iCMOS工艺技术，与此前相比可减少耗电、减小芯片面积，还可实现高速运行等。因为具有以上优良性能，ADI计划在面向产业设备和医疗设备的模拟IC生产领域，全面推进由此前的Bipol